公开(公告)号：CN117813693A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202280051169.2

申请日：2022-11-11

Applicant: 株式会社日立功率半导体

Inventor： 白石正树 ,  川瀬大助 ,  织田哲男 ,  古川智康 ,  加藤丰 ,  森塚翼

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/868 ,  H01L29/861 ,  H01L29/739 ,  H01L29/41 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种与现有技术相比提高温湿度偏压耐性、并且还实现场限层与场板的良好连接的半导体器件和使用它的功率转换装置。本发明的半导体器件包括设置在终端区的浮空场限层(102)和与场限层(102)电连接的场板(105)，其特征在于：场板(105)由多晶硅形成，场板(105)与场限层(102)经由Al电极(108)连接，场限层(102)与Al电极(108)的连接和场板(105)与Al电极(108)的连接是通过不同的接触件(109、110)实现的。

公开(公告)号：CN114664941A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111583602.0

申请日：2021-12-22

Applicant: 株式会社日立功率半导体

Inventor： 德光成太 ,  白石正树 ,  加藤丰 ,  织田哲男

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/40 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明提供一种可靠性高的半导体装置，其通过比较简单的方法提高芯片的终端构造(终端区域)的高温高湿偏压，并且可抑制对设备特性的影响。具备配置于半导体基板的主面的有源区域和以包围所述有源区域的方式配置于所述主面的终端区域，所述终端区域具有形成于所述半导体基板的主面上的层间绝缘膜和以覆盖所述层间绝缘膜的方式形成的有机系保护膜，在所述层间绝缘膜与所述有机系保护膜之间设有膜厚为100nm以下的含有氮的绝缘膜。