基板处理方法及基板处理装置

    公开(公告)号:CN111223773B

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN201911145639.8

    申请日:2019-11-21

    Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置,所述基板处理方法是对具有形成有多个凹部的表面的基板进行处理。基板处理方法包括:处理对象层去除工序,通过向所述基板的表面供给蚀刻液而对所述处理对象层的至少一部分进行蚀刻并加以去除,所述蚀刻液的对以表面露出的方式形成于所述凹部内的处理对象层中的处理对象物质的晶粒的蚀刻速度与对所述处理对象层中的晶界的蚀刻速度相等。

    基板处理系统以及管道清洗方法

    公开(公告)号:CN109285800B

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN201811416745.0

    申请日:2015-02-26

    Abstract: 基板处理系统由清洗单元、多个处理液供给单元以及基板处理装置构成。清洗单元在对管道进行清洗时向处理液供给单元的处理单元供给第一清洗液。在将从清洗单元供给的第一清洗液贮存于处理液槽内后,处理液供给单元将处理液槽内的第一清洗液通过管道供给至基板处理装置的处理单元。清洗单元以与利用第一清洗液清洗管道并行的方式准备第二清洗液,并将准备的第二清洗液供给至处理液槽。

    基板清洗装置及基板清洗方法

    公开(公告)号:CN110121762A

    公开(公告)日:2019-08-13

    申请号:CN201780080558.7

    申请日:2017-12-22

    Abstract: 向基板(9)供给含有溶剂及溶质在内的处理液。通过使溶剂的至少一部分从处理液中挥发而使处理液固化或硬化,由此使处理液成为微粒保持层。向基板(9)上供给去除液并将微粒保持层从基板(9)去除。微粒保持层含有的溶质成分相对于去除液为不溶性或难溶性而溶剂为可溶性。微粒保持层含有的溶质成分具有在加热至改性温度以上的情况下改性而相对于去除液变为可溶性的性质。去除液在形成微粒保持层后不经过使溶质成分改性既被供给的工序。

    衬底处理装置及衬底处理方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119480686A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411039516.7

    申请日:2024-07-30

    Abstract: 本发明涉及一种衬底处理装置及衬底处理方法。本发明的衬底处理装置具备:至少1个剥离气体喷嘴,通过以第1速度向衬底的上表面喷出剥离气体,而以从衬底的上表面剥离的剥离部及与衬底的上表面密接的密接部包含在聚合物膜中的方式以剥离气体的压力破坏聚合物膜,然后,一边以小于第1速度的第2速度向衬底的上表面喷出剥离气体,一边利用进入到剥离部与衬底之间的剥离气体使密接部变化为剥离部;及喷嘴致动器,通过使至少1个剥离气体喷嘴水平移动,而使从剥离气体相对于衬底的上表面的碰撞位置到衬底的中心的距离变化。

    基板清洗方法、基板清洗规程作成方法以及基板清洗规程作成装置

    公开(公告)号:CN109661718B

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN201780053446.2

    申请日:2017-09-04

    Abstract: 提供一种基板清洗方法,清洗在表面具有氧化膜的基板。该方法包含:部分蚀刻步骤,将所述氧化膜蚀刻至预定的膜厚为止;以及物理清洗步骤,在所述部分蚀刻步骤之后,对所述基板的表面执行物理清洗。所述氧化膜亦可为颗粒至少部分被带入的自然氧化膜。在此情况下,所述部分蚀刻步骤亦可为使所述颗粒自所述自然氧化膜露出、或使自所述自然氧化膜露出的露出部分增加的步骤。此外,所述物理清洗亦可为一边使所述自然氧化膜残留于所述基板的表面一边通过物理的作用去除自所述自然氧化膜露出的颗粒的步骤。

    基板处理方法
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109661717B

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN201780053159.1

    申请日:2017-09-20

    Abstract: 本发明的基板处理方法对在表面形成有低介电常数覆膜的基板W进行处理。执行致密化工序,在该致密化工序中,通过使低介电常数覆膜的表层部致密化来转换成致密化层。然后,执行修复液供给工序,在该修复液供给工序中,在致密化层形成工序之后,向低介电常数覆膜的表面供给用于修复致密化层的修复液。

    基板清洗装置及基板清洗方法

    公开(公告)号:CN110121762B

    公开(公告)日:2023-06-16

    申请号:CN201780080558.7

    申请日:2017-12-22

    Abstract: 向基板(9)供给含有溶剂及溶质在内的处理液。通过使溶剂的至少一部分从处理液中挥发而使处理液固化或硬化,由此使处理液成为微粒保持层。向基板(9)上供给去除液并将微粒保持层从基板(9)去除。微粒保持层含有的溶质成分相对于去除液为不溶性或难溶性而溶剂为可溶性。微粒保持层含有的溶质成分具有在加热至改性温度以上的情况下改性而相对于去除液变为可溶性的性质。去除液在形成微粒保持层后不经过使溶质成分改性既被供给的工序。

    基板处理方法以及基板处理装置

    公开(公告)号:CN110214365B

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN201880008230.9

    申请日:2018-01-16

    Abstract: 一种基板处理方法,包含:基板保持步骤,将具有金属膜已露出的上表面的基板保持为水平;基板旋转步骤,使所述基板绕着沿铅垂方向的旋转轴线而旋转;液膜形成步骤,将除气后的处理液供给至所述基板的上表面,由此在所述基板上形成所述处理液的液膜;以及膜厚调整步骤,以所述液膜的厚度成为100μm以上的方式来调整所述液膜的厚度。

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