公开(公告)号：CN111247645B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN201880068185.6

申请日：2018-08-20

Applicant: 松下控股株式会社

Inventor： 福永隆博 ,  橘高明信

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/60

Abstract: 光半导体装置用封装(10)具备电路基板(14)，该基板在光半导体元件搭载区域(16)中依次层叠有：具有第1标准电极电位的第1金属(11)；第2金属(12)，其形成于第1金属(11)的上表面的一部分，且具有大于第1标准电极电位的第2标准电极电位；和第3金属(13)，其形成于第1金属(11)及第2金属(12)的上表面，并且具有大于第1标准电极电位且小于第2标准电极电位的第3标准电极电位。

公开(公告)号：CN118489160A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202280086735.3

申请日：2022-12-05

Applicant: 松下控股株式会社

Inventor： 福永隆博 ,  二神友洋 ,  大村义秀

IPC: H01L33/62 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 一种电路基板，其具备：第1金属(11)，其具有第1标准电极电位；第2金属(12)，其层叠于第1金属(11)的上表面，且具有大于第1标准电极电位的第2标准电极电位；以及覆膜(15)，其被覆第2金属(12)的上表面，且包含功能性有机分子。功能性有机分子具有第1分子骨架(A1)，该第1分子骨架(A1)包含氧化值为负的硫原子与碳原子键合而得的第1键合部(21)、及氧化值为负的氮原子与碳原子键合而得的第2键合部(22)。第1分子骨架(A1)在覆膜(15)中具有互变异构性，该互变异构性是在氮原子具有与氢原子的键的第1结构(24)与硫原子具有与氢原子的键的第2结构(23)之间相互异构化。