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公开(公告)号:CN118830030A
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202380025876.9
申请日:2023-03-06
Applicant: 株式会社力森诺科
Abstract: 一种导电粒子(P),其用于制造单分散率为90.0%以上的电路连接用黏合膜,所述导电粒子(P)具备导电性母粒子(31)及包覆该母粒子(31)的表面的子粒子(32),该子粒子(32)在乙酸乙酯中的平均粒径与在水中的平均粒径之比为1.20以下。
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公开(公告)号:CN118830029A
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202380025715.X
申请日:2023-03-06
Applicant: 株式会社力森诺科
Abstract: 一种导电粒子(P),其为电路连接用黏合膜用导电粒子(P),其具备导电性母粒子(31)及包覆该母粒子(31)的表面的子粒子(32),子粒子(32)在甲乙酮中的平均粒径与在水中的平均粒径之比大于1.15且1.30以下。
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公开(公告)号:CN118119677A
公开(公告)日:2024-05-31
申请号:CN202280068705.X
申请日:2022-08-09
Applicant: 株式会社力森诺科
IPC: C09J7/30 , C09J9/02 , C09J201/00 , H01R43/00 , H05K3/32
Abstract: 一种黏合剂片材(1A)的制造方法,所述黏合剂片材(1A)用于制造半导体装置,且具备剥离膜(2)及设置于剥离膜(2)上的黏合剂膜(3),所述黏合剂片材(1A)的制造方法包括:准备工序,准备具备包含剥离膜(2)及设置于剥离膜(2)上的黏合剂膜层(5)的层叠体(6)和贴附于层叠体(6)的剥离膜(2)侧的背衬材料(7)的附有背衬材料的层叠体(8),层叠体切割工序,沿任意的切除形状而在层叠体(6)切入切口(c1);及背衬材料剥离工序,从层叠体(6)剥离背衬材料(7),在背衬材料剥离工序中,层叠体(6)中的被切口(c1)围绕的区域存在的部分(6A)附着于背衬材料(7)而被去除。
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公开(公告)号:CN118872005A
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202380025450.3
申请日:2023-03-06
Applicant: 株式会社力森诺科
Abstract: 一种导电粒子(P),其用于制造单分散率为90.0%以上的电路连接用黏合膜,该导电粒子(P)具备导电性母粒子(31)及包覆该母粒子(31)的表面的子粒子(32),当将通过SEM以30000倍的倍率观察而求出的子粒子(32)的粒子半径及粒子直径分别设为rX及dX、将该粒子直径dX的平均值即子粒子(32)的平均粒径设为dY时,由下述式(1)求出的子粒子(32)的不规则度为2.0以下。式(1)中,rY表示直径等于dY的虚拟球的半径,D表示所述子粒子的粒子半径rX与所述虚拟球的半径rY的绝对差的平均值。不规则度=D/rY×100(1)。
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公开(公告)号:CN118843910A
公开(公告)日:2024-10-25
申请号:CN202380025665.5
申请日:2023-03-06
Applicant: 株式会社力森诺科
Abstract: 一种导电粒子(P),其是电路连接用黏合膜用导电粒子(P),所述导电粒子(P)具备导电性母粒子(31)及包覆该母粒子(31)的表面的子粒子(32),当将通过SEM以30000倍的倍率观察而求出的子粒子(32)的粒子半径及粒子直径分别设为rX及dX、将该粒子直径dX的平均值即子粒子(32)的平均粒径设为dY时,由下述式(1)求出的子粒子(32)的不规则度大于2.0。式(1)中,rY表示直径等于dY的虚拟球的半径,D表示子粒子32的粒子半径rX与所述虚拟球的半径rY的绝对差的平均值。不规则度=D/rY×100(1)。
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