公开(公告)号：CN112771659A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201980062245.8

申请日：2019-10-01

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 谷口徹弥 ,  佐藤慎 ,  茶花幸一

IPC: H01L23/29 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体用黏合剂，其含有(a)无机填料，以所述(a)无机填料总量为基准，所述(a)无机填料包含50质量％以上的实施了具有缩水甘油基的表面处理的无机填料。

公开(公告)号：CN109075088B

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN201780028064.4

申请日：2017-04-10

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 本田一尊 ,  茶花幸一 ,  佐藤慎 ,  永井朗

IPC: H01L21/60 ,  C09J4/02 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  C09J201/00 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明公开一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置为具备具有连接部的半导体芯片和具有连接部的配线电路基板、且各自的连接部相互电连接的半导体装置，或为具备具有连接部的多个半导体芯片且各自的连接部相互电连接的半导体装置。连接部由金属构成。上述方法具备：(a)第一工序，将半导体芯片和配线电路基板、或将半导体芯片彼此以中间隔着半导体用粘接剂的状态，在低于连接部的金属的熔点的温度下，按照各自的连接部相互接触的方式压接，获得临时连接体；(b)第二工序，使用密封用树脂将临时连接体的至少一部分密封，获得密封临时连接体；以及(c)第三工序，将密封临时连接体以大于或等于连接部的金属的熔点的温度加热，获得密封连接体。

公开(公告)号：CN112930584A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201980070581.7

申请日：2019-11-06

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 佐藤慎 ,  茶花幸一 ,  谷口徹弥 ,  林出明子

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/25 ,  C09J7/35 ,  C09J201/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其具有：准备在其中一个主面具有多个电极的半导体晶圆，将具备包含基材及压敏胶黏剂层的背面研磨带、以及形成于压敏胶黏剂层上的黏合剂层的半导体晶圆加工用胶黏膜贴附于所述半导体晶圆的设置有电极的一侧，从而获得层叠体的工序；磨削半导体晶圆而对半导体晶圆进行厚度薄化的工序；对经厚度薄化的半导体晶圆及黏合剂层进行切片而单片化为带黏合剂层的半导体芯片的工序；以及将带黏合剂层的半导体芯片的电极与其他半导体芯片或配线电路基板的电极电连接的工序，背面研磨带的厚度为75μm～300μm，压敏胶黏剂层的厚度为黏合剂层的厚度的3倍以上。

公开(公告)号：CN113795560A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202080023019.1

申请日：2020-03-23

Applicant: 昭和电工材料株式会社

Inventor： 茶花幸一 ,  秋吉利泰 ,  林出明子 ,  佐藤慎

IPC: C09J11/04 ,  C09J11/08 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  C09J201/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种半导体用黏合剂，其含有重均分子量小于10000的树脂、固化剂、无机填料和硅酮橡胶填料。