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发明公开
霍尔元件及电流传感器审中-公开

公开(公告)号：CN120051197A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202411679873.X

申请日：2024-11-22

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 神户克仁 , 井上仁人 , 冈本太一

IPC: H10N52/00 , H10N52/80 , G01R19/00 , G01R15/20

Abstract: 本发明提供一种霍尔元件及电流传感器，即使在施加了高磁场的情况下也能够兼顾高精度和高灵敏度、消耗电力低且抑制了可靠性变动。霍尔元件具备：基板(11)，包含砷化镓；活性层(12)，包含砷化铟而形成于基板上，具有0.63μm以上且小于1.45μm的膜厚；及非活性层(13)，形成于活性层上，具有3nm以上且小于100nm的膜厚，非活性层相对于活性层的膜厚比为0.005以上且小于0.067。由此，能够提供即使在施加了高磁场的情况下也能够兼顾高精度和高灵敏度、消耗电力低且抑制了可靠性变动的霍尔元件和电流传感器。

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