-
公开(公告)号：CN103145090A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201210518396.X
申请日：2012-12-05
Applicant: 林清富
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C99/008 , B81B2207/056 , B81C1/0038 , B81C2201/0194
Abstract: 本发明是有关于一种大面积薄型单晶硅的制作技术，特别是有关一种利用金属辅助蚀刻技术在硅基板或硅晶圆上制作微米结构或纳米结构并脱离硅基板或晶圆的方法。此方法借由金属催化剂沉积、纵向蚀刻、侧向蚀刻、而使微米结构或纳米结构剥离或转移等简单的工艺，形成薄型单晶硅，并将基板表面处理后，使基板进行回收用于重复制作薄型单晶硅，而对基板做充分的利用，达到降低其制作成本的目的与增加应用的范围。
Search Results
1
records
(took 0.022 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
