脱模膜以及半导体封装体的制造方法

    公开(公告)号:CN107000268A

    公开(公告)日:2017-08-01

    申请号:CN201580066776.6

    申请日:2015-12-04

    Abstract: 本发明提供在高温环境下也具有优良的防静电作用且透明性优良的脱模膜以及使用了该脱模膜的半导体封装体的制造方法。脱模膜是在模具内配置半导体元件后用固化性树脂密封来形成树脂密封部的半导体封装体的制造中、配置于模具的与固化性树脂接触的面的脱模膜,其具备在树脂密封部的形成时与固化性树脂接触的脱模性基材(2)(其中不含防静电剂)和在树脂密封部的形成时与模具接触的防静电层(3),防静电层(3)含有选自导电性聚合物和导电性金属氧化物中的至少一种防静电剂,总光线透射率在80%以上。

    脱模膜、其制造方法以及半导体封装体的制造方法

    公开(公告)号:CN106104776A

    公开(公告)日:2016-11-09

    申请号:CN201580012240.6

    申请日:2015-03-06

    Abstract: 本发明提供不易发生带电和卷曲、不污损模具、且模具顺应性优良的脱模膜,该脱模膜的制造方法,以及使用了所述脱模膜的半导体封装体的制造方法。该脱模膜是在将半导体元件配置于模具内、用固化性树脂密封来形成树脂密封部的半导体封装体的制造方法中配置于模具中与固化性树脂接触的面的脱模膜,其具有在树脂密封部形成时与固化性树脂接触的第1热塑性树脂层、在树脂密封部形成时与模具接触的第2热塑性树脂层、配置于第1热塑性树脂层与第2热塑性树脂层之间的中间层,第1热塑性树脂层和第2热塑性树脂层各自在180℃时的储能模量为10~300MPa,在25℃时的储能模量的差值在1200MPa以下,厚度为12~50μm,中间层包含含有高分子类防静电剂的层。

    层叠板和柔性印刷基板的制造方法

    公开(公告)号:CN107107475A

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201580070713.8

    申请日:2015-12-16

    CPC classification number: B29C65/02 B32B15/08 B32B15/082 H05K1/03 H05K3/38

    Abstract: 本发明提供能够稳定地制造耐热性树脂层与含氟树脂层的界面、以及含氟树脂层与金属箔层的界面的粘接强度足够高的层叠板的方法。该方法是依次具有耐热性树脂层(12)、含氟树脂层(14)和金属箔层(16)的层叠板(10)的制造方法,包括:(a)将含有具有含羰基基团等官能团(I)的含氟树脂(A)的含氟树脂膜与金属箔在低于含氟树脂(A)的熔点的温度下进行热层叠来获得具有含氟树脂层的金属箔的工序;和(b)将含有耐热性树脂(B)的耐热性树脂膜与具有含氟树脂层的金属箔在含氟树脂(A)的熔点以上的温度下进行热层叠来获得层叠板(10)的工序。

    膜、其制造方法以及使用该膜的半导体元件的制造方法

    公开(公告)号:CN107210236A

    公开(公告)日:2017-09-26

    申请号:CN201680008936.6

    申请日:2016-02-02

    Abstract: 本发明提供适合作为对树脂密封部的脱模性优良以及对半导体芯片、源电极或密封玻璃的低迁移性及再剥离性优良的用于制造半导体芯片、源电极或密封玻璃的表面的一部分露出的半导体元件的脱模膜的膜。适合作为用于制造半导体元件的脱模膜的膜1,其中,具备基材3和粘接层5,基材3在180℃时的储能模量为10~100MPa,粘接层5是含有特定的丙烯酸类聚合物和多官能异氰酸酯化合物且来源于所述丙烯酸类聚合物的羟基的摩尔数MOH、羧基的摩尔数MCOOH、来源于所述多官能异氰酸酯化合物的异氰酸酯基的摩尔数MNCO满足特定的关系的粘接层用组合物的反应固化物。

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