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发明授权
光半导体装置用封装、光半导体装置及光半导体装置用封装的制造方法有权转让

公开(公告)号：CN111247645B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN201880068185.6

申请日：2018-08-20

Applicant: 松下控股株式会社

Inventor： 福永隆博 , 橘高明信

IPC: H01L33/62 , H01L33/60

Abstract: 光半导体装置用封装(10)具备电路基板(14)，该基板在光半导体元件搭载区域(16)中依次层叠有：具有第1标准电极电位的第1金属(11)；第2金属(12)，其形成于第1金属(11)的上表面的一部分，且具有大于第1标准电极电位的第2标准电极电位；和第3金属(13)，其形成于第1金属(11)及第2金属(12)的上表面，并且具有大于第1标准电极电位且小于第2标准电极电位的第3标准电极电位。

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