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公开(公告)号：CN105705307A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201480061127.2
申请日：2014-11-07
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01L21/566 , B29C33/68 , B29C43/18 , B29C47/0021 , B29L2031/3406 , B32B3/28 , B32B7/06 , B32B27/322 , B32B2307/748 , B32B2439/00 , H01L21/565 , H01L24/97 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种即使厚度薄在与模具的内腔面密合时也不易产生褶皱以及针孔、在单片化工序中不易产生破片或破裂、且可形成与墨水层的密合性优良的树脂密封部的脱模膜，以及使用该脱模膜的半导体封装体的制造方法。一种脱模膜，它是在将半导体元件配置在模具内、用固化性树脂进行密封形成树脂密封部的半导体封装体的制造方法中配置于模具的内腔面的脱模膜，其中，具备在上述树脂密封部的形成时与上述固化性树脂接触的第1面和与上述内腔面接触的第2面，上述第1面以及上述第2面的至少一个面上形成有凹凸，形成有上述凹凸的面的算术平均粗糙度(Ra)为1.3～2.5μm，峰值数(RPc)为80～200。
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公开(公告)号：CN105705308A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201480061142.7
申请日：2014-11-07
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: B29C33/68 , C08F214/26 , H01L21/56
CPC classification number: H01L21/566 , B29C33/68 , B29L2031/3406 , C08F214/265 , C08J5/18 , H01L23/3121 , H01L24/97 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种在用固化性树脂密封半导体元件时脱模性优良、可抑制脱模膜导致的树脂密封部和模具的污染、并且可形成与墨水层的密合性优良的树脂密封部的脱模膜，以及使用该脱模膜的半导体封装体的制造方法。本发明的脱模膜是在将半导体元件配置在模具内、用固化性树脂进行密封形成树脂密封部的半导体封装体的制造方法中配置于模具的内腔面的脱模膜，其中，具备在上述树脂密封部的形成时与上述固化性树脂接触的第1面和与上述内腔面接触的第2面，至少上述第1面由氟树脂构成，在特定的试验法中的F/Al为0.2～4或F/(C+F+O)为0.1～0.3。
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公开(公告)号：CN107210236A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680008936.6
申请日：2016-02-02
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/56 , B29C33/68 , B32B27/00 , B32B27/30 , C09J7/02 , C09J133/00 , C09J175/04
Abstract: 本发明提供适合作为对树脂密封部的脱模性优良以及对半导体芯片、源电极或密封玻璃的低迁移性及再剥离性优良的用于制造半导体芯片、源电极或密封玻璃的表面的一部分露出的半导体元件的脱模膜的膜。适合作为用于制造半导体元件的脱模膜的膜1，其中，具备基材3和粘接层5，基材3在180℃时的储能模量为10～100MPa，粘接层5是含有特定的丙烯酸类聚合物和多官能异氰酸酯化合物且来源于所述丙烯酸类聚合物的羟基的摩尔数MOH、羧基的摩尔数MCOOH、来源于所述多官能异氰酸酯化合物的异氰酸酯基的摩尔数MNCO满足特定的关系的粘接层用组合物的反应固化物。
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公开(公告)号：CN107004609A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580062947.8
申请日：2015-11-13
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01L21/565 , B29C33/68 , B29C70/70 , B29K2995/0005 , B29L2031/3406 , B32B3/30 , B32B7/12 , B32B25/042 , B32B25/08 , B32B25/20 , B32B27/00 , B32B27/06 , B32B27/08 , B32B27/16 , B32B27/18 , B32B27/20 , B32B27/285 , B32B27/30 , B32B27/302 , B32B27/304 , B32B27/32 , B32B27/322 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B2250/02 , B32B2250/24 , B32B2255/10 , B32B2255/26 , B32B2270/00 , B32B2307/21 , B32B2307/306 , B32B2307/50 , B32B2307/538 , B32B2307/54 , B32B2307/7242 , B32B2307/732 , B32B2307/748 , B32B2457/00 , H01L21/566 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48155 , H01L2224/48225 , H01L2224/73204 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明提供脱模性优良且能够减少密封工序中的模具污染的脱模膜、该脱模膜的制造方法、以及使用了所述脱模膜的半导体封装体的制造方法。脱模膜1是在模具内配置半导体元件并用固化性树脂密封来形成树脂密封部的半导体封装体的制造中、配置于模具的与固化性树脂接触的面的脱模膜，其具备在树脂密封部的形成时与固化性树脂接触的树脂侧脱模层2和阻气层3，阻气层3含有选自具有乙烯醇单元的聚合物和具有偏氯乙烯单元的聚合物中的至少一种聚合物(I)，阻气层3的厚度为0.1～5μm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106068550A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201580012256.7
申请日：2015-03-06
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: B29C33/68 , B29C43/18 , B29C45/02 , B29C45/14639 , B29C45/14655 , B29C2045/14663 , B29K2075/00 , B29K2627/18 , B29L2031/3481 , B32B27/08 , B32B27/322 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B37/10 , B32B37/12 , B32B2250/24 , B32B2327/18 , B32B2367/00 , B32B2375/00 , B32B2377/00 , B32B2457/14 , H01L21/566 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供在将具备基板、半导体元件、连接端子的结构体配置于需要大变形的模具内、用固化性树脂密封来形成厚度3mm以上的树脂密封部的密封体的制造方法中具有优良的密封体从模具的脱模性、和优良的对需要大变形的模具的顺应性的脱模膜。所述脱模膜具有在所述树脂密封部形成时与固化性树脂接触的第1层、和第2层，所述第1层的厚度为5～30μm且由选自氟树脂和熔点在200℃以上的聚烯烃中的至少一种构成，所述第2层的厚度为38～100μm，在180℃时的拉伸储能模量(MPa)和厚度(μm)之积在18000(MPa·μm)以下、且在180℃时的拉伸断裂应力(MPa)与厚度(μm)之积在2000(MPa·μm)以上。
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公开(公告)号：CN105705307B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201480061127.2
申请日：2014-11-07
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: H01L21/566 , B29C33/68 , B29C43/18 , B29C47/0021 , B29L2031/3406 , B32B3/28 , B32B7/06 , B32B27/322 , B32B2307/748 , B32B2439/00 , H01L21/565 , H01L24/97 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种即使厚度薄在与模具的内腔面密合时也不易产生褶皱以及针孔、在单片化工序中不易产生破片或破裂、且可形成与墨水层的密合性优良的树脂密封部的脱模膜，以及使用该脱模膜的半导体封装体的制造方法。一种脱模膜，它是在将半导体元件配置在模具内、用固化性树脂进行密封形成树脂密封部的半导体封装体的制造方法中配置于模具的内腔面的脱模膜，其中，具备在上述树脂密封部的形成时与上述固化性树脂接触的第1面和与上述内腔面接触的第2面，上述第1面以及上述第2面的至少一个面上形成有凹凸，形成有上述凹凸的面的算术平均粗糙度(Ra)为1.3～2.5μm，峰值数(RPc)为80～200。
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公开(公告)号：CN107000268A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580066776.6
申请日：2015-12-04
Applicant: 旭硝子株式会社
Abstract: 本发明提供在高温环境下也具有优良的防静电作用且透明性优良的脱模膜以及使用了该脱模膜的半导体封装体的制造方法。脱模膜是在模具内配置半导体元件后用固化性树脂密封来形成树脂密封部的半导体封装体的制造中、配置于模具的与固化性树脂接触的面的脱模膜，其具备在树脂密封部的形成时与固化性树脂接触的脱模性基材(2)(其中不含防静电剂)和在树脂密封部的形成时与模具接触的防静电层(3)，防静电层(3)含有选自导电性聚合物和导电性金属氧化物中的至少一种防静电剂，总光线透射率在80％以上。
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公开(公告)号：CN106104776A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580012240.6
申请日：2015-03-06
Applicant: 旭硝子株式会社
Abstract: 本发明提供不易发生带电和卷曲、不污损模具、且模具顺应性优良的脱模膜，该脱模膜的制造方法，以及使用了所述脱模膜的半导体封装体的制造方法。该脱模膜是在将半导体元件配置于模具内、用固化性树脂密封来形成树脂密封部的半导体封装体的制造方法中配置于模具中与固化性树脂接触的面的脱模膜，其具有在树脂密封部形成时与固化性树脂接触的第1热塑性树脂层、在树脂密封部形成时与模具接触的第2热塑性树脂层、配置于第1热塑性树脂层与第2热塑性树脂层之间的中间层，第1热塑性树脂层和第2热塑性树脂层各自在180℃时的储能模量为10～300MPa，在25℃时的储能模量的差值在1200MPa以下，厚度为12～50μm，中间层包含含有高分子类防静电剂的层。
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公开(公告)号：CN105705308B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201480061142.7
申请日：2014-11-07
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: B29C33/68 , C08F214/26 , H01L21/56
CPC classification number: H01L21/566 , B29C33/68 , B29L2031/3406 , C08F214/265 , C08J5/18 , H01L23/3121 , H01L24/97 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种在用固化性树脂密封半导体元件时脱模性优良、可抑制脱模膜导致的树脂密封部和模具的污染、并且可形成与墨水层的密合性优良的树脂密封部的脱模膜，以及使用该脱模膜的半导体封装体的制造方法。本发明的脱模膜是在将半导体元件配置在模具内、用固化性树脂进行密封形成树脂密封部的半导体封装体的制造方法中配置于模具的内腔面的脱模膜，其中，具备在上述树脂密封部的形成时与上述固化性树脂接触的第1面和与上述内腔面接触的第2面，至少上述第1面由氟树脂构成，在特定的试验法中的F/Al为0.2～4或F/(C+F+O)为0.1～0.3。
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