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公开(公告)号：CN110625540B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201910837433.5
申请日：2015-04-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: B25B11/00 , B29C53/18 , H01L21/687
Abstract: 将薄膜状部件通过真空吸引支撑为平面形状。多个提升销以平面构造配置且支承置于它们上端上方的薄膜状部件。用于通过真空吸引保持薄膜状部件的由橡胶制成的管状吸盘附接于提升销的上部。提升销的高度可以利用螺纹紧固机构来而调整。通过来自吸盘的吸引，薄膜状部件的变形可被校正为平面状或凹入弯曲状。在不能只通过吸引来校正时，可通过从喷嘴喷射空气来对校正进行补充。
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公开(公告)号：CN110625540A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910837433.5
申请日：2015-04-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: B25B11/00 , B29C53/18 , H01L21/687
Abstract: 将薄膜状部件通过真空吸引支撑为平面形状。多个提升销以平面构造配置且支承置于它们上端上方的薄膜状部件。用于通过真空吸引保持薄膜状部件的由橡胶制成的管状吸盘附接于提升销的上部。提升销的高度可以利用螺纹紧固机构来而调整。通过来自吸盘的吸引，薄膜状部件的变形可被校正为平面状或凹入弯曲状。在不能只通过吸引来校正时，可通过从喷嘴喷射空气来对校正进行补充。
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公开(公告)号：CN110520962A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201880017781.1
申请日：2018-03-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 提供一种包括剥离工序的成品率高的半导体装置的制造方法。本发明的一个方式是一种剥离方法，包括：在衬底上形成第一材料层和第二材料层的叠层的工序；以及使第一材料层与第二材料层分离的工序。第二材料层隔着第一材料层形成在衬底上。第一材料层包括与第二材料层接触的第一化合物层以及位于比第一化合物层更靠近衬底一侧的位置的第二化合物层。第一化合物层是在第一材料层所包括的层中氧含量最多的层。第二化合物层是在第一材料层所包括的层中氮含量最多的层。第二材料层包含树脂。在分离工序中，通过向第一材料层与第二材料层的界面或界面附近照射光，使第一材料层与第二材料层分离。
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公开(公告)号：CN107799668A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710769657.8
申请日：2017-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/56
CPC classification number: H01L21/02694 , G02F2201/44 , H01L21/02488 , H01L21/67132 , H01L21/7806 , H01L27/1225 , H01L27/1266 , H01L29/66969 , H01L51/56 , H01L51/003
Abstract: 本发明的目的是提高半导体装置的制造工序的成品率。另外，本发明的一个方式的目的是提高半导体装置的生产率。在衬底上形成第一材料层，在第一材料层上形成第二材料层，使第一材料层与第二材料层分离，由此制造半导体装置。另外，在进行分离之前，优选对层叠的第一材料层与第二材料层进行加热。第一材料层包含含有氢和氧中的一个或两个的气体(例如，水)。第一材料层例如包含金属氧化物。第二材料层包含树脂。通过切断氢键来使第一材料层与第二材料层分离。另外，通过进行加热，第一材料层与第二材料层的界面或界面附近析出水。第一材料层与第二材料层间的密接性因存在于其界面或其界面附近的水而降低而使第一材料层与第二材料层彼此分离。
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公开(公告)号：CN106415814B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201580022639.2
申请日：2015-04-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/683
Abstract: 将薄膜状部件通过真空吸引支撑为平面形状。多个提升销以平面构造配置且支承置于它们上端上方的薄膜状部件。用于通过真空吸引保持薄膜状部件的由橡胶制成的管状吸盘附接于提升销的上部。提升销的高度可以利用螺纹紧固机构来而调整。通过来自吸盘的吸引，薄膜状部件的变形可被校正为平面状或凹入弯曲状。在不能只通过吸引来校正时，可通过从喷嘴喷射空气来对校正进行补充。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104103677B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201410140919.0
申请日：2014-04-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是提供一种降低起因于裂缝的不良情况的柔性器件。或者，提供一种量产性优良的柔性器件。本发明的一个方式是一种半导体装置，具有：显示部，在具有挠性的衬底的一个表面上，具有晶体管及显示元件；半导体层，以围绕显示部的周围的方式配置；以及绝缘层，在晶体管及半导体层上。另外，当从垂直于该表面的方向看时，衬底的端部与半导体层的端部大致一致，并且绝缘层的端部位于半导体层上。
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公开(公告)号：CN107731716A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710952085.7
申请日：2014-08-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: B32B43/006 , B26D1/04 , B26D2001/006 , B32B38/10 , B32B2457/00 , G02B6/00 , H01L21/67092 , H01L27/1248 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L51/56 , H01L2221/68327 , H01L2227/323 , H01L2251/5338 , Y10T156/1126 , Y10T156/1132 , Y10T156/1168 , Y10T156/1184 , Y10T156/1933 , Y10T156/1944 , Y10T156/1961 , Y10T156/1967
Abstract: 提供一种叠层体的加工装置。该层叠体的加工装置包括：固定包括一对衬底的叠层体的固定机构；固定所述一对衬底中的一个的多个吸附器具；以及插在所述一对衬底的间隙的楔形器具，其中，所述多个吸附器具的每一个包括沿垂直方向及水平方向独立地移动的机构。
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公开(公告)号：CN107452899A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710329228.9
申请日：2017-05-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供一种成本低且产量高的剥离方法。该剥离方法包括如下步骤：在形成用衬底上使用具有感光性的材料形成第一层；通过利用光刻法在第一层中形成第一区域及其厚度薄于第一区域的第二区域，形成包括第一区域及第二区域的树脂层；在树脂层的第一区域上形成在沟道形成区域中包含氧化物半导体的晶体管；在树脂层的第二区域上形成导电层；对树脂层照射激光，将晶体管与形成用衬底分离。
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公开(公告)号：CN107799668B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201710769657.8
申请日：2017-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/56
Abstract: 本发明的目的是提高半导体装置的制造工序的成品率。另外，本发明的一个方式的目的是提高半导体装置的生产率。在衬底上形成第一材料层，在第一材料层上形成第二材料层，使第一材料层与第二材料层分离，由此制造半导体装置。另外，在进行分离之前，优选对层叠的第一材料层与第二材料层进行加热。第一材料层包含含有氢和氧中的一个或两个的气体(例如，水)。第一材料层例如包含金属氧化物。第二材料层包含树脂。通过切断氢键来使第一材料层与第二材料层分离。另外，通过进行加热，第一材料层与第二材料层的界面或界面附近析出水。第一材料层与第二材料层间的密接性因存在于其界面或其界面附近的水而降低而使第一材料层与第二材料层彼此分离。
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公开(公告)号：CN107452899A8
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710329228.9
申请日：2017-05-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供一种成本低且产量高的剥离方法。该剥离方法包括如下步骤：在形成用衬底上使用具有感光性的材料形成第一层；通过利用光刻法在第一层中形成第一区域及其厚度薄于第一区域的第二区域，形成包括第一区域及第二区域的树脂层；在树脂层的第一区域上形成在沟道形成区域中包含氧化物半导体的晶体管；在树脂层的第二区域上形成导电层；对树脂层照射激光，将晶体管与形成用衬底分离。
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