传感器装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN101317262A

    公开(公告)日:2008-12-03

    申请号:CN200680044182.6

    申请日:2006-11-24

    Abstract: 提供了一种具有稳定传感器特性的紧凑型传感器装置及其制造方法。该传感器装置由传感器基板和接合到传感器基板的两个表面的一对封装基板形成。传感器基板具有带开口的框架、保持在开口中可相对于框架移动的移动部分、和用于根据移动部分的位移输出电信号的探测部分。通过使用惰性气体的原子束、离子束或等离子体在传感器基板的框架和封装基板上形成表面激活区域。通过在室温时在传感器基板的表面激活区域与每个封装基板之间形成直接接合,可避免由在接合部分的残余应力导致的问题。

    半导体加速度传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN1576852A

    公开(公告)日:2005-02-09

    申请号:CN200410061836.9

    申请日:2004-06-25

    CPC classification number: G01P15/18 G01P15/0802 G01P15/123 G01P2015/0842

    Abstract: 一种半导体加速度传感器包括:框架2,其内具有开口21;挠性横梁3,从框架2延伸到框架2的开口内;重物5,悬挂于横梁3并由横梁3支撑以使重物5可自由移动;压电电阻器4,安装在横梁3上并响应其上产生的加速度而改变电阻值。框架2包括风挡部分6,每个风挡部分6覆盖开口21的一部分,该部分包括从开口21侧面上框架2的两邻接侧面的拐角部分22到开口21内的范围,并且每个风挡部分6用作制动器以限制重物5的移动。重物5具有分别面向拐角部分22的拐角部分53,每个拐角部分53的角被去掉以具有从俯视方向看的弧形或由至少三条边构成的折线形。由此,增加每个制动器的断裂强度,并因此获得具有优良抗冲击性的半导体加速度传感器。

    半导体加速度传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN1303427C

    公开(公告)日:2007-03-07

    申请号:CN200410061836.9

    申请日:2004-06-25

    CPC classification number: G01P15/18 G01P15/0802 G01P15/123 G01P2015/0842

    Abstract: 一种半导体加速度传感器包括:框架2,其内具有开口21;挠性横梁3,从框架2延伸到框架2的开口内;重物5,悬挂于横梁3并由横梁3支撑以使重物5可自由移动;压电电阻器4,安装在横梁3上并响应其上产生的加速度而改变电阻值。框架2包括风挡部分6,每个风挡部分6覆盖开口21的一部分,该部分包括从开口21侧面上框架2的两邻接侧面的拐角部分22到开口21内的范围,并且每个风挡部分6用作制动器以限制重物5的移动。重物5具有分别面向拐角部分22的拐角部分53,每个拐角部分53的角被去掉以具有从俯视方向看的弧形或由至少三条边构成的折线形。由此,增加每个制动器的断裂强度,并因此获得具有优良抗冲击性的半导体加速度传感器。

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