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1.

发明授权
半导体继电器有权

公开(公告)号：CN110168745B

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN201780082127.4

申请日：2017-12-25

Applicant: 松下控股株式会社

Inventor： 柴田大辅 , 田村聪之 , 宇治田信二 , 平下奈奈子 , 小川雅弘 , 梶谷亮

IPC: H01L31/12

Abstract: 半导体继电器(10)具备发光元件(20)、以及与发光元件(20)相对而置受光元件(30)。受光元件(30)具备：衬底(31)；被形成在衬底(31)上且具有半绝缘性的直接跃迁型半导体层(32)；以至少一部分与半导体层(32)接触的方式而形成的第1电极(33)；以及在与第1电极(33)相离的位置上以至少一部分与半导体层(32)接触的方式而形成的第2电极(34)。半导体层(32)通过吸收来自发光元件(20)的光而成为低电阻状态。

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