公开(公告)号：CN1376554A

公开(公告)日：2002-10-30

申请号：CN02107946.3

申请日：2002-03-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小仓洋 ,  吉田善一

IPC: B23K26/00 ,  H01L21/48 ,  H01L23/12

CPC classification number: H05K3/0032 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/0366 ,  H05K1/0373 ,  H05K2201/0112 ,  H05K2201/0209 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及激光加工用电介质基板与其加工方法及半导体组件与其制造方法。使上述电介质基板含有与激光波长的1/2～10倍大小的电介质基板材料折射率不同的物质,靠该物质提高对激光的吸收率,将激光能耗变换成形成通孔用的熔融热,形成形状良好的通孔。作为与电介质基板材料折射率不同的物质,在电介质基板为石英玻璃基板时使用气泡,为树脂基板时使用玻璃珠或玻纤。该基板介电常数及介质损耗小,用于高频电路时热损失小,且用YAG激光、受激准分子激光加工时形状良好,能得到适于廉价且大量生产的工序的激光加工用电介质基板,提供高频特性优良的半导体组件和高频电路。

公开(公告)号：CN1335641A

公开(公告)日：2002-02-13

申请号：CN01123311.7

申请日：2001-06-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小仓洋 ,  桥立雄二 ,  矢岛浩义 ,  吉田善一

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  C03C23/00 ,  C03C17/00 ,  H05K1/11

CPC classification number: H05K3/0029 ,  B23K26/0624 ,  C03C17/28 ,  C03C17/32 ,  C03C23/0025 ,  H01P11/003 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49156 ,  Y10T29/49165

Abstract: 在使用激光玻璃衬底的加工方法中,要做到可与大量生产对应,可以作为高频电路,特别是微波和毫米波段用的高频电路衬底,应用介电常数低,介质损耗也小的玻璃衬底。因此,制备通过在玻璃中任意地控制气泡量提高衬底自身加工性的玻璃衬底,加工玻璃衬底时多次照射脉冲激光,达到对玻璃衬底加工形状的改善的作用。一般难以加工的玻璃衬底也能容易地应用于高频电路制造,并可以为广大社会提供高性能的电路和装置。

公开(公告)号：CN1099188A

公开(公告)日：1995-02-22

申请号：CN94103083.0

申请日：1994-03-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田善一 ,  水口信一

IPC: H01L21/22 ,  C30B31/20

CPC classification number: H05H3/02

Abstract: 激励原子束源，通过设置半同轴空腔谐振器的放电室，沿该轴向加磁场的构件，被激气体导入口和沿径向引出激励原子的导出口。能沿轴向加磁场，封闭原子与离子，从而能沿径向优先引出呈电气中性的激励原子。本发明还通过在喷嘴与小孔之间产生形成磁路的微波等离子体，并只让等离子体中的高速中性及激励原子通过小孔，能获得超音速的激励原子束，用于向半导体的掺杂。

公开(公告)号：CN1092114A

公开(公告)日：1994-09-14

申请号：CN94102047.9

申请日：1994-02-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田善一 ,  水口信一

IPC: C23C14/28

Abstract: 本发明的激光蒸发装置其目的在于使激光入射窗不模糊，并且高产量地在大面积基板上形成化合物薄膜。通过在连续流动的基板与真空槽所包围的圆筒旋转靶之间照射激光，能够使基板连续性地从大气压下送进来成膜，而且没有窗，激光可从缝中入射，可高速地产生化合物薄膜。

公开(公告)号：CN1057422C

公开(公告)日：2000-10-11

申请号：CN95118293.5

申请日：1995-10-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川濑透 ,  长野义信 ,  木村忠司 ,  吉田善一 ,  水口信一

IPC: H05H1/30 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32229 ,  H05H1/30 ,  H05H2001/3468 ,  H05H2001/3478

Abstract: 微波等离子吹管，包括：一具有抽真空装置的真空容器；一同轴波导，其包括一内导体、一外导体，该波导的第一端部分与微波供给装置连接，第二端部分与该空容器连接，由此将微波沿同轴波导的波导轴导入到真空容器中；一气体供给装置，用于沿多个喷射轴将气体喷入真空容器，在该微波等离子吹管中，至少多个喷射轴中的两个在第二端部分中不与波导轴相交，且不在垂直于波导轴的平面中，在第二端部分附近，内导体与外导体直径之比沿波导轴自第一端部分向第二端部分减小。

公开(公告)号：CN1127978A

公开(公告)日：1996-07-31

申请号：CN95118293.5

申请日：1995-10-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川濑透 ,  长野义信 ,  木村忠司 ,  吉田善一 ,  水口信一

IPC: H05H1/30 ,  H05H1/42

CPC classification number: H01J37/32229 ,  H05H1/30 ,  H05H2001/3468 ,  H05H2001/3478

Abstract: 微波等离子吹管，包括：一具有抽真空装置的真空容器；一同轴波导，其包括一内导体、一外导体，该波导的第一端部分与微波供给装置连接，第二端部分与该空容器连接，由此将微波沿同轴波导的波导轴导入到真空容器中；一气体供给装置，用于沿多个喷射轴将气体喷入真空容器，在该微波等离子吹管中，至少多个喷射轴中的两个在第二端部分中不与波导轴相交，且不在垂直于波导轴的平面中，在第二端部分附近，内导体与外导体直径之比沿波导轴自第一端部分向第二端部分减小。

公开(公告)号：CN1094848A

公开(公告)日：1994-11-09

申请号：CN94102046.0

申请日：1994-02-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田善一 ,  伊东克通 ,  水口信一 ,  三露常男 ,  大川和宏

IPC: H01L21/363 ,  H01L21/38 ,  C23C14/00

Abstract: 本发明目的在于向Ⅱ-Ⅵ族半导体添加高浓度的P型杂质。通过使脉冲喷嘴喷出的激发氮气向基板的照射与对Ⅱ-Ⅵ族半导体构成元素靶的脉冲激光照射交替地进行，形成添加氮的化合物。