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公开(公告)号：CN104681569A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410562096.0
申请日：2014-10-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N5/359
CPC classification number: H01L27/14601 , G02B3/0043 , H01L27/14605 , H01L27/14627 , H04N5/3572
Abstract: 本发明涉及固体摄像装置以及摄像系统。根据实施方式，提供一种具有摄像区域的固体摄像装置。在摄像区域中，多个像素呈二维排列。多个像素具有第一像素和第二像素。第一像素配置在摄像区域的中心附近。第二像素配置在比第一像素远离摄像区域的中心的位置。第一像素具有第一微透镜。第一微透镜在俯视下为大致圆形。第二像素具有第二微透镜。第二微透镜在俯视下为大致椭圆形。第二微透镜比第一微透镜面积大。
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公开(公告)号：CN101055867A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710096315.0
申请日：2007-04-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/00 , H01L25/065 , H01L25/10 , H01L23/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/18 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件，具备：表面侧形成有电极焊盘的半导体基板；贯通电极，其具有：形成为从所述半导体基板的背面侧到达形成于所述电极焊盘上的金属凸块的贯通孔，以覆盖所述贯通孔的内壁的方式形成的绝缘树脂，以及在利用所述绝缘树脂与所述半导体基板绝缘的状态下形成于所述贯通孔内，并将所述电极焊盘与所述半导体基板的背面侧电连接的导体；半导体芯片，其以背面彼此相对的方式安装在所述半导体基板的背面侧；以及布线，其将所述贯通电极和形成于所述半导体芯片的电极电连接。
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公开(公告)号：CN104065866A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410007856.1
申请日：2014-01-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H04N9/646 , H04N5/217 , H04N5/3572 , H04N9/045
Abstract: 本发明提供一种能够使电气设备薄型，并且能够得到良好的光学特性的电气设备的光学系统。根据实施方式，电气设备的光学系统包括摄像光学系统（5）和光学功能补充处理电路（3）。摄像光学系统（5）取入来自被摄体的光。摄像光学系统（5）使被摄体像成像。电气设备具备摄像光学系统（5）、固体摄像装置（6）以及作为图像信号处理电路的ISP（7）。固体摄像装置（6）对被摄体像进行摄像。固体摄像装置（6）输出图像信号。图像信号处理电路实施图像信号的处理。光学功能补充处理电路（3）设置在固体摄像装置（6）和图像信号处理电路之间的处理路径上。光学功能补充处理电路（3）实施用于对与被摄体像的形成有关的摄像光学系统（5）的功能进行补充的处理。
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公开(公告)号：CN104051482A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410051085.6
申请日：2014-02-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1461 , H01L27/14607 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , Y02E10/50
Abstract: 一实施方式的固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法。固体摄像装置排列有多个像素，该多个像素分别具有在半导体基板的表面设置的电荷积蓄层及在所述半导体基板的背面侧设置的滤光层，其中，所述多个像素所分别具有的所述滤光层的透射波段相互不同，所述多个像素所分包含的所述半导体基板的厚度相互不同。
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公开(公告)号：CN104661002A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410427696.6
申请日：2014-08-27
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供数码摄像机以及固体摄像装置。根据实施方式，数码摄像机具有去马赛克处理部。像素块由红色像素、蓝色像素、第一绿色像素以及第二绿色像素构成。由第一绿色像素检测的第一绿色成分和由第二绿色像素检测的第二绿色成分是相同波长区域的绿色成分。去马赛克处理部生成四个成分的图像信号。四个成分是红色成分、蓝色成分、第一绿色成分以及第二绿色成分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1269192C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200410006906.0
申请日：2004-02-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/302 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/78
Abstract: 本发明是以提供一种能抑制芯片抗折强度降低，在组装工序和可靠性试验等中可防止半导体芯片破裂的半导体器件制造方法。在半导体晶片(21)中形成半导体器件，沿划片线(24)对该半导体晶片划。然后，是以向半导体晶片的划片区(26)照射激光束(28)，使由于划片而形成的切削条痕熔融或气化为特征。在用于分割半导体晶片的划片工序后，采用对半导体芯片(25-1)、(25-2)、(25-3)、...的上边和侧面照射激光束的办法，熔融或气化切断面，消除由于切削条痕而引起的畸变和碎裂，因而会加强半导体芯片的抗折强度。
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公开(公告)号：CN104717420A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410445828.8
申请日：2014-09-03
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H04N5/232
CPC classification number: G02B27/646 , H04N5/23212 , H04N5/23287
Abstract: 根据实施方式，抖动校正装置具备透镜驱动控制部。透镜驱动控制部实施第一控制和第二控制。在第一控制中，透镜驱动控制部根据抖动量对校正透镜的驱动进行控制。在第二控制中，透镜驱动控制部以在第一区域对焦并且在第二区域不对焦的方式对校正透镜的驱动进行控制。
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公开(公告)号：CN104347655A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410207102.0
申请日：2014-05-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/2257 , H01L27/14618 , H01L27/14625 , H01L2224/48091 , H01L2224/83385 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种摄像机模块，能够改善每个像素的灵敏度的偏差。实施方式的摄像机模块具有固体摄像元件、透镜以及透镜支架。固体摄像元件具有设置有多个像素的受光面。该固体摄像元件的受光面弯曲为，使得由透镜聚光的光的主光线相对于各个像素以实质上相等的角度入射。透镜配置于固体摄像元件的上方，将光聚光到固体摄像元件的各个像素。透镜支架以覆盖固体摄像元件的方式配置，内部具有透镜。
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公开(公告)号：CN100563000C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200710096315.0
申请日：2007-04-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/00 , H01L25/065 , H01L25/10 , H01L23/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/18 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件，具备：表面侧形成有电极焊盘的半导体基板；贯通电极，其具有：形成为从所述半导体基板的背面侧到达形成于所述电极焊盘上的金属凸块的贯通孔，以覆盖所述贯通孔的内壁的方式形成的绝缘树脂，以及在利用所述绝缘树脂与所述半导体基板绝缘的状态下形成于所述贯通孔内，并将所述电极焊盘与所述半导体基板的背面侧电连接的导体；半导体芯片，其以背面彼此相对的方式安装在所述半导体基板的背面侧；以及布线，其将所述贯通电极和形成于所述半导体芯片的电极电连接。
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公开(公告)号：CN1525536A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN200410006906.0
申请日：2004-02-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/302 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/78
Abstract: 本发明是以提供一种能抑制芯片抗折强度降低，在组装工序和可靠性试验等中可防止半导体芯片破裂的半导体器件制造方法。在半导体晶片21中形成半导体器件，沿划片线24对该半导体晶片划。然后，是以向半导体晶片的划片区26照射激光束28，使由于划片而形成的切削条痕熔融或气化为特征。在用于分割半导体晶片的划片工序后，采用对半导体芯片25－1、25－2、25－3、…的上边和侧面照射激光束的办法，熔融或气化切断面，消除由于切削条痕而引起的畸变和碎裂，因而会加强半导体芯片的抗折强度。
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