半导体加速度传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN1303427C

    公开(公告)日:2007-03-07

    申请号:CN200410061836.9

    申请日:2004-06-25

    CPC classification number: G01P15/18 G01P15/0802 G01P15/123 G01P2015/0842

    Abstract: 一种半导体加速度传感器包括:框架2,其内具有开口21;挠性横梁3,从框架2延伸到框架2的开口内;重物5,悬挂于横梁3并由横梁3支撑以使重物5可自由移动;压电电阻器4,安装在横梁3上并响应其上产生的加速度而改变电阻值。框架2包括风挡部分6,每个风挡部分6覆盖开口21的一部分,该部分包括从开口21侧面上框架2的两邻接侧面的拐角部分22到开口21内的范围,并且每个风挡部分6用作制动器以限制重物5的移动。重物5具有分别面向拐角部分22的拐角部分53,每个拐角部分53的角被去掉以具有从俯视方向看的弧形或由至少三条边构成的折线形。由此,增加每个制动器的断裂强度,并因此获得具有优良抗冲击性的半导体加速度传感器。

    电容式传感器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101432627A

    公开(公告)日:2009-05-13

    申请号:CN200780015491.5

    申请日:2007-04-25

    Abstract: 电容式传感器(1)包括固定电极(6)和通过梁部分(4)由支座部分(3)可动支撑的可动电极(5)。固定电极(6)和可动电极(5)彼此相对,在其间夹有间隙,从而组成检测单元。检测适合间隙的尺寸的电容,以检测预定的物理值。连接到支座部分(3)的梁部分(4)的端部(4a)和连接到可动电极(5)的梁部分(4)的端部(4b)的至少之一设置有调节应力的应力调节单元(30)。

    半导体加速度传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN1576852A

    公开(公告)日:2005-02-09

    申请号:CN200410061836.9

    申请日:2004-06-25

    CPC classification number: G01P15/18 G01P15/0802 G01P15/123 G01P2015/0842

    Abstract: 一种半导体加速度传感器包括:框架2,其内具有开口21;挠性横梁3,从框架2延伸到框架2的开口内;重物5,悬挂于横梁3并由横梁3支撑以使重物5可自由移动;压电电阻器4,安装在横梁3上并响应其上产生的加速度而改变电阻值。框架2包括风挡部分6,每个风挡部分6覆盖开口21的一部分,该部分包括从开口21侧面上框架2的两邻接侧面的拐角部分22到开口21内的范围,并且每个风挡部分6用作制动器以限制重物5的移动。重物5具有分别面向拐角部分22的拐角部分53,每个拐角部分53的角被去掉以具有从俯视方向看的弧形或由至少三条边构成的折线形。由此,增加每个制动器的断裂强度,并因此获得具有优良抗冲击性的半导体加速度传感器。

Patent Agency Ranking