公开(公告)号：CN110911426B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN201910159550.0

申请日：2019-03-04

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 那须勇人 ,  板桥康

IPC: H01L27/146

Abstract: 实施方式提供一种即使不设置阻挡金属膜也能够使布线层抵抗应力的固体摄像装置。实施方式的固体摄像装置具备：衬底；像素，设置在所述衬底的表面；多个布线层，设置在所述衬底之上，包括第一布线层和设置在所述第一布线层之上的第二布线层；绝缘层，设置在所述多个布线层之间；阻挡金属膜，设置在所述第一布线层的表面，并且，未设置在所述第二布线层的表面；以及多个插塞，设置在所述第一布线层和所述第二布线层之间，将所述第一布线层和所述第二布线层连接。所述多个插塞沿着所述第二布线层的长度方向以200μm以下的间隔进行配置。

公开(公告)号：CN1893080A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610099832.9

申请日：2006-06-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 那须勇人 ,  臼井孝公 ,  柴田英毅

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/00 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/7687 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L28/75 ,  H01L28/91 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/906 ,  Y10S257/908 ,  Y10S257/924 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供具有MIM电容器的半导体装置及其制造方法。半导体装置包括电容器，该电容器包含：至少包含第一绝缘膜和与第一绝缘膜接触形成的铁电膜的电容器绝缘膜，该铁电膜包含预定的金属元素和第一绝缘膜的构成元素的化合物作为主要成分，并具有比第一绝缘膜的介电常数大的介电常数；由Cu和以Cu为主要成分的材料中的一种形成的第一电容器电极；和形成为与第一电容器电极共同夹住电容器绝缘膜的第二电容器电极。

公开(公告)号：CN110911426A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201910159550.0

申请日：2019-03-04

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 那须勇人 ,  板桥康

IPC: H01L27/146

Abstract: 实施方式提供一种即使不设置阻挡金属膜也能够使布线层抵抗应力的固体摄像装置。实施方式的固体摄像装置具备：衬底；像素，设置在所述衬底的表面；多个布线层，设置在所述衬底之上，包括第一布线层和设置在所述第一布线层之上的第二布线层；绝缘层，设置在所述多个布线层之间；阻挡金属膜，设置在所述第一布线层的表面，并且，未设置在所述第二布线层的表面；以及多个插塞，设置在所述第一布线层和所述第二布线层之间，将所述第一布线层和所述第二布线层连接。所述多个插塞沿着所述第二布线层的长度方向以200μm以下的间隔进行配置。

公开(公告)号：CN100524766C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200610099832.9

申请日：2006-06-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 那须勇人 ,  臼井孝公 ,  柴田英毅

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/00 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/7687 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L28/75 ,  H01L28/91 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/906 ,  Y10S257/908 ,  Y10S257/924 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供具有MIM电容器的半导体装置及其制造方法。半导体装置包括电容器，该电容器包含：至少包含第一绝缘膜和与第一绝缘膜接触形成的铁电膜的电容器绝缘膜，该铁电膜包含预定的金属元素和第一绝缘膜的构成元素的化合物作为主要成分，并具有比第一绝缘膜的介电常数大的介电常数；由Cu和以Cu为主要成分的材料中的一种形成的第一电容器电极；和形成为与第一电容器电极共同夹住电容器绝缘膜的第二电容器电极。

公开(公告)号：CN100466288C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200610099835.2

申请日：2006-06-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 那须勇人 ,  臼井孝公 ,  柴田英毅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/51 ,  H01L27/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/516 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种半导体器件，包括栅极绝缘膜，栅极电极以及源极和漏极区域，所述栅极绝缘膜至少包括形成在半导体衬底的主表面上的第一绝缘膜和形成在第一绝缘膜上的第一铁电膜，第一铁电膜含有预定金属元素与第一绝缘膜的组成元素的化合物作为主要成分，并且介电常数大于第一绝缘膜的介电常数；所述栅极电极形成在栅极绝缘膜上，并由Cu和含有Cu作为主要成分的材料中的一种形成；所述源极和漏极区域分开地形成在半导体衬底中，中间夹着栅极电极。

公开(公告)号：CN100485929C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200610100551.0

申请日：2006-07-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 臼井孝公 ,  那须勇人 ,  柴田英毅

IPC: H01L27/00 ,  H01L23/58 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/5258 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/564 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05649 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种半导体器件，包括保护环，所述保护环形成在半导体衬底上的层间绝缘膜中以包围所述衬底上的元件形成区域，并且包含Cu作为主要成分。所述器件还包括第一阻挡膜，所述第一阻挡膜形成在所述层间绝缘膜与所述保护环之间的界面上，并且包含预置金属元素与所述层间绝缘膜的构成元素的化合物作为主要成分。

公开(公告)号：CN1893114A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610099835.2

申请日：2006-06-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 那须勇人 ,  臼井孝公 ,  柴田英毅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/51 ,  H01L27/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/516 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种半导体器件，包括栅极绝缘膜，栅极电极以及源极和漏极区域，所述栅极绝缘膜至少包括形成在半导体衬底的主表面上的第一绝缘膜和形成在第一绝缘膜上的第一铁电膜，第一铁电膜含有预定金属元素与第一绝缘膜的组成元素的化合物作为主要成分，并且介电常数大于第一绝缘膜的介电常数；所述栅极电极形成在栅极绝缘膜上，并由Cu和含有Cu作为主要成分的材料中的一种形成；所述源极和漏极区域分开地形成在半导体衬底中，中间夹着栅极电极。

公开(公告)号：CN1893070A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610100551.0

申请日：2006-07-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 臼井孝公 ,  那须勇人 ,  柴田英毅

IPC: H01L27/00 ,  H01L23/58 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/5258 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/564 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05649 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种半导体器件，包括保护环，所述保护环形成在半导体衬底上的层间绝缘膜中以包围所述衬底上的元件形成区域，并且包含Cu作为主要成分。所述器件还包括第一阻挡膜，所述第一阻挡膜形成在所述层间绝缘膜与所述保护环之间的界面上，并且包含预置金属元素与所述层间绝缘膜的构成元素的化合物作为主要成分。