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    衬底处理装置
    1.
    发明公开
    衬底处理装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN114334716A

    公开(公告)日：2022-04-12

    申请号：CN202111172547.6

    申请日：2021-10-08

    Applicant: 株式会社斯库林集团

    Inventor： 高桥朋宏 ,  武知圭 ,  佐佐木光敏 ,  秋山刚志

    IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

    Abstract: 本发明的课题是，在将衬底(W)浸渍于处理槽(821)中贮存的处理液内，并且在处理液内向所述衬底(W)供给气泡而对其进行处理的衬底处理系统(1)中，缩小气泡(V)的尺寸，提高衬底的处理品质。本发明是一种衬底处理装置，包含：处理液喷出部(830)，形成处理液的液流(L)，该液流(L)从保持于衬底保持部(810)的衬底(W)的下方沿着衬底(W)流向上方；及气泡供给部(840)，配置在处理液喷出部(830)与衬底保持部(810)之间，向处理槽(821)中贮存的处理液内供给气泡(V)；且气泡供给部(840)具有：气体供给管(842)，向内部供给气体；及气泡喷出口(845)，设置于气体供给管(842)，向衬底的排列方向喷出气泡(V)。

    基板处理装置和基板处理方法
    2.
    发明授权
    基板处理装置和基板处理方法 有权

    公开(公告)号：CN108206149B

    公开(公告)日：2021-10-22

    申请号：CN201711240829.9

    申请日：2017-11-30

    Applicant: 株式会社斯库林集团

    Inventor： 安田周一 ,  岩尾通矩 ,  菊本宪幸 ,  佐佐木光敏

    IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  B01F3/04 ,  B01F5/04

    Abstract: 本发明提供抑制基板处理装置大型化，并且降低处理液中的去除对象气体的溶解浓度的技术。基板处理装置(100)具备多个基板处理部(20)和处理液系统(30)。基板处理部具备保持基板(W)的基板保持部(21)和向基板保持部保持的基板喷出处理液的喷出喷嘴(23)。处理液系统具备在内部贮存处理液的贮存槽(31)、与贮存槽连接并形成有使向喷出喷嘴供给的处理液通过的供给通路的供给配管部(320)、与贮存槽连接并形成有使通过了供给配管部的处理液返回贮存槽的返回通路(322P)的返回配管部(322)、向返回配管部的返回通路内供给与溶解于处理液中的氧气不同的氮气的气体供给部(60)。

    基板处理装置以及基板处理方法
    4.
    发明授权
    基板处理装置以及基板处理方法 有权

    公开(公告)号：CN110943006B

    公开(公告)日：2025-02-21

    申请号：CN201910770657.9

    申请日：2019-08-20

    Applicant: 株式会社斯库林集团

    Inventor： 高桥朋宏 ,  武知圭 ,  佐佐木光敏 ,  秋山刚志

    IPC: H01L21/67

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置(100)包括处理槽(110)、基板保持部(120)、流体供给部(130)及控制部(140)。处理槽(110)蓄存用于处理基板的处理液。基板保持部(120)在处理槽(110)的处理液内保持基板。流体供给部(130)向处理槽(110)供给流体。控制部(140)控制流体供给部(130)。控制部(140)在对蓄存有使基板(W)浸渍的处理液的处理槽(110)开始流体的供给，直至对蓄存有使基板(W)浸渍的处理液的处理槽(110)结束流体供给为止的期间，控制流体供给部(130)，以使流体供给部(130)变更流体的供给。本发明的基板处理装置以及基板处理方法能够抑制处理槽内的基板处理的偏颇。

    基板处理装置及基板处理方法
    6.
    发明公开
    基板处理装置及基板处理方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN117747490A

    公开(公告)日：2024-03-22

    申请号：CN202311204841.X

    申请日：2023-09-18

    Applicant: 株式会社斯库林集团

    Inventor： 佐佐木光敏 ,  伊豆田崇 ,  山本学

    IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  B08B3/10 ,  B08B3/04

    Abstract: 本发明提供基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置(100)具备处理槽(110)、基板保持部(120)、气泡供给部(135)和多个处理液供给部(An)。基板保持部(120)将基板(W)浸渍在贮存于处理槽(110)的处理液(LQ)中。气泡供给部(135)从基板(W)的下方对处理液(LQ)供给多个气泡(BB)。处理槽(110)包括第一侧壁(116)和第二侧壁(117)。多个处理液供给部(An)包括至少1个第一处理液供给部(An)和至少1个第二处理液供给部(An)。至少1个第一处理液供给部(An)配置在第一侧壁(116)侧，向气泡(BB)供给处理液(LQ)。至少1个第二处理液供给部(An)配置在第二侧壁(117)侧，向气泡(BB)供给处理液(LQ)。

    衬底处理方法及衬底处理装置
    8.
    发明公开
    衬底处理方法及衬底处理装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN115360118A

    公开(公告)日：2022-11-18

    申请号：CN202210543393.5

    申请日：2022-05-17

    Applicant: 株式会社斯库林集团

    Inventor： 秋山刚志 ,  高桥朋宏 ,  佐佐木光敏

    IPC: H01L21/67 ,  H01L21/311

    Abstract: 本发明提供一种衬底处理方法及衬底处理装置。衬底处理方法是在处理槽(3)中，以含有磷酸的蚀刻液(E)蚀刻具有交替积层的硅氧化膜(Ma)与硅氮化膜(Mb)的衬底(W)的方法。衬底处理方法包含：将衬底(W)浸渍在蚀刻液(E)中的步骤(S1)；及在衬底(W)的蚀刻中，对处理槽(3)内的蚀刻液(E)补充磷酸，使蚀刻液(E)的硅浓度变化的步骤(S2)。

    基板处理装置以及基板处理方法
    9.
    发明公开
    基板处理装置以及基板处理方法 有权

    公开(公告)号：CN110943006A

    公开(公告)日：2020-03-31

    申请号：CN201910770657.9

    申请日：2019-08-20

    Applicant: 株式会社斯库林集团

    Inventor： 高桥朋宏 ,  武知圭 ,  佐佐木光敏 ,  秋山刚志

    IPC: H01L21/67

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置(100)包括处理槽(110)、基板保持部(120)、流体供给部(130)及控制部(140)。处理槽(110)蓄存用于处理基板的处理液。基板保持部(120)在处理槽(110)的处理液内保持基板。流体供给部(130)向处理槽(110)供给流体。控制部(140)控制流体供给部(130)。控制部(140)在对蓄存有使基板(W)浸渍的处理液的处理槽(110)开始流体的供给，直至对蓄存有使基板(W)浸渍的处理液的处理槽(110)结束流体供给为止的期间，控制流体供给部(130)，以使流体供给部(130)变更流体的供给。本发明的基板处理装置以及基板处理方法能够抑制处理槽内的基板处理的偏颇。

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