公开(公告)号：CN112566997B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN201880096632.9

申请日：2018-08-14

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 本田一尊 ,  上野惠子

IPC: C09J179/08 ,  C09J4/02 ,  C09J7/10 ,  C09J7/35 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开一种黏合剂组合物，其含有树脂成分、热交联剂及固化剂，且树脂成分包含具有马来酰亚胺基的树脂。

公开(公告)号：CN108352333B

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN201680062779.7

申请日：2016-10-26

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 本田一尊 ,  茶花幸一 ,  小野敬司 ,  永井朗

IPC: H01L21/60 ,  C09J11/06 ,  C09J201/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 公开了一种制造半导体装置的方法，半导体装置具备：半导体芯片；基板及/或另外的半导体芯片；以及介于它们之间的粘接剂层。该方法包括下述工序：通过将具有半导体芯片、基板、另外的半导体芯片或半导体晶片、以及粘接剂层的层叠体用暂时压接用按压构件夹持来进行加热以及加压，由此将基板、另外的半导体芯片或半导体晶片暂时压接在半导体芯片上；通过将层叠体用不同于暂时压接用按压构件的另外准备的正式压接用按压构件夹持来进行加热以及加压，由此将半导体芯片的连接部与基板或另外的半导体芯片的连接部进行连接。

公开(公告)号：CN109075088B

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN201780028064.4

申请日：2017-04-10

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 本田一尊 ,  茶花幸一 ,  佐藤慎 ,  永井朗

IPC: H01L21/60 ,  C09J4/02 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  C09J201/00 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明公开一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置为具备具有连接部的半导体芯片和具有连接部的配线电路基板、且各自的连接部相互电连接的半导体装置，或为具备具有连接部的多个半导体芯片且各自的连接部相互电连接的半导体装置。连接部由金属构成。上述方法具备：(a)第一工序，将半导体芯片和配线电路基板、或将半导体芯片彼此以中间隔着半导体用粘接剂的状态，在低于连接部的金属的熔点的温度下，按照各自的连接部相互接触的方式压接，获得临时连接体；(b)第二工序，使用密封用树脂将临时连接体的至少一部分密封，获得密封临时连接体；以及(c)第三工序，将密封临时连接体以大于或等于连接部的金属的熔点的温度加热，获得密封连接体。

公开(公告)号：CN112703583A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201980058834.9

申请日：2019-08-26

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 上野惠子 ,  本田一尊 ,  小川刚 ,  柳田裕贵

IPC: H01L21/60

Abstract: 本发明所涉及的制造方法用于制造半导体装置，该半导体装置包括：第一部件，具有第一连接部且具有直线状延伸的边；第二部件，具有第二连接部；及胶黏剂层，配置于第一部件及第二部件之间。本发明的制造方法包括：层叠工序，准备依次层叠第一部件、胶黏剂层及第二部件而成的层叠体；及压接工序，在对层叠体沿厚度方向施加按压力的状态下，对层叠体照射用于加热的激光，在压接工序中，以从第一部件的边的一端的周缘部朝向另一端的周缘部依次形成激光照射部、激光非照射部及激光照射部的方式，对层叠体照射激光。

公开(公告)号：CN112566997A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN201880096632.9

申请日：2018-08-14

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 本田一尊 ,  上野惠子

IPC: C09J179/08 ,  C09J4/02 ,  C09J7/10 ,  C09J7/35 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开一种黏合剂组合物，其含有树脂成分、热交联剂及固化剂，且树脂成分包含具有马来酰亚胺基的树脂。