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公开(公告)号：CN101460816A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200780020773.4
申请日：2007-05-23
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: G01J5/10 , H01L27/14618 , H01L27/14625 , H01L27/14665 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 为提高热绝缘性，将热红外感测元件(30)承载在多孔材料制成的传感器支座(40)上，并通过在基板上凸出的锚固柱(52)使该热红外感测元件向上离开基板(10)。传感器支座形成有一对共面的梁(42)，所述梁上承载有从感测元件(30)延伸出的引线(32)。引线(32)和梁(42)固定到锚固柱(52)的上端，以将感测元件(30)保持在基板(10)上方的预定高度。梁(42)和引线(32)通过分子间附着作用而彼此结合，以使感测元件(30)以及传感器支座(40)能够一起支撑到锚固柱(52)上。
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公开(公告)号：CN102378903A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201080015171.1
申请日：2010-03-30
Applicant: 松下电工株式会社
Inventor： 辻幸司
CPC classification number: H01L27/14669 , G01J5/02 , G01J5/0225 , G01J5/023 , G01J5/024 , G01J5/06 , G01J5/20 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种红外阵列传感器，包括：基础衬底；具有阵列结构并形成于所述基础衬底的表面侧的空腔；和分别由所述基础衬底支承的像素部以覆盖所述空腔。每个像素部包括膜结构，该膜结构包括通过狭缝分隔开的分区膜结构。每个分区膜结构包括热传感器。每个像素部的膜结构包括用于将其自身的分区膜结构彼此连接的连接件。
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公开(公告)号：CN1954188B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200580006859.2
申请日：2005-03-14
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: G01C19/5719
Abstract: 主基板(1)配置有：从动质量体(11)，该从动质量体(11)以沿与支撑基板(2)的表面相交的方向振动的方式被驱动；和探测质量体(12)，该探测质量体(12)通过驱动弹簧(13)与从动质量体(11)联接，并且适合在沿支撑基板(2)的平面中位移。沿从动质量体(11)和探测质量体(12)的布置方向延伸的两个探测弹簧(15)分别被连接到探测质量体(12)的相对侧；并且探测弹簧(15)的其它端通过联接部分(16)被连接在一起。
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公开(公告)号：CN1954188A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200580006859.2
申请日：2005-03-14
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: G01C19/5719
Abstract: 主基板(1)配置有：从动质量体(11)，该从动质量体(11)以沿与支撑基板(2)的表面相交的方向振动的方式被驱动；和探测质量体(12)，该探测质量体(12)通过驱动弹簧(13)与从动质量体(11)联接，并且适合在沿支撑基板(2)的平面中位移。沿从动质量体(11)和探测质量体(12)的布置方向延伸的两个探测弹簧(15)分别被连接到探测质量体(12)的相对侧；并且探测弹簧(15)的其它端通过联接部分(16)被连接在一起。
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公开(公告)号：CN101248337A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200680030068.8
申请日：2006-08-16
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: G01J5/20 , H01L27/146
CPC classification number: G01J5/10 , G01J5/20 , H01L31/0284 , H01L31/103
Abstract: 一种红外传感器单元，具有共同形成于半导体衬底(10)上的热红外传感器及相关的半导体器件。电介质顶层(12)覆盖上述衬底以掩盖形成于该衬底的顶面中的半导体器件(20)。热红外传感器(30)承载于传感器座(40)上，该传感器座借助热绝缘支撑件(52)而被支撑于半导体器件的上方。传感器座和支撑件是由叠置于电介质顶层的顶部上的多孔材料制成的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1946629A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580007234.8
申请日：2005-03-15
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00142 , B81B2201/0242 , B81B2203/0136 , B81B2203/0353
Abstract: 公开了一种制造半导体器件的方法。在该方法中，沿包括相对较大的厚度尺寸的半导体衬底的主基板(1)的厚度方向，在一个表面上形成凹入部分(7)。然后，沿主基板(1)的厚度方向，利用在另一个表面提供的氧化膜(6a)形成的开口作为掩模，通过反应离子蚀刻工艺形成通孔(4a、4b)。开口(8)在与凹入部分(7)相对应的区域中具有较窄的宽度，而在其余区域具有较宽的宽度。因此，较宽宽度的通孔(4a)穿透主基板(1)和较窄宽度的通孔(4b)到达凹入部分(7)的下表面的各自必要时间可以近似相等，从而近似同时地完成较宽宽度的通孔(4a)和较窄宽度的通孔(4b)的共同蚀刻工艺。
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公开(公告)号：CN102414544A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080019384.1
申请日：2010-03-31
Applicant: 松下电工株式会社
Inventor： 辻幸司
CPC classification number: G01J5/12 , G01J5/02 , G01J5/0225 , G01J5/023 , H01L27/14649 , H01L27/14669 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 该红外线阵列传感器具有衬底基板和多个像素部。衬底基板设有下凹部。像素部按照覆盖下凹部的方式被配置于衬底基板。上述像素部具有薄膜构造体、多个第一红外线吸收层和多个感温元件。上述薄膜构造体设有第一狭缝，上述第一狭缝将上述薄膜构造体分割成多个悬臂。上述悬臂在长度方向的一端具有第一端，在另一端具有第二端。上述感温元件被设于上述悬臂。感温元件构成为上上述感温元件的温度发生了变化时，输出与温度变化相应的输出信号。
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公开(公告)号：CN102197291A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980142432.3
申请日：2009-09-24
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: H01L27/14692 , G01J5/02 , G01J5/0225 , G01J5/06 , G01J5/08 , G01J5/0846 , G01J5/12 , G01J5/20 , H01L27/14649 , H01L27/14669 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 红外线传感器(1)包括基底(10)、以及在基底(10)的表面上形成的红外线检测元件(3)。红外线检测元件(3)包括薄膜形式的被配置为吸收红外线的红外线吸收构件(33)、以及被配置为测量红外线吸收构件(33)与基底(10)之间的温度差的温度检测构件(30)。温度检测构件(30)包括：在红外线吸收构件(33)和基底(10)上形成的p型多晶硅层(35)，在红外线吸收构件(33)和基底(10)上形成而不与p型多晶硅层(33)接触的n型多晶硅层(34)，以及被配置为将p型多晶硅层(35)电连接到n型多晶硅层(34)的连接层(36)。p型多晶硅层(35)和n型多晶硅层(34)中的每一个具有1018到1020cm-3范围内的杂质浓度。p型多晶硅层(35)具有λ/4n1p的厚度，其中，λ表示要由红外线检测元件(3)检测的红外线的中心波长，n1p表示p型多晶硅层(35)的反射率。n型多晶硅层(34)具有λ/4n1n的厚度，其中，n1n表示n型多晶硅层(34)的反射率。
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公开(公告)号：CN102197290A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980142269.0
申请日：2009-09-24
Applicant: 松下电工株式会社
CPC classification number: H01L27/14649 , G01J5/02 , G01J5/0225 , G01J5/06 , G01J5/08 , G01J5/0846 , G01J5/12 , G01J5/20 , H01L27/14669 , H01L27/14692 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/13091 , H01L2924/16151 , H01L2924/16195 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种红外线传感器(1)，其包括基体(10)和设置在基体(10)的一个表面侧上的红外线检测元件(3)。红外线检测元件(3)包括：薄膜红外线吸收构件(33)，其吸收红外线光；温度检测构件(30)，其检测红外线吸收构件(33)和基体(10)之间的温度差；以及保护膜(39)。红外线吸收构件(33)布置在基体(10)的一个表面侧上，以便在红外线吸收构件(33)和基体(10)之间提供隔热空间。温度检测构件(30)包括p型多晶硅层(35)和n型多晶硅层(34)以及连接层(36)，其中，p型多晶硅层(35)和n型多晶硅层(34)被形成为跨越红外线吸收构件(33)和基体(10)，连接层(36)在红外线吸收构件(33)上电连接p型多晶硅层(35)和n型多晶硅层(34)。保护膜(39)是设置在红外线吸收构件(33)中的红外线入射表面上以便覆盖该红外线入射表面的多晶硅膜，该红外线入射表面是远离基体(10)的平面。
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公开(公告)号：CN101460816B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200780020773.4
申请日：2007-05-23
Applicant: 松下电工株式会社
IPC: G01J5/10 , G01J5/20 , H01L27/14 , H01L31/101
CPC classification number: G01J5/10 , H01L27/14618 , H01L27/14625 , H01L27/14665 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 为提高热绝缘性，将热红外感测元件(30)承载在多孔材料制成的传感器支座(40)上，并通过在基板上凸出的锚固柱(52)使该热红外感测元件向上离开基板(10)。传感器支座形成有一对共面的梁(42)，所述梁上承载有从感测元件(30)延伸出的引线(32)。引线(32)和梁(42)固定到锚固柱(52)的上端，以将感测元件(30)保持在基板(10)上方的预定高度。梁(42)和引线(32)通过分子间附着作用而彼此结合，以使感测元件(30)以及传感器支座(40)能够一起支撑到锚固柱(52)上。
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