公开(公告)号：CN103988128A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201280046335.6

申请日：2012-09-21

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 李正烈 ,  张有珍 ,  李载禹 ,  金宰贤

IPC: G03F7/26 ,  G03F7/16

CPC classification number: G03F7/0388 ,  G03F7/022 ,  G03F7/0226 ,  G03F7/0233 ,  G03F7/405

Abstract: 本发明公开了一种在200～250℃高温下具有良好热稳定性的I线光刻胶组合物以及利用该组合物形成精细图案的方法，通过该组合物可以形成使用酸扩散层的精细光刻胶图案。该I线光刻胶组合物包括：含有1～99mol%的重复单元的聚合物，重复单元选自由1～99mol%的说明书中化学式1代表的重复单元、化学式2代表的重复单元、化学式3代表的重复单元及其混合物构成的组;含有至少两个重氮萘醌(DNQ)基团的光敏化合物；以及有机溶剂。在化学式2和3中，R*和R**分别是H或甲基，R1是H或具有3～15个碳原子的链状、分支状或环状烃基，该烃基含有1～4个氧原子或不含氧原子，R2是具有1～30个碳原子的链状、分支状或环状烃基，该烃基含有1～4个氧原子或不含氧原子。

公开(公告)号：CN103843112A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201280047901.5

申请日：2012-09-27

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 李正烈 ,  张有珍 ,  李载禹 ,  金宰贤

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3086 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0337

Abstract: 本发明公开一种无需大量曝光和硬化引导图案就能形成20纳米级线宽的图案的用于形成半导体器件精细图案的方法。方法包括以下步骤：（a）在形成有有机防反射涂层的晶片上形成光致抗蚀剂层；（b）曝光光致抗蚀剂层并通过负色性显影溶液显影光致抗蚀剂层以形成引导图案；（c）在形成有引导图案的晶片上形成中立层；（d）显影引导图案以移除引导图案并形成具有由移除引导图案造成的开口部的中立层图案；（e）在形成有中立层图案的衬底上涂覆定向自组装（DSA）材料的嵌段共聚物（BCP），在超过玻璃化转变温度（Tg）的温度下加热衬底以形成定向自组装图案；以及（f）在定向自组装图案中通过使用氧等离子体选择性蚀刻具有相对低蚀刻电阻率（或高蚀刻率）的部分以形成精细图案。