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公开(公告)号:CN114641848A
公开(公告)日:2022-06-17
申请号:CN202080077215.7
申请日:2020-09-24
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: H01L21/301 , B32B27/00 , C09J5/00 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J133/00 , C09J175/04 , C09J201/00 , H01L21/52 , C09J7/38
Abstract: 本发明公开一种切割晶粒接合一体型膜。该切割晶粒接合一体型膜具备:基材层、具有与基材层相向的第1面及与其相反侧的第2面的压敏胶黏剂层及以覆盖第2面的中央部的方式设置的胶黏剂层。压敏胶黏剂层具有第1区域和第2区域,所述第1区域包括与胶黏剂层中的晶圆的贴附位置对应的区域,所述第2区域以包围第1区域的方式设置,第1区域为呈与第2区域相比胶接力下降的状态的区域。在压敏胶黏剂层中,在规定条件下所测定的压敏胶黏剂层的第1区域对胶黏剂层的胶接力与压敏胶黏剂层的第2区域对胶黏剂层的胶接力之差为6.5~9.0N/25mm。
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公开(公告)号:CN114730706A
公开(公告)日:2022-07-08
申请号:CN202080078717.1
申请日:2020-07-17
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本发明的一方面所涉及的切割晶粒接合一体型膜具备:基材层、胶黏剂层及压敏胶黏剂层,所述压敏胶黏剂层配置于基材层与胶黏剂层之间且具有通过活性能量射线的照射而相对于胶黏剂层的胶接力预先下降的第一区域,在温度23℃下、剥离角度30°及剥离速度60mm/分钟的条件下所测定的第一区域相对于胶黏剂层的胶接力为6.0N/25mm以上且12.5N/25mm以下。
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公开(公告)号:CN114641849A
公开(公告)日:2022-06-17
申请号:CN202080077253.2
申请日:2020-09-24
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/38 , B32B27/30 , C09J5/00 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J133/00 , C09J175/00 , C09J201/00 , H01L21/52
Abstract: 本发明公开一种切割晶粒接合一体型膜及其制造方法。切割晶粒接合一体型膜具备基材层、压敏胶黏剂层、及胶黏剂层,所述压敏胶黏剂层为具有与基材层相向的第1面及与其相反侧的第2面的、由活性能量射线固化型压敏胶黏剂组成的压敏胶黏剂层,所述胶黏剂层为以覆盖第2面的中央部的方式设置的胶黏剂层。活性能量射线固化型压敏胶黏剂包含具有可链聚合的官能团的(甲基)丙烯酸系树脂,官能团为选自丙烯酰基及甲基丙烯酰基的至少一种,(甲基)丙烯酸系树脂中的官能团的含量为0.4mmol/g以上。
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