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公开(公告)号：JP6955260B2
公开(公告)日：2021-10-27
申请号：JP2017253464
申请日：2017-12-28
Applicant: 株式会社エー・シー・イー
IPC: H01L21/31 , H01L21/205 , C23C16/448
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公开(公告)号：JP6268012B2
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：JP2014056669
申请日：2014-03-19
Applicant: 株式会社エー・シー・イー
Inventor： 石川 亨一
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6059542B2
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：JP2013015495
申请日：2013-01-30
Applicant: 株式会社エー・シー・イー
Inventor： 石川 亨一
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公开(公告)号：JP6763577B2
公开(公告)日：2020-09-30
申请号：JP2017253463
申请日：2017-12-28
Applicant: 株式会社エー・シー・イー
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , C30B25/16 , C30B29/38 , H01L21/205
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公开(公告)号：JP2019121629A
公开(公告)日：2019-07-22
申请号：JP2017253463
申请日：2017-12-28
Applicant: 株式会社エー・シー・イー
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , C30B25/16 , C30B29/38 , H01L21/205
Abstract: 【課題】原料ガスの利用効率を向上できる気相成長装置を提供する。 【解決手段】気相成長装置1は、異なる複数の原料ガスGnの化学反応を起こして基板S上に物質を形成する。気相成長装置1は、チャンバー3と、保持部5と、加熱部7とを備える。保持部5は、チャンバー3の内部に配置され、基板Sを保持する。加熱部7は、基板Sを加熱する。チャンバー3は、原料ガスGnをチャンバー3に導入する少なくとも1つの原料導入ポートGPnを含む。物質を基板S上に形成している期間の一部又は全部において、チャンバー3の内部から外部への原料ガスGnの流出が遮断される。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2019119897A
公开(公告)日：2019-07-22
申请号：JP2017253464
申请日：2017-12-28
Applicant: 株式会社エー・シー・イー
IPC: H01L21/31 , H01L21/205 , C23C16/448
Abstract: 【課題】供給対象であるガスの供給量を精度良く調整できる気体供給装置を提供する。 【解決手段】気体供給装置60は、原料容器Znと、希釈容器Xnと、バルブ部Ynとを備える。原料容器Znは、原料ガスGnを収容する。希釈容器Xnは、原料容器Znから導入された原料ガスGnと、原料ガスGnを希釈するキャリアガスCGとを混合して、希釈原料ガスDnとして収容する。バルブ部Ynは、原料ガスGnとキャリアガスCGとを異なるタイミングで希釈容器Xnに導入する。バルブ部Ynは、原料ガスGnとキャリアガスCGとが混合された後に、希釈原料ガスDnを希釈容器Xnから放出する。 【選択図】図2
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