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公开(公告)号：CN114286875B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202080060774.7
申请日：2020-04-22
Applicant: 株式会社明电舍
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/31 , H01L21/316
Abstract: 在ALD装置(1)的腔室(2)中，位于面对成膜表面(10a)的位置处的喷头(4)设置有在沿着成膜表面的两个方向(也称为“两个成膜表面方向”)上以预定间隔交替布置以便面对成膜表面(10a)的原料气体喷射口(41)和OH*形成气体喷射口(42)。OH*形成气体喷射口(42)中的每个设置有通过其喷射臭氧气体的第一喷射口(42a)和通过其喷射不饱和烃气体的第二喷射口(42b)。通过从原料气体喷射口(41)中的每个喷射原料气体以及从OH*形成气体喷射口(42)中的每个的第一喷射口和第二喷射口(42a、42b)分别喷射臭氧气体和不饱和烃气体，同时使成膜物体(10)沿着成膜表面(10a)在两个成膜表面方向上移动，在成膜表面(10a)上形成氧化膜(11)。
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公开(公告)号：CN111902564B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201880091593.3
申请日：2018-11-28
Applicant: 株式会社明电舍
IPC: C23C16/40 , C23C16/42 , H01L21/316
Abstract: 公开了氧化物膜形成方法，包括向放置在减压处理炉(5)中的工件(7)供给臭氧浓度为20至100体积％的臭氧气体、不饱和烃气体和原料气体，由此通过化学气相沉积法在工件(7)的表面上形成氧化物膜。不饱和烃气体的实例是乙烯气体。原料气体的实例是TEOS气体。优选设定臭氧气体的流速为等于或大于不饱和烃气体和原料气体的总流速的两倍。通过这种氧化物膜形成方法，即使在200℃或更低的低温条件下以高沉积速率在工件(7)上也形成氧化物膜。
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公开(公告)号：CN114286875A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202080060774.7
申请日：2020-04-22
Applicant: 株式会社明电舍
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/31 , H01L21/316
Abstract: 在ALD装置(1)的腔室(2)中，位于面对成膜表面(10a)的位置处的喷头(4)设置有在沿着成膜表面的两个方向(也称为“两个成膜表面方向”)上以预定间隔交替布置以便面对成膜表面(10a)的原料气体喷射口(41)和OH*形成气体喷射口(42)。OH*形成气体喷射口(42)中的每个设置有通过其喷射臭氧气体的第一喷射口(42a)和通过其喷射不饱和烃气体的第二喷射口(42b)。通过从原料气体喷射口(41)中的每个喷射原料气体以及从OH*形成气体喷射口(42)中的每个的第一喷射口和第二喷射口(42a、42b)分别喷射臭氧气体和不饱和烃气体，同时使成膜物体(10)沿着成膜表面(10a)在两个成膜表面方向上移动，在成膜表面(10a)上形成氧化膜(11)。
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公开(公告)号：CN113196455B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201980078450.3
申请日：2019-09-05
Applicant: 株式会社明电舍
IPC: H01L21/31 , C23C16/42 , C23C16/455 , H01L21/316
Abstract: 提供了一种氧化膜形成装置(1)，它包括炉壳体(6a)和炉盖(6b)，上面要形成膜的工件(8)布置在该炉壳体中。混合气体扩散部件(6c)经由屏蔽板(12)布置在炉盖(6b)的内侧。混合气体缓冲空间(21)形成在混合气体扩散部件(6c)中。喷头板(13)形成在混合气体扩散部件(6c)上。臭氧气体缓冲空间(17)形成在炉盖(6b)中并且臭氧气体缓冲空间(17)具有气流扩散板(20)。喷头板(13)中形成有臭氧气体流过的孔(13a)和混合气体流过的孔(13b)。孔(13a、13b)布置成矩形网格图案。在相邻孔13a之间(以及在相邻孔13b之间)的距离为1‑100mm并且孔(13a、13b)的孔径为0.1‑10mm。
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公开(公告)号：CN113196455A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980078450.3
申请日：2019-09-05
Applicant: 株式会社明电舍
IPC: H01L21/31 , C23C16/42 , C23C16/455 , H01L21/316
Abstract: 提供了一种氧化膜形成装置(1)，它包括炉壳体(6a)和炉盖(6b)，上面要形成膜的工件(8)布置在该炉壳体中。混合气体扩散部件(6c)经由屏蔽板(12)布置在炉盖(6b)的内侧。混合气体缓冲空间(21)形成在混合气体扩散部件(6c)中。喷头板(13)形成在混合气体扩散部件(6c)上。臭氧气体缓冲空间(17)形成在炉盖(6b)中并且臭氧气体缓冲空间(17)具有气流扩散板(20)。喷头板(13)中形成有臭氧气体流过的孔(13a)和混合气体流过的孔(13b)。孔(13a、13b)布置成矩形网格图案。在相邻孔13a之间(以及在相邻孔13b之间)的距离为1‑100mm并且孔(13a、13b)的孔径为0.1‑10mm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101506952A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200780031642.6
申请日：2007-08-22
Applicant: 株式会社明电舍 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/316 , C23C16/42 , H01L21/31 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/31612 , C23C16/402 , C23C16/482 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L21/02277 , H01L21/02304 , H01L21/2686 , H01L21/3121 , H01L21/31633 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供了一种用于氧化膜形成的装置(1)。在该装置(1)中，紫外光范围内的光被应用到基板(7)上，以及同时，有机硅的起动气体(G1)和臭氧气体(G2)被供应给基板(7)以在基板(7)的表面上形成氧化膜。基板(7)被存放于处理炉(2)中。管道布置(3)起着在室温下将起动气体(G1)和臭氧气体(G2)混合在一起以制备随即被供应给处理炉(2)中的基板(7)的混合物的作用。光源(5)放射出紫外光范围内的具有长于210nm的波长的光以及将其应用到了基板(7)上。被供应到管道布置(3)内的与起动气体(G1)混合的臭氧气体(G2)的量被设置成至少是为完全氧化起动气体(G1)所需的化学当量或更高的值。根据氧化膜形成的装置(1)，起动气体的利用率被提高了，以及同时，具有卓越特性的氧化膜能够通过200℃或200℃以下的膜形成过程来形成。
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公开(公告)号：CN116209786B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202180065452.6
申请日：2021-08-02
Applicant: 株式会社明电舍
IPC: C23C16/455 , H01L21/316 , H01L21/31 , C23C16/54
Abstract: 通过在ALD装置(11)的腔室(3)内配置被成膜对象物(2)，适当进行采用原料气体供给工序(S1)、原料气体吹扫工序(S2)、氧化剂供给工序(S3)、氧化剂吹扫工序(S4)的各工序的成膜循环，从而在该被成膜对象物(2)的被成膜面(20)形成氧化膜(21)。在氧化剂供给工序(S3)中，向腔室(3)内供给80体积％以上的臭氧气体，使该臭氧气体对被成膜面(20)的暴露量为1×105朗缪尔以上，使该腔室(3)内的压力为1000Pa以下。
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公开(公告)号：CN116209786A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202180065452.6
申请日：2021-08-02
Applicant: 株式会社明电舍
IPC: C23C16/54
Abstract: 通过在ALD装置(11)的腔室(3)内配置被成膜对象物(2)，适当进行采用原料气体供给工序(S1)、原料气体吹扫工序(S2)、氧化剂供给工序(S3)、氧化剂吹扫工序(S4)的各工序的成膜循环，从而在该被成膜对象物(2)的被成膜面(20)形成氧化膜(21)。在氧化剂供给工序(S3)中，向腔室(3)内供给80体积％以上的臭氧气体，使该臭氧气体对被成膜面(20)的暴露量为1×105朗缪尔以上，使该腔室(3)内的压力为1000Pa以下。
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公开(公告)号：CN111902564A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201880091593.3
申请日：2018-11-28
Applicant: 株式会社明电舍
IPC: C23C16/40 , C23C16/42 , H01L21/316
Abstract: 公开了氧化物膜形成方法，包括向放置在减压处理炉(5)中的工件(7)供给臭氧浓度为20至100体积％的臭氧气体、不饱和烃气体和原料气体，由此通过化学气相沉积法在工件(7)的表面上形成氧化物膜。不饱和烃气体的实例是乙烯气体。原料气体的实例是TEOS气体。优选设定臭氧气体的流速为等于或大于不饱和烃气体和原料气体的总流速的两倍。通过这种氧化物膜形成方法，即使在200℃或更低的低温条件下以高沉积速率在工件(7)上也形成氧化物膜。
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公开(公告)号：CN101506952B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200780031642.6
申请日：2007-08-22
Applicant: 株式会社明电舍 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/316 , C23C16/42 , H01L21/31 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/31612 , C23C16/402 , C23C16/482 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L21/02277 , H01L21/02304 , H01L21/2686 , H01L21/3121 , H01L21/31633 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供了一种用于氧化膜形成的装置(1)。在该装置(1)中，紫外光范围内的光被应用到基板(7)上，以及同时，有机硅的起动气体(G1)和臭氧气体(G2)被供应给基板(7)以在基板(7)的表面上形成氧化膜。基板(7)被存放于处理炉(2)中。管道布置(3)起着在室温下将起动气体(G1)和臭氧气体(G2)混合在一起以制备随即被供应给处理炉(2)中的基板(7)的混合物的作用。光源(5)放射出紫外光范围内的具有长于210nm的波长的光以及将其应用到了基板(7)上。被供应到管道布置(3)内的与起动气体(G1)混合的臭氧气体(G2)的量被设置成至少是为完全氧化起动气体(G1)所需的化学当量或更高的值。根据氧化膜形成的装置(1)，起动气体的利用率被提高了，以及同时，具有卓越特性的氧化膜能够通过200℃或200℃以下的膜形成过程来形成。
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