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公开(公告)号：CN111344917B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201880073493.8
申请日：2018-09-14
Applicant: 株式会社堀场制作所
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器，包括核心层和一对覆盖层，所述核心层具有活性层以及与该活性层光学结合的衍射光栅层，所述一对覆盖层以夹着该核心层的方式配置，在所述半导体激光器中沿着所述核心层形成有导波通道，所述半导体激光器包括：平坦层，沿着导波通道与所述衍射光栅层连续设置；以及温度调节结构，用于将所述平坦层的温度调节为与所述衍射光栅层不同的温度。
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公开(公告)号：CN116547521A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202180081506.8
申请日：2021-12-02
Applicant: 株式会社堀场制作所
IPC: G01N21/3504
Abstract: 一种半导体激光元件、半导体激光装置及其制造方法和气体分析装置。分布反馈式的半导体激光元件(3)在波导路(3L)上形成有衍射光栅(3M)，稳定地输出单模的光且增大光的强度。波导路(3L)包括：衍射光栅部(301)，形成有衍射光栅(3M)；以及平坦部(302)，具有未形成有衍射光栅(301)且宽度比衍射光栅部(301)宽的区域。平坦部(302)具有连接部(303)，连接部(303)具有随着朝向与衍射光栅部(301)的连接部位而宽度连续变化的区域，在平坦部(302)的与连接部(303)相反侧的端面设置有高反射膜(HR)，在衍射光栅部(301)的与连接部(303)相反侧的端面设置有低反射膜(AR)。
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公开(公告)号：CN111344917A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201880073493.8
申请日：2018-09-14
Applicant: 株式会社堀场制作所
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器，包括核心层和一对覆盖层，所述核心层具有活性层以及与该活性层光学结合的衍射光栅层，所述一对覆盖层以夹着该核心层的方式配置，在所述半导体激光器中沿着所述核心层形成有导波通道，所述半导体激光器包括：平坦层，沿着导波通道与所述衍射光栅层连续设置；以及温度调节结构，用于将所述平坦层的温度调节为与所述衍射光栅层不同的温度。
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