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公开(公告)号：CN110226216B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201880008897.9
申请日：2018-01-24
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , G03F1/82 , H01L21/306
Abstract: 基板处理装置包含基板保持单元、基板旋转单元、各周端高度位置计测单元、处理液喷嘴、处理液供给单元、喷嘴驱动单元和控制装置。所述控制装置执行：各周端高度位置计测步骤，通过所述各周端高度位置计测单元计测所述各周端高度位置；外周部处理步骤，一边使基板绕着所述旋转轴线旋转一边从所述处理液喷嘴朝所述基板的外周部喷出处理液，由此处理该主面的外周部；以及着落位置往复移动步骤，与所述外周部处理步骤并行，并以所述基板的外周部上的来自所述处理液喷嘴的处理液的着落位置会追随配置位置周端的高度位置变化而往复移动的方式驱动所述处理液喷嘴，使得所述着落位置与配置位置周端之间的间隔会保持恒定，所述配置位置周端是所述基板的周端中的配置有所述处理液喷嘴的周向位置的周端。
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公开(公告)号：CN110226217A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201880008898.3
申请日：2018-01-30
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , G03F1/82 , H01L21/306
Abstract: 基板处理方法包含：基板旋转步骤，使周端的至少一部分呈圆弧状的基板以规定处理旋转速度绕着通过所述基板的中央部的旋转轴线旋转；处理液喷出步骤，与所述基板旋转步骤并行，从所述处理液喷嘴朝所述基板的外周部喷出处理液；以及位置调整步骤，与所述基板旋转步骤以及所述处理液喷出步骤并行，将着落至所述着落位置的处理液的着落位置以及/或者内周端的位置调整至与所述处理旋转速度对应的位置。
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公开(公告)号：CN107799439A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710756122.7
申请日：2017-08-29
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02052 , B08B3/08 , B08B7/0071 , H01L21/02057 , H01L21/67 , H01L21/67051 , H01L21/68764 , H01L21/67017 , H01L21/67028
Abstract: 一种基板处理方法，包括：将基板保持为水平的基板保持工序；将比水的表面张力更低的低表面张力液体供给至被保持为水平的基板的上表面，形成低表面张力液体的液膜的液膜形成工序；在液膜的中央区域形成开口的开口形成工序；通过将开口扩大而将液膜从被保持为水平的基板的上表面排除的液膜排除工序；向设定在开口的外侧的第一着液点，供给比水的表面张力更低的低表面张力液体的低表面张力液体供给工序；向设定在开口的外侧且比第一着液点更远离开口的第二着液点，供给使被保持为水平的基板的上表面疎水化的疏水化剂的疏水化剂供给工序；以及使第一着液点和第二着液点追随开口的扩大而移动的着液点移动的工序。
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公开(公告)号：CN110071055B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201811531441.9
申请日：2018-12-14
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法。基板处理方法对基板(W)进行处理。基板处理方法包含：利用磷酸液(Lp)对基板(W)进行处理的步骤、利用淋洗液(Lr)对基板(W)进行处理的步骤及利用含有氨的药液(Lc)对基板(W)进行处理的步骤。在利用淋洗液(Lr)对基板(W)进行处理后，利用药液(Lc)对基板(W)进行处理的步骤从利用磷酸液(Lp)对基板(W)进行了处理时形成在基板(W)上的磷扩散区域(PD)中去除磷扩散区域(PD)的深度方向上的一部分的厚度的膜。
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公开(公告)号：CN109075051A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780023526.3
申请日：2017-04-06
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供基板处理装置以及基板处理方法，其目的在于，不仅使基板的周缘部的处理宽度变细，而且还提高处理宽度的均匀性。为了达成该目的，本发明的基板处理装置具有：保持构件，设置成从下方将基板保持为大致水平，能够使基板以规定的旋转轴为中心进行旋转；旋转机构，能够使保持构件以旋转轴为中心进行旋转；其他构件，与保持于保持构件的基板的端面隔开间隔地沿基板的径向配置于基板的外侧；以及喷嘴，以能够落在至少一部分被包括于其他构件的上表面的喷出目标区域的方式从喷出目标区域的上方喷出处理液。其他构件与基板的端面之间的间隔设定为：落在喷出目标区域的处理液流过其他构件的上表面而从该上表面的旋转轴侧的内侧端排出，并从上方落在基板的上表面周缘部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107799389A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710770930.9
申请日：2017-08-31
Applicant: 株式会社斯库林集团
CPC classification number: H01L21/02087 , B08B3/08 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/02068 , H01L21/02101 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/67253
Abstract: 一种基板处理方法，其包括：将基板水平保持的基板保持工序；在前述被保持为水平的基板的上表面相向配置相向部件的相向配置工序；由前述被保持为水平的基板、前述相向部件、以及在俯视下包围前述被保持为水平的基板及前述相向部件的挡板形成与外部的环境气体往来被限制的空间的空间形成工序；向前述空间供给非活性气体的非活性气体供给工序；通过一边维持前述空间一边使前述相向部件相对于前述被保持为水平的基板升降从而对前述基板的上表面与前述相向部件之间的间隔进行调整的间隔调整工序；在前述间隔调整工序之后向前述被保持为水平的基板的上表面供给处理液的处理液供给工序。
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公开(公告)号：CN113491000B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202080017283.4
申请日：2020-01-24
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/306 , H10B43/27 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 基板处理方法包含：第一蚀刻工序，其一边使基板(W)旋转，一边将第一磷酸液(L1)供给至基板(W)而蚀刻多个叠层，前述基板(W)具有包含氮化硅层的多个叠层隔着间隙而相对的三维层叠结构；中断工序，其在残留有氮化硅层的状态下中断通过第一蚀刻工序所进行的多个叠层的蚀刻；及第二蚀刻工序，其使基板(W)浸渍于被贮存在处理槽(310)的第二磷酸液(L2)，而再次开始已被中断的多个叠层的蚀刻。
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公开(公告)号：CN109075051B
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN201780023526.3
申请日：2017-04-06
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供基板处理装置以及基板处理方法，其目的在于，不仅使基板的周缘部的处理宽度变细，而且还提高处理宽度的均匀性。为了达成该目的，本发明的基板处理装置具有：保持构件，设置成从下方将基板保持为大致水平，能够使基板以规定的旋转轴为中心进行旋转；旋转机构，能够使保持构件以旋转轴为中心进行旋转；其他构件，与保持于保持构件的基板的端面隔开间隔地沿基板的径向配置于基板的外侧；以及喷嘴，以能够落在至少一部分被包括于其他构件的上表面的喷出目标区域的方式从喷出目标区域的上方喷出处理液。其他构件与基板的端面之间的间隔设定为：落在喷出目标区域的处理液流过其他构件的上表面而从该上表面的旋转轴侧的内侧端排出，并从上方落在基板的上表面周缘部。
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公开(公告)号：CN107808832B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201710795158.6
申请日：2017-09-06
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种基板处理装置，其能够抑制处理液到达基板表面的器件图案区域的情况，并且能够适当地进行基板周缘部的处理。上杯体(11)具有包围半导体晶片(W)的形状。该上杯体(11)具有从半导体晶片(W)侧的端缘朝下方延伸的圆筒状的壁部(101)。该壁部(101)不设置于上杯体(11)中的半导体晶片(W)外周部的一部分区域，该区域形成开口部(100)。该区域是从处理液喷出嘴向半导体晶片(W)喷出处理液的位置附近的区域。而且，壁部(101)的下端部具有上部靠近半导体晶片(W)，且下部从半导体晶片(W)离开的倾斜面(102)。
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公开(公告)号：CN107799389B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201710770930.9
申请日：2017-08-31
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 一种基板处理方法，其包括：将基板水平保持的基板保持工序；在前述被保持为水平的基板的上表面相向配置相向部件的相向配置工序；由前述被保持为水平的基板、前述相向部件、以及在俯视下包围前述被保持为水平的基板及前述相向部件的挡板形成与外部的环境气体往来被限制的空间的空间形成工序；向前述空间供给非活性气体的非活性气体供给工序；通过一边维持前述空间一边使前述相向部件相对于前述被保持为水平的基板升降从而对前述基板的上表面与前述相向部件之间的间隔进行调整的间隔调整工序；在前述间隔调整工序之后向前述被保持为水平的基板的上表面供给处理液的处理液供给工序。
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