公开(公告)号：CN1893080A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610099832.9

申请日：2006-06-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 那须勇人 ,  臼井孝公 ,  柴田英毅

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/00 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/7687 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L28/75 ,  H01L28/91 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/906 ,  Y10S257/908 ,  Y10S257/924 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供具有MIM电容器的半导体装置及其制造方法。半导体装置包括电容器，该电容器包含：至少包含第一绝缘膜和与第一绝缘膜接触形成的铁电膜的电容器绝缘膜，该铁电膜包含预定的金属元素和第一绝缘膜的构成元素的化合物作为主要成分，并具有比第一绝缘膜的介电常数大的介电常数；由Cu和以Cu为主要成分的材料中的一种形成的第一电容器电极；和形成为与第一电容器电极共同夹住电容器绝缘膜的第二电容器电极。

公开(公告)号：CN1248309C

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN03103665.1

申请日：2003-02-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 羽多野正亮 ,  池上浩 ,  臼井孝公 ,  松尾美惠

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L23/5258 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种容易进行使熔丝配线断线的熔丝熔断，并且熔丝配线和其周边部的品质难以劣化的熔丝配线结构的半导体装置。Cu熔丝配线1，由熔丝用引出线5，以及设置在该引出线5更上方并与引出电气连接的熔丝主体部2构成，并被设置在Si基板3上。在如覆盖Cu熔丝配线1那样，层积设置作为绝缘膜的层间绝缘膜4以及Cu扩散防止膜7的同时，在熔丝主体部2的上方，形成为了容易进行熔丝熔断的凹部9。熔丝主体部2，被形成为比凹部的底部10的宽度以及长度还短，且长度在熔丝熔断用激光束的直径以上，并且被设置位于和底部10相对的区域的内侧。

公开(公告)号：CN1575514A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN02821110.3

申请日：2002-11-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝 ,  IBIDEN股份有限公司

Inventor： 竹腰清 ,  保坂久富 ,  荻原顺一 ,  初鹿国彦 ,  臼井孝公 ,  金子尚史 ,  早坂伸夫 ,  井户义幸

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01R31/2862 ,  G01R1/0433 ,  G01R1/0491 ,  G01R31/2831 ,  G01R31/286 ,  G01R31/2865 ,  G01R31/2867 ,  G01R31/287 ,  G01R31/2886

Abstract: 可靠性评估测试装置(10)，包括晶片存放单元(12)，该存放单元存放晶片(W)，该晶片则处于该晶片上形成的若干器件的电极衬垫与接触器(11)的凸起彼此完全电气接触的状态。该晶片存放单元(12)向/从测量单元(15)发送/接收一个测试信号，并具有与外界隔离的绝热结构。该晶片存放单元(12)具有对接触器(11)加压的压力机构(13)以及直接将与接触器(11)完全接触的晶片(W)加热到预定高温的加热机构(14)。该半导体晶片上形成的一层互连膜与绝缘膜的可靠性可以在加速条件下加以评估。

公开(公告)号：CN1230901C

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN01111869.5

申请日：2001-03-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 羽多野正亮 ,  臼井孝公

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体装置，具有：在半导体基板主表面侧形成的、构成布线层的铜膜；至少在上述铜膜上形成的中间层；以及在上述中间层上形成的、构成焊盘层的铝膜，其中：上述中间层由高熔点金属氮化物膜和在该高熔点金属氮化物膜上形成的高熔点金属膜构成。

公开(公告)号：CN100521134C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN02821110.3

申请日：2002-11-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  株式会社东芝 ,  IBIDEN股份有限公司

Inventor： 竹腰清 ,  保坂久富 ,  荻原顺一 ,  初鹿国彦 ,  臼井孝公 ,  金子尚史 ,  早坂伸夫 ,  井户义幸

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01R31/2862 ,  G01R1/0433 ,  G01R1/0491 ,  G01R31/2831 ,  G01R31/286 ,  G01R31/2865 ,  G01R31/2867 ,  G01R31/287 ,  G01R31/2886

Abstract: 可靠性评估测试装置(10)，包括晶片存放单元(12)，该存放单元存放晶片(W)，该晶片则处于该晶片上形成的若干器件的电极衬垫与接触器(11)的凸起彼此完全电气接触的状态。该晶片存放单元(12)向/从测量单元(15)发送/接收一个测试信号，并具有与外界隔离的绝热结构。该晶片存放单元(12)具有对接触器(11)加压的压力机构(13)以及直接将与接触器(11)完全接触的晶片(W)加热到预定高温的加热机构(14)。该半导体晶片上形成的一层互连膜与绝缘膜的可靠性可以在加速条件下加以评估。

公开(公告)号：CN100485929C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200610100551.0

申请日：2006-07-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 臼井孝公 ,  那须勇人 ,  柴田英毅

IPC: H01L27/00 ,  H01L23/58 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/5258 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/564 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05649 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种半导体器件，包括保护环，所述保护环形成在半导体衬底上的层间绝缘膜中以包围所述衬底上的元件形成区域，并且包含Cu作为主要成分。所述器件还包括第一阻挡膜，所述第一阻挡膜形成在所述层间绝缘膜与所述保护环之间的界面上，并且包含预置金属元素与所述层间绝缘膜的构成元素的化合物作为主要成分。

公开(公告)号：CN1893114A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610099835.2

申请日：2006-06-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 那须勇人 ,  臼井孝公 ,  柴田英毅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/51 ,  H01L27/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/516 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种半导体器件，包括栅极绝缘膜，栅极电极以及源极和漏极区域，所述栅极绝缘膜至少包括形成在半导体衬底的主表面上的第一绝缘膜和形成在第一绝缘膜上的第一铁电膜，第一铁电膜含有预定金属元素与第一绝缘膜的组成元素的化合物作为主要成分，并且介电常数大于第一绝缘膜的介电常数；所述栅极电极形成在栅极绝缘膜上，并由Cu和含有Cu作为主要成分的材料中的一种形成；所述源极和漏极区域分开地形成在半导体衬底中，中间夹着栅极电极。

公开(公告)号：CN1893070A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610100551.0

申请日：2006-07-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 臼井孝公 ,  那须勇人 ,  柴田英毅

IPC: H01L27/00 ,  H01L23/58 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/5258 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/564 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05649 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/45099

Abstract: 一种半导体器件，包括保护环，所述保护环形成在半导体衬底上的层间绝缘膜中以包围所述衬底上的元件形成区域，并且包含Cu作为主要成分。所述器件还包括第一阻挡膜，所述第一阻挡膜形成在所述层间绝缘膜与所述保护环之间的界面上，并且包含预置金属元素与所述层间绝缘膜的构成元素的化合物作为主要成分。

公开(公告)号：CN104465565A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410085649.8

申请日：2014-03-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 兼子元 ,  岛田庆一 ,  臼井孝公

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5226 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11573 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体装置。本实施方式的半导体装置具备：半导体基板；上端部的直径尺寸比下端部的直径尺寸大的第1接触插塞；覆盖第1接触插塞的第1绝缘膜；下端部接合于第1接触插塞的上端部且上端部的直径尺寸比下端部的直径尺寸小的第2接触插塞；覆盖第2接触插塞的第2绝缘膜；在下端部接合有第2接触插塞的上端部的布线层；覆盖布线层的第3绝缘膜；和在第1接触插塞的上端部中的未由第2接触插塞的下端部覆盖的部分所形成的台阶。

公开(公告)号：CN100524766C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200610099832.9

申请日：2006-06-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 那须勇人 ,  臼井孝公 ,  柴田英毅

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/00 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/7687 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L28/75 ,  H01L28/91 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S257/906 ,  Y10S257/908 ,  Y10S257/924 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供具有MIM电容器的半导体装置及其制造方法。半导体装置包括电容器，该电容器包含：至少包含第一绝缘膜和与第一绝缘膜接触形成的铁电膜的电容器绝缘膜，该铁电膜包含预定的金属元素和第一绝缘膜的构成元素的化合物作为主要成分，并具有比第一绝缘膜的介电常数大的介电常数；由Cu和以Cu为主要成分的材料中的一种形成的第一电容器电极；和形成为与第一电容器电极共同夹住电容器绝缘膜的第二电容器电极。