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公开(公告)号：CN116918197A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280018268.0
申请日：2022-02-21
Applicant: 株式会社堀场制作所
Inventor： 栗根悠介 , 松滨诚 , 塚谷康辅 , 新名広大 , 井户琢也
IPC: H01S5/022
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置。抑制在半导体激光装置的封装件内的杂散光的产生，而且尽可能地抑制输出的激光的强度在每个半导体激光装置中的个体差。半导体激光装置用于光学分析，其包括：封装件，在内部收容半导体激光元件；以及光反射减少部件，设置在所述封装件的内部，抑制从所述半导体激光元件发出的光的反射，所述光反射减少部件粘合于所述封装件的内表面。
