公开(公告)号：CN110310933A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201810907422.5

申请日：2018-08-10

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 唐牛久美子 ,  池水守彦 ,  井守义久 ,  岸博明 ,  今田知彦 ,  清水晓人

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/49 ,  H01L23/495 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明的实施方式提供具有散热性能良好的封装的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明的实施方式的半导体装置具备第1半导体芯片、散热构件和密封树脂，上述散热构件被设置于上述第1半导体芯片的一个面上且与上述第1半导体芯片连接，所述密封树脂将上述第1半导体芯片及上述散热构件密封。上述散热构件包含交缠的金属纤维和热固化性树脂。

公开(公告)号：CN1193426C

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN01121686.7

申请日：2001-03-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 横井哲哉 ,  池水守彦

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体器件，备有：在其表面上具有多个焊盘的半导体元件；分别结合到上述焊盘的多个突点；由在其上具有布线层的绝缘膜构成的插件；上述突点设有颈部，该颈部具有尖锐前端，并且以倒装片的形式分别连接到上述布线层；其中上述尖锐前端分别嵌入上述布线层。

公开(公告)号：CN110310933B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN201810907422.5

申请日：2018-08-10

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 唐牛久美子 ,  池水守彦 ,  井守义久 ,  岸博明 ,  今田知彦 ,  清水晓人

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/49 ,  H01L23/495 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明的实施方式提供具有散热性能良好的封装的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明的实施方式的半导体装置具备第1半导体芯片、散热构件和密封树脂，上述散热构件被设置于上述第1半导体芯片的一个面上且与上述第1半导体芯片连接，所述密封树脂将上述第1半导体芯片及上述散热构件密封。上述散热构件包含交缠的金属纤维和热固化性树脂。

公开(公告)号：CN1325137A

公开(公告)日：2001-12-05

申请号：CN01121686.7

申请日：2001-03-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 横井哲哉 ,  池水守彦

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 半导体器件及其制造方法,它通过使用在芯片的电极表面上形成的突点与布线表面接触的方法可获得与作为插件的绝缘薄膜基板更高的连接性能,同时,将形成于芯片的连接电极上的突点贯穿形成于绝缘薄膜基板上的两面或三层以上的布线,可同时达到与布线层的相互连接。采用形成于芯片1的电极表面上的尖锐状或经过切口加工的突点15,一边破坏形成于布线表面上的氧化被膜及污物一边与作为插件的绝缘薄膜基板5的布线层6接触。通过暴露出材料的新生面可获得性能更高的连接性能。