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公开(公告)号：CN117957640A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202280060626.4
申请日：2022-07-07
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/306 , C23F1/02 , H01L21/304
Abstract: 基板处理装置包含：基板保持构件，将基板保持为规定的处理姿势；聚合物膜形成构件，将含有光致产酸剂以及聚合物的聚合物膜形成于被所述基板保持构件保持的基板的第一主表面，光致产酸剂通过光的照射而生成酸；光射出构件，射出光，并对被所述基板保持构件保持的基板的第一主表面的周缘部照射光；以及反射抑制构件，包含第一部分，第一部分能够配置于邻接位置，邻接位置为从所述基板的第一主表面的中心部侧邻接于被所述基板保持构件保持的基板的第一主表面的周缘部中被来自所述光射出构件的光照射的照射区域的位置。
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公开(公告)号：CN116134587A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202180061485.3
申请日：2021-07-12
Applicant: 株式会社斯库林集团
Inventor： 田原香奈
IPC: H01L21/306
Abstract: 基板处理方法包括：蚀刻工序，在基板的表面形成含有具有蚀刻功能的第1聚合物及具有固体形成功能的第2聚合物的半固态的涂布膜，通过前述基板上的前述第1聚合物，对前述基板的表层部进行蚀刻；和蚀刻停止工序，通过固体形成处理，使前述涂布膜中的前述第2聚合物固化从而将前述涂布膜转化为固态化膜，由此使前述基板的表层部的蚀刻停止。
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公开(公告)号：CN112619272A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202010823739.8
申请日：2020-08-17
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，能够向处理单元供给颗粒含量少的净化地处理液。基板处理装置(1)包括：药液罐(30)；与药液罐连接的第一循环配管(31)；泵，向第一循环配管(31)送出药液罐内的药液；第二循环配管(32)，与第一循环配管(31)分支连接；过滤器(39)，安装于第一循环配管(31)中的比第二循环配管(32)的连接位置(P2)更靠上游侧的上游侧部分(33)；以及压力调整单元，调整流经上游侧部分(33)的药液的压力。压力调整单元包括调整第二循环配管的开度的调节器(71)。调节器(71)使在基板处理装置的循环空闲状态下流经上游侧部分(33)的药液的压力与在基板处理装置的就绪状态下流经上游侧部分的药液的压力一致或接近。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115769342A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180047544.1
申请日：2021-06-01
Applicant: 株式会社斯库林集团
Inventor： 田原香奈
IPC: H01L21/027
Abstract: 衬底处理方法包括：第1处理液供给工序，将包含硫酸及过氧化氢水中的一者的第1处理液涂布于衬底的表面；第2处理液供给工序，将包含硫酸及过氧化氢水中的另一者且粘度比前述第1处理液低的第2处理液供给至涂布有前述第1处理液的前述衬底的表面；混合液处理工序，利用前述第1处理液及前述第2处理液在前述衬底的表面混合而生成的硫酸过氧化氢水混合液对前述衬底的表面进行处理；冲洗工序，在前述混合液处理工序之后，向前述衬底供给冲洗液，从而将前述硫酸过氧化氢水混合液从前述衬底的表面冲走。
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公开(公告)号：CN112619272B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202010823739.8
申请日：2020-08-17
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，能够向处理单元供给颗粒含量少的净化地处理液。基板处理装置(1)包括：药液罐(30)；与药液罐连接的第一循环配管(31)；泵，向第一循环配管(31)送出药液罐内的药液；第二循环配管(32)，与第一循环配管(31)分支连接；过滤器(39)，安装于第一循环配管(31)中的比第二循环配管(32)的连接位置(P2)更靠上游侧的上游侧部分(33)；以及压力调整单元，调整流经上游侧部分(33)的药液的压力。压力调整单元包括调整第二循环配管的开度的调节器(71)。调节器(71)使在基板处理装置的循环空闲状态下流经上游侧部分(33)的药液的压力与在基板处理装置的就绪状态下流经上游侧部分的药液的压力一致或接近。
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公开(公告)号：CN117941034A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280061611.X
申请日：2022-05-17
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
Abstract: 提供一种基板处理方法，用以处理具有第一主表面以及第一主表面的相反侧的第二主表面的基板。以使基板的第一主表面的周缘区域露出并覆盖内侧区域的方式形成聚合物膜，该内侧区域在第一主表面中比周缘区域靠内侧且与周缘区域邻接(聚合物膜形成工序)。在聚合物膜形成工序之后，以聚合物膜被维持在第一主表面上的方式对第一主表面供给第一清洗液(第一清洗液供给工序)。在第一清洗液供给工序之后，对第一主表面供给去除液，该去除液比第一清洗液容易使聚合物膜溶解(去除液供给工序)。
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公开(公告)号：CN116134586A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202180060520.X
申请日：2021-07-08
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种基板处理方法，包括：处理膜形成工序，对基板的表面供给处理液并使前述基板的表面上的处理液固化或者硬化，由此于前述基板的表面形成处理膜；蚀刻成分形成工序，对前述处理膜进行蚀刻成分形成处理，由此在前述处理膜中形成蚀刻成分；蚀刻工序，通过在前述蚀刻成分形成工序中形成的蚀刻成分来蚀刻前述基板的表层部；以及处理膜去除工序，对前述处理膜的表面供给剥离液，由此将前述处理膜从前述基板的表面剥离从而将前述处理膜从前述基板的表面去除。
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公开(公告)号：CN115868010A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202180047244.3
申请日：2021-06-29
Applicant: 株式会社斯库林集团
Inventor： 田原香奈
IPC: H01L21/304
Abstract: 衬底处理方法包括：处理膜形成工序，向衬底的表面供给处理液，使前述衬底的表面上的处理液固化或硬化，由此在前述衬底的表面形成处理膜；光照射工序，向前述处理膜照射光，使前述处理膜在前述衬底的表面上分裂；和处理膜除去工序，其在前述光照射工序后向前述衬底的表面供给处理膜除去液，利用前述处理膜除去液将前述分裂后的前述处理膜从前述衬底的表面除去。
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