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公开(公告)号：CN112292431A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201980039086.X
申请日：2019-06-13
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: C09J7/38 , C09J11/06 , C09J201/02 , C09J201/06 , H01L21/301
Abstract: 本发明的一方面所涉及的切晶粘晶一体型膜具有至少依次层叠有基材层、压敏胶黏剂层及胶黏剂层的结构，且上述压敏胶黏剂层含有光聚合成分、及光聚合引发剂(D)。上述光聚合成分包含源自聚合物(A)、具有羟基的能量固化性压敏黏合成分(B)、及热交联剂(C)的结构单元，所述聚合物(A)具有含季铵盐的基团与羟基，且该结构单元为聚合物(A)与压敏黏合成分(B)经由热交联剂(C)连结的结构单元、以及压敏黏合成分(B)彼此经由热交联剂(C)连结的结构单元中的至少一者。
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公开(公告)号：CN113348533B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN201980089111.5
申请日：2019-05-10
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本公开所涉及的拾取性的评价方法包括：准备作为评价对象的切晶粘晶一体型膜的工序，所述切晶粘晶一体型膜依次具备基材层、压敏胶黏剂层及胶黏剂层；在剥离角度30°的条件下测定压敏胶黏剂层相对于胶黏剂层的胶接力的第一工序；对切晶粘晶一体型膜的胶黏剂层粘贴厚度10～100μm的晶片的工序；将晶片及胶黏剂层单片化成面积为9mm2以下的带有胶黏剂片的芯片的工序；及从基材层侧压入带有胶黏剂片的芯片的中央部，并测定带有胶黏剂片的芯片的边缘从压敏胶黏剂层剥离时的边缘剥离强度的第二测定工序。
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公开(公告)号：CN112219264B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201980032401.6
申请日：2019-05-16
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本公开所涉及的切晶粘晶一体型膜包括：基材层、压敏胶黏剂层及胶黏剂层，该压敏胶黏剂层具有与基材层相向的第一面及其相反侧的第二面；该胶黏剂层以覆盖第二面的中央部的方式设置。压敏胶黏剂层具有第一区域及第二区域，该第一区域至少包含与胶黏剂层中的晶片的贴附位置对应的区域，该第二区域以包围第一区域的方式配置。第一区域为通过活性能量线的照射而处于与第二区域相比胶接力下降的状态的区域，在温度23℃下、剥离角度30°及剥离速度60mm/分钟的条件下所测定的第一区域相对于胶黏剂层的胶接力为1.2N/25mm以上且4.5N/25mm以下。
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公开(公告)号：CN114641849A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202080077253.2
申请日：2020-09-24
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/38 , B32B27/30 , C09J5/00 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J133/00 , C09J175/00 , C09J201/00 , H01L21/52
Abstract: 本发明公开一种切割晶粒接合一体型膜及其制造方法。切割晶粒接合一体型膜具备基材层、压敏胶黏剂层、及胶黏剂层，所述压敏胶黏剂层为具有与基材层相向的第1面及与其相反侧的第2面的、由活性能量射线固化型压敏胶黏剂组成的压敏胶黏剂层，所述胶黏剂层为以覆盖第2面的中央部的方式设置的胶黏剂层。活性能量射线固化型压敏胶黏剂包含具有可链聚合的官能团的(甲基)丙烯酸系树脂，官能团为选自丙烯酰基及甲基丙烯酰基的至少一种，(甲基)丙烯酸系树脂中的官能团的含量为0.4mmol/g以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114730706A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080078717.1
申请日：2020-07-17
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本发明的一方面所涉及的切割晶粒接合一体型膜具备：基材层、胶黏剂层及压敏胶黏剂层，所述压敏胶黏剂层配置于基材层与胶黏剂层之间且具有通过活性能量射线的照射而相对于胶黏剂层的胶接力预先下降的第一区域，在温度23℃下、剥离角度30°及剥离速度60mm/分钟的条件下所测定的第一区域相对于胶黏剂层的胶接力为6.0N/25mm以上且12.5N/25mm以下。
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公开(公告)号：CN113348533A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201980089111.5
申请日：2019-05-10
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本公开所涉及的拾取性的评价方法包括：准备作为评价对象的切晶粘晶一体型膜的工序，所述切晶粘晶一体型膜依次具备基材层、压敏胶黏剂层及胶黏剂层；在剥离角度30°的条件下测定压敏胶黏剂层相对于胶黏剂层的胶接力的第一工序；对切晶粘晶一体型膜的胶黏剂层粘贴厚度10～100μm的晶片的工序；将晶片及胶黏剂层单片化成面积为9mm2以下的带有胶黏剂片的芯片的工序；及从基材层侧压入带有胶黏剂片的芯片的中央部，并测定带有胶黏剂片的芯片的边缘从压敏胶黏剂层剥离时的边缘剥离强度的第二测定工序。
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公开(公告)号：CN112292431B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN201980039086.X
申请日：2019-06-13
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: C09J7/38 , C09J11/06 , C09J201/02 , C09J201/06 , H01L21/301
Abstract: 本发明的一方面所涉及的切晶粘晶一体型膜具有至少依次层叠有基材层、压敏胶黏剂层及胶黏剂层的结构，且上述压敏胶黏剂层含有光聚合成分、及光聚合引发剂(D)。上述光聚合成分包含源自聚合物(A)、具有羟基的能量固化性压敏黏合成分(B)、及热交联剂(C)的结构单元，所述聚合物(A)具有含季铵盐的基团与羟基，且该结构单元为聚合物(A)与压敏黏合成分(B)经由热交联剂(C)连结的结构单元、以及压敏黏合成分(B)彼此经由热交联剂(C)连结的结构单元中的至少一者。
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公开(公告)号：CN114641848A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202080077215.7
申请日：2020-09-24
Applicant: 昭和电工材料株式会社
IPC: H01L21/301 , B32B27/00 , C09J5/00 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J133/00 , C09J175/04 , C09J201/00 , H01L21/52 , C09J7/38
Abstract: 本发明公开一种切割晶粒接合一体型膜。该切割晶粒接合一体型膜具备：基材层、具有与基材层相向的第1面及与其相反侧的第2面的压敏胶黏剂层及以覆盖第2面的中央部的方式设置的胶黏剂层。压敏胶黏剂层具有第1区域和第2区域，所述第1区域包括与胶黏剂层中的晶圆的贴附位置对应的区域，所述第2区域以包围第1区域的方式设置，第1区域为呈与第2区域相比胶接力下降的状态的区域。在压敏胶黏剂层中，在规定条件下所测定的压敏胶黏剂层的第1区域对胶黏剂层的胶接力与压敏胶黏剂层的第2区域对胶黏剂层的胶接力之差为6.5～9.0N/25mm。
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