公开(公告)号：CN116209786B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202180065452.6

申请日：2021-08-02

Applicant: 株式会社明电舍

Inventor： 龟田直人 ,  萩原崇之 ,  阿部绫香

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  C23C16/54

Abstract: 通过在ALD装置(11)的腔室(3)内配置被成膜对象物(2)，适当进行采用原料气体供给工序(S1)、原料气体吹扫工序(S2)、氧化剂供给工序(S3)、氧化剂吹扫工序(S4)的各工序的成膜循环，从而在该被成膜对象物(2)的被成膜面(20)形成氧化膜(21)。在氧化剂供给工序(S3)中，向腔室(3)内供给80体积％以上的臭氧气体，使该臭氧气体对被成膜面(20)的暴露量为1×105朗缪尔以上，使该腔室(3)内的压力为1000Pa以下。

公开(公告)号：CN116209786A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202180065452.6

申请日：2021-08-02

Applicant: 株式会社明电舍

Inventor： 龟田直人 ,  萩原崇之 ,  阿部绫香

IPC: C23C16/54

Abstract: 通过在ALD装置(11)的腔室(3)内配置被成膜对象物(2)，适当进行采用原料气体供给工序(S1)、原料气体吹扫工序(S2)、氧化剂供给工序(S3)、氧化剂吹扫工序(S4)的各工序的成膜循环，从而在该被成膜对象物(2)的被成膜面(20)形成氧化膜(21)。在氧化剂供给工序(S3)中，向腔室(3)内供给80体积％以上的臭氧气体，使该臭氧气体对被成膜面(20)的暴露量为1×105朗缪尔以上，使该腔室(3)内的压力为1000Pa以下。