公开(公告)号：CN102449705A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080023836.3

申请日：2010-05-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 矢板由美 ,  福松辉城 ,  青井洋美 ,  闰间裕

IPC: G21D1/00 ,  C23C24/00 ,  G21D3/08 ,  G21F9/00 ,  G21F9/28

CPC classification number: G21F9/28 ,  C23C24/00 ,  G21F9/001 ,  G21F9/004

Abstract: 本发明公开了抑制放射性物质沉积的方法和系统。通过氧化物膜除去步骤和钛氧化物沉积步骤有效抑制放射性物质，在所述氧化物膜除去步骤中，除去金属材料表面上的氧化物膜，所述金属材料表面与含有放射性物质的冷却剂接触，在所述钛氧化物沉积步骤中，在已除去所述氧化物膜之后，在所述金属材料表面上沉积钛氧化物。

公开(公告)号：CN102449705B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201080023836.3

申请日：2010-05-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 矢板由美 ,  福松辉城 ,  青井洋美 ,  闰间裕

IPC: G21D1/00 ,  C23C24/00 ,  G21D3/08 ,  G21F9/00 ,  G21F9/28

CPC classification number: G21F9/28 ,  C23C24/00 ,  G21F9/001 ,  G21F9/004

Abstract: 本发明公开了抑制放射性物质沉积的方法和系统。通过氧化物膜除去步骤和钛氧化物沉积步骤有效抑制放射性物质，在所述氧化物膜除去步骤中，除去金属材料表面上的氧化物膜，所述金属材料表面与含有放射性物质的冷却剂接触，在所述钛氧化物沉积步骤中，在已除去所述氧化物膜之后，在所述金属材料表面上沉积钛氧化物。