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公开(公告)号：CN102440005A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201080022255.8
申请日：2010-05-21
Applicant: 株式会社日立医疗器械
CPC classification number: B06B1/0292 , A61B8/00 , A61B8/4483 , B81B3/0021 , B81B2201/0257 , G01N29/2406 , H04R19/005
Abstract: 本发明提供一种具备优选的突起配置结构的超声波换能器及利用该超声波换能器的超声波诊断装置。该超声波换能器具备：第一电极；形成于该第一电极上的下部绝缘膜；被设置为在该下部绝缘膜上形成空洞部的上部绝缘膜；和形成于该上部绝缘膜上的第二电极，其特征在于，在所述下部绝缘膜或所述上部绝缘膜上，在所述空洞部侧形成突起，在相当于形成所述突起的位置的所述第一电极或第二电极上形成有开口部。由此，在为了抑制薄膜下表面与空洞部下表面接触所引起的电荷向绝缘膜注入而配置向空洞部突出的绝缘膜的突起的情况下，可以抑制CMUT的驱动电压的上升、接收灵敏度的降低。
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公开(公告)号：CN102440005B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201080022255.8
申请日：2010-05-21
Applicant: 株式会社日立医疗器械
CPC classification number: B06B1/0292 , A61B8/00 , A61B8/4483 , B81B3/0021 , B81B2201/0257 , G01N29/2406 , H04R19/005
Abstract: 本发明提供一种具备优选的突起配置结构的超声波换能器及利用该超声波换能器的超声波诊断装置。该超声波换能器具备：第一电极；形成于该第一电极上的下部绝缘膜；被设置为在该下部绝缘膜上形成空洞部的上部绝缘膜；和形成于该上部绝缘膜上的第二电极，其特征在于，在所述下部绝缘膜或所述上部绝缘膜上，在所述空洞部侧形成突起，在相当于形成所述突起的位置的所述第一电极或第二电极上形成有开口部。由此，在为了抑制薄膜下表面与空洞部下表面接触所引起的电荷向绝缘膜注入而配置向空洞部突出的绝缘膜的突起的情况下，可以抑制CMUT的驱动电压的上升、接收灵敏度的降低。
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公开(公告)号：CN102281818A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201080004562.3
申请日：2010-01-06
Applicant: 株式会社日立医疗器械
CPC classification number: B06B1/0292
Abstract: 本发明提供一种超声波探头的制造方法及超声波探头。在形成作为保护膜的聚酰亚胺膜之前，使薄膜反复振动，从而评价上部电极与下部电极之间的绝缘耐压，预先除去因薄膜的反复振动而在上部电极与下部电极之间产生了绝缘耐压降低的不良半导体装置(CMUT)单元的上部电极，切断与其他正常半导体装置单元的电连接，由此在包含修复后的CMUT单元(RC)在内的块(RB)或沟道(RCH)中，防止薄膜的反复振动后的上部电极与下部电极之间的绝缘耐压降低。由此，可以提高半导体装置的制造成品率。
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公开(公告)号：CN102281818B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201080004562.3
申请日：2010-01-06
Applicant: 株式会社日立医疗器械
CPC classification number: B06B1/0292
Abstract: 本发明提供一种超声波探头的制造方法及超声波探头。在形成作为保护膜的聚酰亚胺膜之前，使薄膜反复振动，从而评价上部电极与下部电极之间的绝缘耐压，预先除去因薄膜的反复振动而在上部电极与下部电极之间产生了绝缘耐压降低的不良半导体装置(CMUT)单元的上部电极，切断与其他正常半导体装置单元的电连接，由此在包含修复后的CMUT单元(RC)在内的块(RB)或沟道(RCH)中，防止薄膜的反复振动后的上部电极与下部电极之间的绝缘耐压降低。由此，可以提高半导体装置的制造成品率。
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