公开(公告)号：CN113166945B

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN201880099778.9

申请日：2018-11-29

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 川名祐贵 ,  中子伟夫 ,  根岸征央 ,  须镰千绘 ,  江尻芳则 ,  谷中勇一

IPC: C23C20/04 ,  H01L21/52

Abstract: 本发明涉及一种接合体及半导体装置的制造方法以及接合用铜糊。本发明的一形态提供一种接合体的制造方法，包括：准备依次层叠有第一构件、接合用铜糊及第二构件的层叠体的步骤；以及将接合用铜糊在受到0.1MPa～1MPa的压力的状态下予以烧结的步骤，其中，接合用铜糊含有金属粒子及分散介质，金属粒子的含量以接合用铜糊的总质量为基准，为50质量％以上，金属粒子含有以所述金属粒子的总质量为基准，为95质量％以上的次微米铜粒子。

公开(公告)号：CN119588925A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411827311.5

申请日：2020-09-18

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 谷中勇一 ,  中子伟夫 ,  川名祐贵 ,  根岸征央 ,  须镰千绘 ,  江尻芳则

IPC: B22F1/00 ,  B22F7/08 ,  H01B1/22 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本申请涉及烧结铜柱形成用铜膏及接合体的制造方法。一种烧结铜柱形成用铜膏，其用于形成将部件彼此接合的烧结铜柱，所述铜膏含有金属粒子及有机分散介质，金属粒子包含铜粒子，以有机分散介质的总质量为基准，有机分散介质包含50～99质量％的沸点为280℃以上的高沸点溶剂。

公开(公告)号：CN111283206B

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202010141856.6

申请日：2016-09-07

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 川名祐贵 ,  蔵渊和彦 ,  江尻芳则 ,  中子伟夫 ,  须镰千绘 ,  石川大

IPC: B22F7/08 ,  B22F1/052 ,  B22F1/068 ,  B22F1/10 ,  H01L23/488 ,  H01L23/495 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明的接合用铜糊料含有金属粒子和分散介质，金属粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和体积平均粒径为2μm以上且50μm以下的微米铜粒子，亚微米铜粒子的含量及微米铜粒子的含量之和以金属粒子的总质量为基准计为80质量％以上，亚微米铜粒子的含量以亚微米铜粒子的质量及微米铜粒子的质量之和为基准计为30质量％以上且90质量％以下。

公开(公告)号：CN111360270B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202010311153.3

申请日：2016-09-07

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 中子伟夫 ,  蔵渊和彦 ,  江尻芳则 ,  石川大 ,  须镰千绘 ,  川名祐贵

IPC: B22F7/08 ,  B22F1/068 ,  H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及接合体及半导体装置，本发明的接合体具备第一构件、第二构件、以及将第一构件与第二构件接合的烧结金属层，烧结金属层含有相对于第一构件或第二构件与烧结金属层的界面大致平行地取向的最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比为4以上的薄片状铜粒子来源的结构，烧结金属层中的铜的含量以烧结金属层的体积为基准计为65体积％以上。

公开(公告)号：CN111247629B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN201880068321.1

申请日：2018-10-23

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 根岸征央 ,  中子伟夫 ,  川名祐贵 ,  石川大 ,  须镰千绘 ,  江尻芳则

IPC: H01L21/52 ,  B22F7/04 ,  B22F7/08

Abstract: 该部件连接方法包括：以规定的印刷图案(9)在各部件(2)、(3)的连接区域(5)形成连接用的铜糊剂的涂膜(8)的印刷工序；经由涂膜(8)层叠各部件(2)、(3)的层叠工序；以及烧结涂膜(8)而形成铜烧结体(4)，并利用该铜烧结体(4)连接各部件(2)、(3)的烧结工序，在印刷工序中，在印刷图案(9)上形成形成涂膜(8)的涂膜形成区域(10)和未形成涂膜(8)的涂膜非形成区域(20)，涂膜形成区域(10)被以连结在连接区域(5)的边缘部(6)相互分离的各点(A)～(D)的方式设置的多个线状区域(21a)～(21c)分割成多个同心状的区域(12a)～(12c)以及多个放射状的区域(13a)、(13b)。

公开(公告)号：CN111295741B

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN201880070553.0

申请日：2018-11-08

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 中子伟夫 ,  江尻芳则 ,  石川大 ,  须镰千绘 ,  川名祐贵 ,  根岸征央 ,  谷中勇一

IPC: H01L21/60 ,  H01B1/00 ,  H01B1/22 ,  H05K1/09 ,  H05K3/32

Abstract: 本发明提供一种接合体的制造方法，其具备以下工序：第一工序，其中准备具备第一构件、第二构件和接合材料的层叠体，所述第一构件在表面设有金属柱状物，所述第二构件在表面设有电极垫，且按照金属柱状物与电极垫相互间相向的方式配置，所述接合材料设置在金属柱状物与电极垫之间，且含有金属粒子及有机化合物；第二工序，其中加热层叠体，在规定的烧结温度下使接合材料烧结，其中，接合材料满足下述式(I)的条件，(M1‑M2)/M1×100≥1.0 (I)式(I)中，M1表示在第二工序中、接合材料的温度到达烧结温度时的接合材料的质量，M2表示接合材料中的不挥发成分量。

公开(公告)号：CN111230125B

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202010103624.1

申请日：2016-09-07

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 石川大 ,  川名祐贵 ,  须镰千绘 ,  中子伟夫 ,  江尻芳则 ,  蔵渊和彦

IPC: B22F7/06 ,  B22F1/05 ,  B22F1/068 ,  H01L21/52 ,  H01B1/22

Abstract: 本发明提供接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法。本发明的接合用铜糊料含有金属粒子和分散介质，金属粒子含有体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比为4以上的薄片状微米铜粒子，且金属粒子所含的最大径为1μm以上且20μm以下、长宽比小于2的微米铜粒子的含量以薄片状微米铜粒子总量为基准计为50质量％以下。