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公开(公告)号：CN120065081A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202411736499.2
申请日：2024-11-29
Applicant: 旭化成微电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁传感器及电流传感器。电流传感器相对于被测定电流具有多重线性。磁传感器(60)具备：基板(61)，设置于导体(24)上，且在一个面上配置有多个块，该多个块包括相对于彼此而相对地分别位于导体的中心的附近及远处的第一块(62a、63a)及第二块(62b、63b)；及多个磁阻元件(51)，配置于基板上，且多个磁阻元件中的一部分配置于第一块内，另一部分配置于第二块内，第一及第二块分别包括配置有具有彼此相同的磁敏方向的磁阻元件(51)的第一子块(62a1、63a1、62b1、63b1)，第一及第二块(62a、63a、62b、63b)的第一子块(62a1、63a1、62b1、63b1)内的磁阻元件串联连接而形成电阻臂(R1)。
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公开(公告)号：CN117998971A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311453848.5
申请日：2023-11-03
Applicant: 旭化成微电子株式会社
Abstract: 本发明提供霍尔元件和霍尔传感器。抑制薄层电阻的变动，使灵敏度补偿变得容易。霍尔元件具备：基板；层叠体，其包括在基板上形成二维电子气膜的活性层、相对于活性层分别在下侧和上侧层叠的第1缓冲层和第2缓冲层；绝缘膜，其形成于层叠体上；以及多个电极(6a～6d)，其包括分别通过设于绝缘膜的接触孔连接于活性层的至少两个电极(6a、6b)，至少两个电极中的一个电极(6a)从该接触孔上朝向另一个电极(6b)而在绝缘膜上延伸设置。在二维电子气膜‑UP型的霍尔元件中，为了确保电极尺寸而使绝缘膜介于朝向电极(6b)而在绝缘膜上延伸设置的电极(6a)与活性层之间，能够抑制从电极(6a)沿膜厚方向施加驱动电压而活性层的薄层电阻变动的情况。
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公开(公告)号：CN118731799A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410356132.1
申请日：2024-03-27
Applicant: 旭化成微电子株式会社
Abstract: 本发明抑制由感应电动势引起的噪声和/或伴随着磁场分布的扩展的噪声。磁传感器(50)具备：电阻边(Ra)，其具有多个磁阻元件(51a)、将两个磁阻元件的上表面连接的电极片(52a)、将两个磁阻元件的下表面连接的电极片(53a)，多个磁阻元件由电极片按排列顺序交替连接；和电阻边(Rb)，其具有多个磁阻元件(51b)、将两个磁阻元件的上表面连接的电极片(52b)、将两个磁阻元件的下表面连接的电极片(53b)，多个磁阻元件由电极片按排列顺序交替连接，电极片(52a)配置为与电极片(53b)在上下方向上分离地交叉，电极片(53a)配置为与电极片(52b)在上下方向上分离地交叉。形成两个相反极性的部分环路，使伴随着感应电动势的噪声抵消。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119757824A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411361538.5
申请日：2024-09-27
Applicant: 旭化成微电子株式会社
Inventor： 井上仁人
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明提供一种电流传感器，其抑制电极焊盘的迁移。磁传感器(60)具备：基板(61)；多个磁阻元件(51)，配置在基板上，多个磁阻元件的一部分组成惠斯通电桥电路状而形成磁电转换部(62a)，另一部分组成惠斯通电桥电路状而形成磁电转换部(62b)；及多个电极焊盘(63#1～63#6)，配置在基板上，包括分别连接于磁电转换部(62a、62b)的驱动端子(VDD)及接地端子(GND)的第一及第二电极焊盘、分别连接于磁电转换部(62a)的两个输出端子(Npa1、Npa2)的第三及第四电极焊盘、分别连接于磁电转换部(62b)的两个输出端子(Npb1、Npb2)的第五及第六电极焊盘，在第一及第二电极焊盘之间配置第三至第六电极焊盘中的至少一个电极焊盘。
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公开(公告)号：CN119758199A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411368090.X
申请日：2024-09-29
Applicant: 旭化成微电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁传感器及电流传感器。抑制因磁场分布而产生的同相电压。磁传感器具备第一磁电转换部，第一磁电转换部包括分别将多个磁阻元件进行串联连接而形成的磁阻边Ra、磁阻边Rb、磁阻边Rc及磁阻边Rd，磁阻边Ra及磁阻边Rd的磁敏方向彼此相同，磁阻边Rb及磁阻边Rc的磁敏方向彼此相同且与磁阻边Ra及磁阻边Rd的磁敏方向相反，磁阻边Ra及磁阻边Rb串联连接，磁阻边Rc及磁阻边Rd串联连接且与磁阻边Ra及磁阻边Rb并联连接而组成惠斯通电桥电路状，第一磁电转换部的至少一部分配置在导体包含的臂上，第一磁电转换部的宽度为臂的宽度的0.3倍以下。由此，能够抑制输出电压所包含的同相电压。
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公开(公告)号：CN120051197A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202411679873.X
申请日：2024-11-22
Applicant: 旭化成微电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种霍尔元件及电流传感器，即使在施加了高磁场的情况下也能够兼顾高精度和高灵敏度、消耗电力低且抑制了可靠性变动。霍尔元件具备：基板(11)，包含砷化镓；活性层(12)，包含砷化铟而形成于基板上，具有0.63μm以上且小于1.45μm的膜厚；及非活性层(13)，形成于活性层上，具有3nm以上且小于100nm的膜厚，非活性层相对于活性层的膜厚比为0.005以上且小于0.067。由此，能够提供即使在施加了高磁场的情况下也能够兼顾高精度和高灵敏度、消耗电力低且抑制了可靠性变动的霍尔元件和电流传感器。
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公开(公告)号：CN118584173A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410150965.2
申请日：2024-02-02
Applicant: 旭化成微电子株式会社
Inventor： 井上仁人
Abstract: 本发明提供电流传感器，改善电流传感器的耐压和灵敏度。电流传感器具备：导体，其供被测定电流流动；磁电转换元件，其相对于导体分离地配置，在侧视时上表面位于比导体的厚度方向的中心靠下方的位置且上表面位于比导体的下表面靠上方的位置；磁聚焦芯片，其配置于磁电转换元件的上表面上，在侧视时上端位于比导体的上表面靠上方的位置且下端位于比导体的厚度方向的中心靠下方的位置；支承构件，其支承磁电转换元件；以及封装体，其将导体、磁电转换元件、磁聚焦芯片和支承构件密封。不仅能将在侧视时在导体的中央集中的磁通聚焦于磁电转换元件的感磁面，还能将在侧视时在导体的上方分布的磁通聚焦于磁电转换元件的感磁面。
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公开(公告)号：CN118541015A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410033664.1
申请日：2024-01-10
Applicant: 旭化成微电子株式会社
Inventor： 井上仁人
Abstract: 本发明提供霍尔元件和霍尔传感器。抑制霍尔元件的偏置电压。霍尔元件具备：基板；活性层，其具有如下十字形状或大致十字形状：在基板上配设有中心部，在该中心部的附近形成一个或多个角部而分别沿着相互交叉的中心轴线延伸；绝缘膜，其形成于活性层上；多个电极，其配设于绝缘膜上，包括经由设于绝缘膜的接触孔而分别连接于活性层的+X侧端部和‑X侧端部的电极(6a、6b)、分别连接于活性层的+Y侧端部和‑Y侧端部的电极(6c、6d)，电极(6c、6d)相对于中心轴线(L1、L2)(至少中心轴线L1)对称或大致对称地配置于一个或多个角部之上。能使在无磁场状态下对电极(6a、6b)之间输入驱动电压时自电极(6c、6d)之间输出的偏置电压为零或变低。
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