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公开(公告)号：CN110168745B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN201780082127.4
申请日：2017-12-25
Applicant: 松下控股株式会社
IPC: H01L31/12
Abstract: 半导体继电器(10)具备发光元件(20)、以及与发光元件(20)相对而置受光元件(30)。受光元件(30)具备：衬底(31)；被形成在衬底(31)上且具有半绝缘性的直接跃迁型半导体层(32)；以至少一部分与半导体层(32)接触的方式而形成的第1电极(33)；以及在与第1电极(33)相离的位置上以至少一部分与半导体层(32)接触的方式而形成的第2电极(34)。半导体层(32)通过吸收来自发光元件(20)的光而成为低电阻状态。
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公开(公告)号：CN111902920B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201980021326.3
申请日：2019-02-19
Applicant: 松下控股株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/28 , H01L21/337 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/778 , H01L29/80 , H01L29/808 , H01L29/812
Abstract: 氮化物半导体装置(10)具备依次被设置的基板(12)；漂移层(14)；第1基础层(16)；到达漂移层(14)的栅极开口部(22)；沿着栅极开口部(22)的内表面设置的电子传输层(24)和电子供给层(26)；以覆盖栅极开口部(22)的方式设置的栅极电极(30)；延伸到第1基础层(16)的源极开口部(32)；被设置在源极开口部(32)并且与第1基础层(16)连接的源极电极(34)；被设置在基板(12)的背面侧的漏极电极(36)；在基板(12)的最外周部(48)，贯通电子传输层(24)和电子供给层(26)并延伸到第1基础层(16)的外周开口部(38)；被设置在外周开口部(38)，与第1基础层(16)连接，不与电子传输层(24)和电子供给层(26)接触的电位固定电极(40)。
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公开(公告)号：CN111344842B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201880073367.2
申请日：2018-08-31
Applicant: 松下控股株式会社
IPC: H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/12 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812
Abstract: 氮化物半导体装置(100)具备：基板(110)；漂移层(120)；阻挡层(130)；栅极开口部(140)，贯通阻挡层(130)；被依次设置的电子传输层(150)及电子供给层(151)，具有位于阻挡层(130)的上方的部分和沿着栅极开口部(140)的内表面的部分；栅极电极(170)，以覆盖栅极开口部(140)的方式而被设置；源极开口部(160)，贯通电子传输层(150)及电子供给层(151)；源极电极(180S)，被设置在源极开口部(160)；以及漏极电极(180D)，在平面视的情况下，栅极开口部(140)的长度方向上的端部(143)的轮廓(143a)的至少一部分，呈沿着圆弧或椭圆弧的形状。
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公开(公告)号：CN111886683B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201980019884.6
申请日：2019-02-26
Applicant: 松下控股株式会社
IPC: H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/808 , H01L29/812
Abstract: 氮化物半导体装置(10)具备：基板(12)；依次设置在基板(12)的第1主面(12a)上方的第1导电型的漂移层(14)以及第2导电型的第1基础层延伸到漂移层(14)；电子传输层(26)，具有位于第1基础层(16)的上方的部分以及沿着栅极开口部(22)的内表面的部分；栅极电极(30)，被设置在电子传输层(26)的上方且覆盖栅极开口部(22)；源极电极(34)，与第1基础层(16)连接；漏极电极(36)，设置在基板(12)的第2主面(12b)侧；以及高电阻层(24)，由氮化物半导体构成，设(16)；栅极开口部(22)，贯通第1基础层(16)并且(56)对比文件CN 104282746 A,2015.01.14JP 2006120885 A,2006.05.11US 2013075750 A1,2013.03.28US 2013248876 A1,2013.09.26WO 2013137267 A1,2013.09.19
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