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公开(公告)号：CN107949447B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201680051482.0
申请日：2016-09-07
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 本发明的接合用铜糊料含有金属粒子和分散介质，金属粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和体积平均粒径为2μm以上且50μm以下的微米铜粒子，亚微米铜粒子的含量及微米铜粒子的含量之和以金属粒子的总质量为基准计为80质量％以上，亚微米铜粒子的含量以亚微米铜粒子的质量及微米铜粒子的质量之和为基准计为30质量％以上且90质量％以下。
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公开(公告)号：CN103858527B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201280050024.7
申请日：2012-10-09
Applicant: 日立化成株式会社
CPC classification number: H05K3/06 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/40 , H01L21/4857 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H05K1/03 , H05K3/105 , H05K3/108 , H05K3/4673 , H05K3/4697 , H05K2203/0582 , Y10T29/49162
Abstract: 本发明的具有导体电路的结构体的制造方法通过对应形成于热固化性树脂层上的开口的形状在第1图案化工序中将第1感光性树脂层进行图案化，可以设置各种形状的开口。另外，在该具有导体电路的结构体的制造方法中，与通过激光器形成开口的情况不同，除了可以同时形成多个开口之外，还可减少开口周边的树脂的残渣。因此，即便半导体元件的插针数增加、需要设置大量的微细开口时，也可充分且高效地制造具有优异可靠性的结构体。
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公开(公告)号：CN107949447A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201680051482.0
申请日：2016-09-07
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 本发明的接合用铜糊料含有金属粒子和分散介质，金属粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和体积平均粒径为2μm以上且50μm以下的微米铜粒子，亚微米铜粒子的含量及微米铜粒子的含量之和以金属粒子的总质量为基准计为80质量％以上，亚微米铜粒子的含量以亚微米铜粒子的质量及微米铜粒子的质量之和为基准计为30质量％以上且90质量％以下。
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公开(公告)号：CN103858527A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201280050024.7
申请日：2012-10-09
Applicant: 日立化成株式会社
CPC classification number: H05K3/06 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/40 , H01L21/4857 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H05K1/03 , H05K3/105 , H05K3/108 , H05K3/4673 , H05K3/4697 , H05K2203/0582 , Y10T29/49162
Abstract: 本发明的具有导体电路的结构体的制造方法通过对应形成于热固化性树脂层上的开口的形状在第1图案化工序中将第1感光性树脂层进行图案化，可以设置各种形状的开口。另外，在该具有导体电路的结构体的制造方法中，与通过激光器形成开口的情况不同，除了可以同时形成多个开口之外，还可减少开口周边的树脂的残渣。因此，即便半导体元件的插针数增加、需要设置大量的微细开口时，也可充分且高效地制造具有优异可靠性的结构体。
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公开(公告)号：CN111283206A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010141856.6
申请日：2016-09-07
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: B22F7/08 , B22F1/00 , H01L23/488 , H01L23/495 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本发明的接合用铜糊料含有金属粒子和分散介质，金属粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和体积平均粒径为2μm以上且50μm以下的微米铜粒子，亚微米铜粒子的含量及微米铜粒子的含量之和以金属粒子的总质量为基准计为80质量％以上，亚微米铜粒子的含量以亚微米铜粒子的质量及微米铜粒子的质量之和为基准计为30质量％以上且90质量％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111230125A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010103624.1
申请日：2016-09-07
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 本发明提供接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法。本发明的接合用铜糊料含有金属粒子和分散介质，金属粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比为4以上的薄片状微米铜粒子，且金属粒子所含的最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比小于2的微米铜粒子的含量以薄片状微米铜粒子总量为基准计为50质量％以下。
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公开(公告)号：CN107921541A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680051537.8
申请日：2016-09-07
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 本发明的接合体具备第一构件、第二构件、以及将第一构件与第二构件接合的烧结金属层，烧结金属层含有相对于第一构件或第二构件与烧结金属层的界面大致平行地取向的薄片状铜粒子来源的结构，烧结金属层中的铜的含量以烧结金属层的体积为基准计为65体积％以上。
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公开(公告)号：CN107921540A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680051483.5
申请日：2016-09-07
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 本发明的接合用铜糊料含有金属粒子和分散介质，金属粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比为4以上的薄片状微米铜粒子，且金属粒子所含的最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比小于2的微米铜粒子的含量以薄片状微米铜粒子总量为基准计为50质量％以下。
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公开(公告)号：CN106922088A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201610878352.6
申请日：2012-10-09
Applicant: 日立化成株式会社
CPC classification number: H05K3/06 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/40 , H01L21/4857 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H05K1/03 , H05K3/105 , H05K3/108 , H05K3/4673 , H05K3/4697 , H05K2203/0582 , Y10T29/49162 , C08J5/18 , C08J2363/00 , C08J2363/04 , C08J2379/04 , C08J2463/00 , C08J2479/04 , C08K3/30 , C08K3/36 , C08K9/06 , C08K2003/3045 , C08K2201/003 , C08L63/00 , C08L79/04 , C08L63/04
Abstract: 本发明的具有导体电路的结构体的制造方法通过对应形成于热固化性树脂层上的开口的形状在第1图案化工序中将第1感光性树脂层进行图案化，可以设置各种形状的开口。另外，在该具有导体电路的结构体的制造方法中，与通过激光器形成开口的情况不同，除了可以同时形成多个开口之外，还可减少开口周边的树脂的残渣。因此，即便半导体元件的插针数增加、需要设置大量的微细开口时，也可充分且高效地制造具有优异可靠性的结构体。
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公开(公告)号：CN111360270A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010311153.3
申请日：2016-09-07
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: B22F7/08 , B22F1/00 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及接合体及半导体装置，本发明的接合体具备第一构件、第二构件、以及将第一构件与第二构件接合的烧结金属层，烧结金属层含有相对于第一构件或第二构件与烧结金属层的界面大致平行地取向的最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比为4以上的薄片状铜粒子来源的结构，烧结金属层中的铜的含量以烧结金属层的体积为基准计为65体积％以上。
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