公开(公告)号：CN112703583B

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN201980058834.9

申请日：2019-08-26

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 上野惠子 ,  本田一尊 ,  小川刚 ,  柳田裕贵

IPC: H01L21/60

Abstract: 本发明所涉及的制造方法用于制造半导体装置，该半导体装置包括：第一部件，具有第一连接部且具有直线状延伸的边；第二部件，具有第二连接部；及胶黏剂层，配置于第一部件及第二部件之间。本发明的制造方法包括：层叠工序，准备依次层叠第一部件、胶黏剂层及第二部件而成的层叠体；及压接工序，在对层叠体沿厚度方向施加按压力的状态下，对层叠体照射用于加热的激光，在压接工序中，以从第一部件的边的一端的周缘部朝向另一端的周缘部依次形成激光照射部、激光非照射部及激光照射部的方式，对层叠体照射激光。

公开(公告)号：CN110637355B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN201880033282.1

申请日：2018-05-18

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 本田一尊 ,  铃木直也 ,  乃万裕一

IPC: H01L21/301 ,  C09J201/00 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种扩展带(1)，其为在半导体装置的制造方法中使用的扩展带(1)，所述半导体装置的制造方法具备带扩展工序，该带扩展工序中，通过对扩展带(1)一边加热一边进行拉伸，从而将固定在扩展带(1)上的、被制成单片的半导体芯片(2)的间隔从100μm以下扩大至300μm以上，其中，所述扩展带在所述带扩展工序的加热温度下的拉伸应力为10MPa以下，并且室温下的拉伸应力比所述加热温度下的拉伸应力高5MPa以上。

公开(公告)号：CN111480218B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN201780097759.8

申请日：2017-12-18

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 本田一尊 ,  柳田裕贵 ,  上野惠子

IPC: H01L21/60 ,  C09J5/06 ,  C09J7/10 ,  C09J201/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明公开一种制造半导体装置的方法，其具备如下工序：使具有连接部的第一构件与具有连接部的第二构件通过热固性粘接剂在低于第一构件的连接部的熔点和第二构件的连接部的熔点的温度下进行压接，从而得到第一构件的连接部与第二构件的连接部相对配置的临时压接体的工序；将临时压接体夹在相对配置的一对挤压构件之间，一边加热至大于或等于第一构件的连接部或第二构件的连接部中至少一方的熔点的温度一边加压，从而得到压接体的工序；以及将压接体在加压气氛下进一步加热的工序。第一构件为半导体芯片或半导体晶片，第二构件为配线电路基板、半导体芯片或半导体晶片。