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公开(公告)号:CN102169817B
公开(公告)日:2014-10-22
申请号:CN201110060486.4
申请日:2005-09-30
Applicant: 日立化成株式会社
CPC classification number: H01L24/28 , C09J7/20 , C09J2201/28 , C09J2203/326 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6839 , H01L2224/26175 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/7565 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2225/0651 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01061 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , Y10T156/1082 , Y10T156/1093 , Y10T428/1476 , Y10T428/24562 , Y10T428/2839 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明是粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明的附有层叠体的半导体晶片的制造方法包括:从具备剥离基材、基材薄膜和配置于所述剥离基材与所述基材薄膜之间的粘接着层的粘接片上剥离所述剥离基材,得到由所述基材薄膜及所述粘接着层所成的层叠体的剥离步骤;以及,将所述层叠体的所述粘接着层贴合于半导体晶片的贴合步骤;所述剥离基材上,由所述粘接着层侧的面形成有环状的切入部分;所述粘接着层为,按覆盖所述剥离基材的所述切入部分的内侧面整体来层叠;所述切入部分的切入深度为小于所述剥离基材的厚度,且为25μm以下;所述层叠体向所述半导体晶片的贴合以自动化的工序连续进行。
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公开(公告)号:CN102176407B
公开(公告)日:2014-11-05
申请号:CN201110060467.1
申请日:2005-09-30
Applicant: 日立化成株式会社
CPC classification number: H01L24/28 , C09J7/20 , C09J2201/28 , C09J2203/326 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6839 , H01L2224/26175 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/7565 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2225/0651 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01061 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , Y10T156/1082 , Y10T156/1093 , Y10T428/1476 , Y10T428/24562 , Y10T428/2839 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明是粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明半导体装置制造方法包括:贴合步骤,对于依次层叠剥离基材、粘接层、粘着层及基材薄膜构成的、粘接层有规定的第1平面形状且部分性形成于剥离基材上、粘着层层叠为覆盖粘接层且于其周围与剥离基材接触的粘接片,剥下由粘接层、粘着层及基材薄膜所成的层叠体,隔着粘接层贴于半导体晶片,得到附层叠体半导体晶片;切割步骤,切割附层叠体半导体晶片,得到规定尺寸附层叠体半导体元件;剥离步骤,以高能量射线照射粘着层,使其粘着力降低后,剥离粘着层及基材薄膜,得到附粘接层半导体元件;粘接步骤,将附粘接层半导体元件,隔着粘接层粘接于半导体元件搭载用支持部件。
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公开(公告)号:CN102433105B
公开(公告)日:2014-07-30
申请号:CN201110242330.8
申请日:2007-10-29
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: C09K5/14 , C08L33/08 , C08K7/00 , C08K3/04 , B32B27/06 , B32B27/18 , H01L23/373 , H01L33/64 , F28F21/02
CPC classification number: F28F21/02 , C08L33/08 , C09K5/14 , H01L23/373 , H01L23/3737 , H01L2924/0002 , H05K7/2039 , Y10T428/24802 , Y10T428/24851 , Y10T428/24942 , Y10T428/25 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种导热片,该导热片包含含有石墨粒子(A)和Tg为50℃以下的有机高分子化合物(B)的组合物,其中石墨粒子(A)为鳞片状、椭球状或棒状,其晶体中的6元环面在鳞片的面方向、椭球的长轴方向或棒的长轴方向上取向;所述石墨粒子(A)的鳞片的面方向、椭球的长轴方向或棒的长轴方向在导热片的厚度方向上取向,在导热片的表面露出的石墨粒子(A)的面积为25%~80%,在70℃的阿斯卡C硬度为60以下,由此兼具高导热性和高柔软性。另外,本发明还提供一种在生产率、成本、能量效率方面可以有利且确实地得到导热片的制造方法以及使用导热片的具有高散热能力的散热装置。
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公开(公告)号:CN101447413B
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN200810186927.3
申请日:2004-06-04
Applicant: 日立化成株式会社
CPC classification number: H01L24/27 , H01L2221/68336 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/83191 , H01L2224/94 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/27
Abstract: 本发明涉及粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法。本发明提供半导体装置的制造方法,其特征在于,包括以下工序:通过在室温以下将半导体晶片、粘合片及切割胶带的层叠物进行扩张,切割半导体晶片及粘合片,形成带有多个单片化了的粘合片的半导体芯片。
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公开(公告)号:CN102190978B
公开(公告)日:2013-09-18
申请号:CN201110060453.X
申请日:2005-09-30
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: C09J7/02
CPC classification number: H01L24/28 , C09J7/20 , C09J2201/28 , C09J2203/326 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6839 , H01L2224/26175 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/7565 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2225/0651 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01061 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , Y10T156/1082 , Y10T156/1093 , Y10T428/1476 , Y10T428/24562 , Y10T428/2839 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明是粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明的粘接片为按照剥离基材、粘接层、粘着层及基材薄膜的顺序层叠所构成的粘接片,其特征为,所述粘接层具有规定的第1平面形状,且部分性地形成于所述剥离基材上;所述粘着层层叠为其覆盖所述粘接层,且于所述粘接层的周围与所述剥离基材接触。
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