公开(公告)号：CN119173752A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202480002352.2

申请日：2024-04-05

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 高桥正树 ,  大竹俊亮 ,  乃万裕一

IPC: G01N3/00 ,  G01N3/08 ,  G01N19/00

Abstract: 本发明涉及一种印刷线路板用基板的可靠性试验方法，所述印刷线路板用基板的可靠性试验方法使用纳米压痕仪测定在所述印刷线路板用基板产生裂纹的载荷。

公开(公告)号：CN119032415A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202380034012.3

申请日：2023-02-22

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 鸟羽正也 ,  满仓一行 ,  乃万裕一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L27/00 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其包括：准备具有第1支撑基板、第1绝缘膜、设置于第1绝缘膜的第1凹部内的第1电极的第1基板的工序；准备具有第2支撑基板、第2绝缘膜、设置于第2绝缘膜的第2凹部内的第2电极的第2基板的工序；贴合第1基板的第1绝缘膜与第2基板的第2绝缘膜的工序；及接合第1基板的第1电极与第2基板的第2电极的的工序。第1绝缘膜包含有机绝缘膜。第1电极包含：第1电极主体，设置于第1凹部内；第1阻挡金属，设置于第1凹部的内面及底面中的至少一者且覆盖第1电极主体的一部分；及第2阻挡金属，在第1凹部的开口侧覆盖第1电极主体的表面。第1绝缘膜与第1阻挡金属的黏合强度为30MPa以上。

公开(公告)号：CN119014132A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202280094756.X

申请日：2022-02-22

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 西田昌贵 ,  乃万裕一 ,  山口真树 ,  鸟羽正也 ,  满仓一行

IPC: H05K1/02 ,  H01L23/14

Abstract: 本发明公开一种制造布线基板用芯基板的方法，其包括：通过对包含纤维基材和含浸于纤维基材中的热固性树脂组合物的中间基材进行热压，形成具有芯部的芯基板的步骤，所述芯部包括纤维基材和经固化或半固化的热固性树脂组合物即绝缘树脂层并且具有第1主面及其背侧的第2主面；及通过使第1主面或第2主面中的至少一者的表面平坦化，形成平坦面的步骤。

公开(公告)号：CN118414698A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202280083649.7

申请日：2022-12-26

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 高桥正树 ,  藤田广明 ,  岛冈伸治 ,  乃万裕一

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36

Abstract: 一种半导体封装件，其具有：有机基板，其具有电路；半导体芯片，其搭载于所述有机基板的一个面的一部分，并与所述电路电连接；以及金属板，其粘接于所述有机基板的一个面中的、未搭载所述半导体芯片的区域的至少一部分，且未与所述电路电连接，构成所述金属板的金属的30～260℃的温度下的平均热膨胀率为3～15ppm/℃。

公开(公告)号：CN110637355B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN201880033282.1

申请日：2018-05-18

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 本田一尊 ,  铃木直也 ,  乃万裕一

IPC: H01L21/301 ,  C09J201/00 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种扩展带(1)，其为在半导体装置的制造方法中使用的扩展带(1)，所述半导体装置的制造方法具备带扩展工序，该带扩展工序中，通过对扩展带(1)一边加热一边进行拉伸，从而将固定在扩展带(1)上的、被制成单片的半导体芯片(2)的间隔从100μm以下扩大至300μm以上，其中，所述扩展带在所述带扩展工序的加热温度下的拉伸应力为10MPa以下，并且室温下的拉伸应力比所述加热温度下的拉伸应力高5MPa以上。