公开(公告)号：CN111344917B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201880073493.8

申请日：2018-09-14

Applicant: 株式会社堀场制作所

Inventor： 寺门知二 ,  松滨诚 ,  涩谷享司

IPC: H01S5/062 ,  H01S5/12

Abstract: 本发明提供一种半导体激光器，包括核心层和一对覆盖层，所述核心层具有活性层以及与该活性层光学结合的衍射光栅层，所述一对覆盖层以夹着该核心层的方式配置，在所述半导体激光器中沿着所述核心层形成有导波通道，所述半导体激光器包括：平坦层，沿着导波通道与所述衍射光栅层连续设置；以及温度调节结构，用于将所述平坦层的温度调节为与所述衍射光栅层不同的温度。

公开(公告)号：CN101846643A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010139131.X

申请日：2010-03-19

Applicant: 株式会社堀场制作所

Inventor： 松滨诚 ,  世古朋子 ,  高田秀次 ,  水谷浩 ,  生田卓司 ,  远藤正彦 ,  井户琢也

IPC: G01N25/18 ,  G01N27/18

CPC classification number: G01N25/18 ,  G01N30/66

Abstract: 本发明的导热系数传感器实现了小型化，尽可能地抑制了周围温度的影响，减小了因封入参照气体等造成的制造误差，并且增大检测信号提高测量灵敏度。所述导热系数传感器(100)使用惠斯登电桥电路(WB)，所述惠斯登电桥电路(WB)包括：测量用电阻(R1、R2)，配置在一组对边上，与试样气体接触；以及比较用电阻(R3、R4)，配置在另一组对边上，与参照气体接触；通过对比较用电阻(R3、R4)和测量用电阻(R1、R2)的连接点的电位差进行比较，来检测试样气体的导热系数，其中，配置在一组对边上的测量用电阻(R1、R2)收容在一个测量空间(S1)内，配置在另一组对边上的比较用电阻(R3、R4)收容在一个参照空间(S2)内。

公开(公告)号：CN116547521A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180081506.8

申请日：2021-12-02

Applicant: 株式会社堀场制作所

Inventor： 松滨诚 ,  寺门知二 ,  粟根悠介

IPC: G01N21/3504

Abstract: 一种半导体激光元件、半导体激光装置及其制造方法和气体分析装置。分布反馈式的半导体激光元件(3)在波导路(3L)上形成有衍射光栅(3M)，稳定地输出单模的光且增大光的强度。波导路(3L)包括：衍射光栅部(301)，形成有衍射光栅(3M)；以及平坦部(302)，具有未形成有衍射光栅(301)且宽度比衍射光栅部(301)宽的区域。平坦部(302)具有连接部(303)，连接部(303)具有随着朝向与衍射光栅部(301)的连接部位而宽度连续变化的区域，在平坦部(302)的与连接部(303)相反侧的端面设置有高反射膜(HR)，在衍射光栅部(301)的与连接部(303)相反侧的端面设置有低反射膜(AR)。

公开(公告)号：CN111668695B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202010139281.4

申请日：2020-03-03

Applicant: 株式会社堀场制作所

Inventor： 松滨诚 ,  粟根悠介 ,  有本公彦 ,  伊关博臣 ,  桝田真太郎

IPC: H01S5/024 ,  G01J3/10 ,  G01J3/42 ,  G01N21/31 ,  G01N21/3504 ,  G01N21/3554

Abstract: 本发明提供半导体激光装置以及分析装置。一种半导体激光装置，用于光学分析，能够减小检测半导体激光元件的温度的温度检测元件的测定误差，高精度地进行半导体激光元件的温度控制，其中，具备：半导体激光元件(2)；温度检测元件(3)，检测半导体激光元件(2)的温度；输出端子(T1、T2)，将温度检测元件3的输出向外部输出；布线(L1、L2)，将温度检测元件(2)与输出端子(T1、T2)电连接；以及热容量增大部(7)，夹设在温度检测元件(3)与输出端子(T1、T2)之间，与布线(L1、L2)的至少一部分接触而增大布线(L1、L2)的热容量。

公开(公告)号：CN116918197A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202280018268.0

申请日：2022-02-21

Applicant: 株式会社堀场制作所

Inventor： 栗根悠介 ,  松滨诚 ,  塚谷康辅 ,  新名広大 ,  井户琢也

IPC: H01S5/022

Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置。抑制在半导体激光装置的封装件内的杂散光的产生，而且尽可能地抑制输出的激光的强度在每个半导体激光装置中的个体差。半导体激光装置用于光学分析，其包括：封装件，在内部收容半导体激光元件；以及光反射减少部件，设置在所述封装件的内部，抑制从所述半导体激光元件发出的光的反射，所述光反射减少部件粘合于所述封装件的内表面。

公开(公告)号：CN111668695A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010139281.4

申请日：2020-03-03

Applicant: 株式会社堀场制作所

Inventor： 松滨诚 ,  粟根悠介 ,  有本公彦 ,  伊关博臣 ,  桝田真太郎

IPC: H01S5/024 ,  G01J3/10 ,  G01J3/42 ,  G01N21/31 ,  G01N21/3504 ,  G01N21/3554

Abstract: 本发明提供半导体激光装置以及分析装置。一种半导体激光装置，用于光学分析，能够减小检测半导体激光元件的温度的温度检测元件的测定误差，高精度地进行半导体激光元件的温度控制，其中，具备：半导体激光元件(2)；温度检测元件(3)，检测半导体激光元件(2)的温度；输出端子(T1、T2)，将温度检测元件3的输出向外部输出；布线(L1、L2)，将温度检测元件(2)与输出端子(T1、T2)电连接；以及热容量增大部(7)，夹设在温度检测元件(3)与输出端子(T1、T2)之间，与布线(L1、L2)的至少一部分接触而增大布线(L1、L2)的热容量。

公开(公告)号：CN111344917A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201880073493.8

申请日：2018-09-14

Applicant: 株式会社堀场制作所

Inventor： 寺门知二 ,  松滨诚 ,  涩谷享司

IPC: H01S5/062 ,  H01S5/12

Abstract: 本发明提供一种半导体激光器，包括核心层和一对覆盖层，所述核心层具有活性层以及与该活性层光学结合的衍射光栅层，所述一对覆盖层以夹着该核心层的方式配置，在所述半导体激光器中沿着所述核心层形成有导波通道，所述半导体激光器包括：平坦层，沿着导波通道与所述衍射光栅层连续设置；以及温度调节结构，用于将所述平坦层的温度调节为与所述衍射光栅层不同的温度。