公开(公告)号：CN116325078A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180070859.8

申请日：2021-11-25

Applicant: 株式会社日立功率半导体

Inventor： 古川智康 ,  森塚翼

IPC: H01L21/265

Abstract: 本发明提供能够改善可使用大口径(8英寸以上)晶圆的IGBT及PIN二极管等立式半导体装置的场截止层(n缓冲层)的制造性的半导体装置以及使用该半导体装置的电力转换装置。本发明的半导体装置的制造方法的特征在于，具有：在形成第一导电型的漂移层(101)的主面侧的图案后，从第二主面侧照射离子至规定的深度的工序；在照射离子后，通过以300℃～450℃加热60秒以下的退火处理使离子供体化而形成场截止层(108)的工序；从第二主面侧将半导体基板的厚度降低至规定的值以便去除在照射离子的工序中产生的晶体缺陷的工序。

公开(公告)号：CN117813693A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202280051169.2

申请日：2022-11-11

Applicant: 株式会社日立功率半导体

Inventor： 白石正树 ,  川瀬大助 ,  织田哲男 ,  古川智康 ,  加藤丰 ,  森塚翼

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/868 ,  H01L29/861 ,  H01L29/739 ,  H01L29/41 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种与现有技术相比提高温湿度偏压耐性、并且还实现场限层与场板的良好连接的半导体器件和使用它的功率转换装置。本发明的半导体器件包括设置在终端区的浮空场限层(102)和与场限层(102)电连接的场板(105)，其特征在于：场板(105)由多晶硅形成，场板(105)与场限层(102)经由Al电极(108)连接，场限层(102)与Al电极(108)的连接和场板(105)与Al电极(108)的连接是通过不同的接触件(109、110)实现的。