公开(公告)号：CN109727932B

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN201811253311.3

申请日：2018-10-25

Applicant: 株式会社日立功率半导体

Inventor： 川村大地 ,  增田彻 ,  楠川顺平 ,  樱井直树

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498

Abstract: 提供功率半导体模块，在绝缘基板下产生空隙时抑制电晕放电、提高绝缘性。以硬钎焊料(8‑2)的端部(8‑2e)与绝缘基板(2)侧面的下方延长线之间距离为a，以助焊剂(11)的软钎焊料(9‑2)侧的端部(11e)与绝缘基板(2)侧面的下方延长线之间距离为b，则a小于b。软钎焊料(9‑2)的端部位置被助焊剂(11)限制，硬钎焊料(8‑2)的绝缘基板(2)的侧面一侧端部(8‑2e)的位置，相比于软钎焊料(9‑2)的绝缘基板(2)侧面一侧的端部位置，更接近绝缘基板(2)侧面一侧。即使硬钎焊料(8‑2)与软钎焊料(9‑2)之间产生空隙，因硬钎焊料(8‑2)及软钎焊料(9‑2)同为接地电势而抑制电晕放电。

公开(公告)号：CN109727932A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811253311.3

申请日：2018-10-25

Applicant: 株式会社日立功率半导体

Inventor： 川村大地 ,  增田彻 ,  楠川顺平 ,  樱井直树

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498

Abstract: 提供功率半导体模块，在绝缘基板下产生空隙时抑制电晕放电、提高绝缘性。以硬钎焊料(8-2)的端部(8-2e)与绝缘基板(2)侧面的下方延长线之间距离为a，以助焊剂(11)的软钎焊料(9-2)侧的端部(11e)与绝缘基板(2)侧面的下方延长线之间距离为b，则a小于b。软钎焊料(9-2)的端部位置被助焊剂(11)限制，硬钎焊料(8-2)的绝缘基板(2)的侧面一侧端部(8-2e)的位置，相比于软钎焊料(9-2)的绝缘基板(2)侧面一侧的端部位置，更接近绝缘基板(2)侧面一侧。即使硬钎焊料(8-2)与软钎焊料(9-2)之间产生空隙，因硬钎焊料(8-2)及软钎焊料(9-2)同为接地电势而抑制电晕放电。