公开(公告)号：CN110211894A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201811524442.0

申请日：2018-12-13

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 古川雅志 ,  伊藤祯朗 ,  好井浩喜

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够缩短衬底相对于腔室的搬入搬出所需要的时间的热处理方法。本发明的热处理方法中，在半导体晶圆降温到可搬出温度(T3)的时刻(t7)之前的时刻(t6)，开始进行用来将半导体晶圆从处理腔室搬出的搬出准备动作。另外，在开始进行对于半导体晶圆的处理的时刻(t2)之后的时刻(t3)将闸阀关闭而将半导体晶圆搬入到处理腔室的动作完成。通过使用于半导体晶圆的处理的期间与用于半导体晶圆的搬入搬出的期间重叠，能够缩短半导体晶圆相对于处理腔室的搬入搬出所需要的时间。

公开(公告)号：CN111489983A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201911143546.1

申请日：2019-11-20

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 伊藤祯朗

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能在短时间内将腔室内构造物调温到稳定温度的热处理方法及热处理装置。在先行批组的处理结束后，开始加温处理。在加温处理中，通过来自卤素灯的光照射，将基座等腔室内构造物保温于固定的保温温度。当在执行加温处理的过程中接收到意为移出批组的信号时，移行到调节处理。在调节处理中，通过对保持在基座的虚设晶圆反复进行与对作为处理对象的批组中包含的半导体晶圆实施的光照射相同的光照射，将基座等腔室内构造物调温到稳定温度。通过在进行加温处理后执行调节处理，能在短时间内将腔室内构造物调温到稳定温度。

公开(公告)号：CN111489983B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN201911143546.1

申请日：2019-11-20

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 伊藤祯朗

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能在短时间内将腔室内构造物调温到稳定温度的热处理方法及热处理装置。在先行批组的处理结束后，开始加温处理。在加温处理中，通过来自卤素灯的光照射，将基座等腔室内构造物保温于固定的保温温度。当在执行加温处理的过程中接收到意为移出批组的信号时，移行到调节处理。在调节处理中，通过对保持在基座的虚设晶圆反复进行与对作为处理对象的批组中包含的半导体晶圆实施的光照射相同的光照射，将基座等腔室内构造物调温到稳定温度。通过在进行加温处理后执行调节处理，能在短时间内将腔室内构造物调温到稳定温度。

公开(公告)号：CN107818925A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710606084.7

申请日：2017-07-24

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 伊藤祯朗

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H05B3/0047 ,  G01J5/0007 ,  G01J5/041 ,  G01J5/0865 ,  G01J5/602 ,  G01J2005/0055 ,  G01J2005/604 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68707 ,  H05B1/0233 ,  H05B3/009

Abstract: 一种热处理装置，即使在吸收红外光的处理气体的环境中，也能够准确地测量基板温度。在对半导体晶片进行热处理的室内形成氨气环境，该氨气吸收与辐射温度计(120)的测量波长区域重叠的波长区域的红外光。通过在辐射温度计(120)的光学透镜系统(21)和检测器(23)之间设置滤光片(22)来排除氨气吸收红外光带来的影响，该滤光片(22)有选择地使不与氨气吸收的波长区域重叠的波长的红外光透过。此外，从表示向辐射温度计(120)入射的红外光的能量和黑体的温度之间的相关关系的多个变换表(26)中，选择与设置的滤光片(22)对应的变换表(26)供辐射温度计(120)使用。由此，不管是否处于氨气环境，都能准确地测量半导体晶片(W)的温度。

公开(公告)号：CN110211894B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN201811524442.0

申请日：2018-12-13

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 古川雅志 ,  伊藤祯朗 ,  好井浩喜

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够缩短衬底相对于腔室的搬入搬出所需要的时间的热处理方法。本发明的热处理方法中，在半导体晶圆降温到可搬出温度(T3)的时刻(t7)之前的时刻(t6)，开始进行用来将半导体晶圆从处理腔室搬出的搬出准备动作。另外，在开始进行对于半导体晶圆的处理的时刻(t2)之后的时刻(t3)将闸阀关闭而将半导体晶圆搬入到处理腔室的动作完成。通过使用于半导体晶圆的处理的期间与用于半导体晶圆的搬入搬出的期间重叠，能够缩短半导体晶圆相对于处理腔室的搬入搬出所需要的时间。

公开(公告)号：CN109755158B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN201811302249.2

申请日：2018-11-02

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 伊藤祯朗

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够准确测定基板的温度的热处理装置及热处理方法。经由上侧腔室窗(63)及下侧腔室窗(64)对腔室(6)内基座(74)所保持的半导体晶片(W)照射光从而加热半导体晶片(W)。基座(74)所保持的半导体晶片(W)的温度由辐射温度计(120)测定。温度修正部(31)基于由辐射温度计(130)测定的上侧腔室窗(63)的温度测定值、由辐射温度计(140)测定的下侧腔室窗(64)的温度测定值以及由辐射温度计(150)测定的基座(74)的温度测定值，修正由辐射温度计(120)进行的半导体晶片(W)的温度测定。由此，能够与基座(74)等腔室内构造物的温度无关地准确测定半导体晶片(W)的温度。

公开(公告)号：CN107818925B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201710606084.7

申请日：2017-07-24

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 伊藤祯朗

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种热处理装置，即使在吸收红外光的处理气体的环境中，也能够准确地测量基板温度。在对半导体晶片进行热处理的室内形成氨气环境，该氨气吸收与辐射温度计(120)的测量波长区域重叠的波长区域的红外光。通过在辐射温度计(120)的光学透镜系统(21)和检测器(23)之间设置滤光片(22)来排除氨气吸收红外光带来的影响，该滤光片(22)有选择地使不与氨气吸收的波长区域重叠的波长的红外光透过。此外，从表示向辐射温度计(120)入射的红外光的能量和黑体的温度之间的相关关系的多个变换表(26)中，选择与设置的滤光片(22)对应的变换表(26)供辐射温度计(120)使用。由此，不管是否处于氨气环境，都能准确地测量半导体晶片(W)的温度。

公开(公告)号：CN109755158A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811302249.2

申请日：2018-11-02

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 伊藤祯朗

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够准确测定基板的温度的热处理装置及热处理方法。经由上侧腔室窗(63)及下侧腔室窗(64)对腔室(6)内基座(74)所保持的半导体晶片(W)照射光从而加热半导体晶片(W)。基座(74)所保持的半导体晶片(W)的温度由辐射温度计(120)测定。温度修正部(31)基于由辐射温度计(130)测定的上侧腔室窗(63)的温度测定值、由辐射温度计(140)测定的下侧腔室窗(64)的温度测定值以及由辐射温度计(150)测定的基座(74)的温度测定值，修正由辐射温度计(120)进行的半导体晶片(W)的温度测定。由此，能够与基座(74)等腔室内构造物的温度无关地准确测定半导体晶片(W)的温度。