公开(公告)号：CN111295741B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN201880070553.0

申请日：2018-11-08

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 中子伟夫 ,  江尻芳则 ,  石川大 ,  须镰千绘 ,  川名祐贵 ,  根岸征央 ,  谷中勇一

IPC: H01L21/60 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H05K1/09 ,  H05K3/32

Abstract: 本发明提供一种接合体的制造方法，其具备以下工序：第一工序，其中准备具备第一构件、第二构件和接合材料的层叠体，所述第一构件在表面设有金属柱状物，所述第二构件在表面设有电极垫，且按照金属柱状物与电极垫相互间相向的方式配置，所述接合材料设置在金属柱状物与电极垫之间，且含有金属粒子及有机化合物；第二工序，其中加热层叠体，在规定的烧结温度下使接合材料烧结，其中，接合材料满足下述式(I)的条件，(M1‑M2)/M1×100≥1.0 (I)式(I)中，M1表示在第二工序中、接合材料的温度到达烧结温度时的接合材料的质量，M2表示接合材料中的不挥发成分量。

公开(公告)号：CN113166945B

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN201880099778.9

申请日：2018-11-29

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 川名祐贵 ,  中子伟夫 ,  根岸征央 ,  须镰千绘 ,  江尻芳则 ,  谷中勇一

IPC: C23C20/04 ,  H01L21/52

Abstract: 本发明涉及一种接合体及半导体装置的制造方法以及接合用铜糊。本发明的一形态提供一种接合体的制造方法，包括：准备依次层叠有第一构件、接合用铜糊及第二构件的层叠体的步骤；以及将接合用铜糊在受到0.1MPa～1MPa的压力的状态下予以烧结的步骤，其中，接合用铜糊含有金属粒子及分散介质，金属粒子的含量以接合用铜糊的总质量为基准，为50质量％以上，金属粒子含有以所述金属粒子的总质量为基准，为95质量％以上的次微米铜粒子。

公开(公告)号：CN119588925A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411827311.5

申请日：2020-09-18

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 谷中勇一 ,  中子伟夫 ,  川名祐贵 ,  根岸征央 ,  须镰千绘 ,  江尻芳则

IPC: B22F1/00 ,  B22F7/08 ,  H01B1/22 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本申请涉及烧结铜柱形成用铜膏及接合体的制造方法。一种烧结铜柱形成用铜膏，其用于形成将部件彼此接合的烧结铜柱，所述铜膏含有金属粒子及有机分散介质，金属粒子包含铜粒子，以有机分散介质的总质量为基准，有机分散介质包含50～99质量％的沸点为280℃以上的高沸点溶剂。