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公开(公告)号：CN120019570A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202380072844.4
申请日：2023-10-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 今井翔平
Abstract: 本发明包含：比较部，被输入从给定的放大器的输出端子输出的信号和基准电压，从输出端子输出与从所述给定的放大器输出的信号的信号电平和所述基准电压之差相应的第1输出信号；直流除去部，一个端子与所述比较部的输出端子电连接，从另一个端子输出除去了所述第1输出信号的直流分量的信号；以及检测部，输入端子与所述直流除去部的另一个端子电连接，从输出端子输出与从所述给定的放大器输出的信号的信号电平相应的控制信号。
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公开(公告)号：CN117879499A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311308191.3
申请日：2023-10-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 今井翔平
Abstract: 本发明提供一种多赫蒂放大电路，抑制特性的变化。多赫蒂放大电路包括：载波放大器，其包括一个或多个放大器；以及峰值放大器，其包括一个或多个放大器。至少一个放大器包括：第一晶体管，该第一晶体管的基极或栅极被输入第一高频信号，从该第一晶体管的发射极或源极输出将第一高频信号放大后的第二高频信号；以及电流抽取电路，其从第一晶体管的发射极或源极抽取基于控制信号的电流。
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公开(公告)号：CN113765484B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202110621926.2
申请日：2021-06-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 今井翔平
IPC: H03F1/07
Abstract: 一种功率放大电路，在多赫蒂放大器中不使用1/4波长线路而产生适当的负载调制效果。功率放大电路具备：第一放大器，其在输入信号的功率电平为第一电平以上的区域，将从所述输入信号分配的第一信号放大，输出第二信号；第一转换器，其与所述第一放大器的输出侧连接，转换所述第一放大器的输出侧的阻抗；以及至少一个以上的第二放大器，其在所述输入信号的功率电平为比所述第一电平高的第二电平以上的区域，将从所述输入信号分配的第三信号放大，输出第四信号，所述第二放大器各自的输出侧与所述第一转换器的输出侧串联连接，所述第一转换器具有使所述第一放大器的输出侧的阻抗的绝对值比所述第二放大器各自的输出侧的阻抗的绝对值大的结构。
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公开(公告)号：CN118740059A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410365685.3
申请日：2024-03-28
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种多赫蒂放大电路，在抑制多赫蒂放大电路的电路规模的增大的同时抑制高频输出信号的质量的下降。多赫蒂放大电路包含第1集成电路、和与第1集成电路连接的第2集成电路，所述第1集成电路以及所述第2集成电路的任一者包含将高频信号放大的载波放大器、将高频信号放大的峰值放大器、基于表示所述载波放大器的驱动电平的驱动电平信号对所述高频信号的增益进行控制的可变增益控制电路、和将基于所述可变增益控制电路的输出的偏置输入到所述峰值放大器的偏置电路，硅裸片上的第1集成电路至少包含所述可变增益控制电路。
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公开(公告)号：CN117616688A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202280048667.1
申请日：2022-10-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 功率放大电路具备：可变功率分配电路，能够将第1信号分配为第2信号和相位与所述第2信号不同的第3信号，并基于控制信号使所述第3信号的第1功率增减；载波电路，包含一个以上的载波放大器，将所述第2信号放大，并将放大后的所述第2信号输出；峰值电路，包含一个以上的峰值放大器，将所述第3信号放大，并将放大后的所述第3信号输出；以及控制电路，基于对象载波放大器的饱和程度，向所述可变功率分配电路输出所述控制信号，所述对象载波放大器是所述载波电路中的所述一个以上的载波放大器之中最靠输出侧的载波放大器。
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公开(公告)号：CN116015229A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211264148.7
申请日：2022-10-14
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 今井翔平
Abstract: 提供一种功率放大电路、差动功率放大电路，提高针对高频信号的输入阻抗。功率放大电路具备：第一晶体管，该第一晶体管的基极或栅极通过电容器而被供给高频信号，通过电阻元件而被供给偏置电流；第二晶体管，在该第二晶体管的基极或栅极连接所述第一晶体管的发射极或源极，在该第二晶体管的集电极或漏极连接输出端子；以及第三晶体管，在该第三晶体管的集电极或漏极连接所述第一晶体管的基极或栅极，在该第三晶体管的发射极或源极连接基准电位，所述第三晶体管设置为，在向所述第二晶体管的集电极或漏极流动的电流增大的情况下，向所述第三晶体管的集电极或漏极流动的电流增大。
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公开(公告)号：CN115989633A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202180052672.5
申请日：2021-08-27
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/24
Abstract: 一种功率放大电路，在同一半导体基板上具备：分配器，将输入信号分配为第1信号和相位与所述第1信号不同的第2信号；第1放大器，将从所述第1信号分支的第1分支信号放大并输出第1放大信号；第2放大器，在从所述第1信号分支的第2分支信号的功率电平示出给定的功率电平以上时，将所述第2分支信号放大并输出第2放大信号；第3放大器，将从所述第2信号分支的第3分支信号放大并输出第3放大信号；第4放大器，在从所述第2信号分支的第4分支信号的功率电平示出给定的功率电平以上时，将所述第4分支信号放大并输出第4放大信号；第1偏置电路，输出第1偏置电压；第1长度的第1线路，将所述第1偏置电路和所述第1放大器连接；以及第2长度的第2线路，将所述第1偏置电路和所述第3放大器连接，所述第2长度比所述第1长度短，所述第1线路以及所述第2线路形成为所述第1偏置电路与所述第1放大器之间的所述第1偏置电压的电压下降量和所述第1偏置电路与所述第3放大器之间的所述第1偏置电压的电压下降量变得大致相等。
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公开(公告)号：CN118740058A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410365645.9
申请日：2024-03-28
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 今井翔平
IPC: H03F1/02
Abstract: 提供一种多赫蒂放大电路，包含：载波放大器，放大高频信号；峰值放大器，放大高频信号，并且包含驱动级的峰值放大器和将所述驱动级的峰值放大器的输出作为输入的功率级的峰值放大器；驱动电平检测电路，检测所述载波放大器的驱动电平；控制电路，基于表示由所述驱动电平检测电路检测的驱动电平的驱动电平信号，输出用于设定所述驱动级的峰值放大器的偏置的信号；以及生成电路，生成与所述驱动级的峰值放大器的动作状态相应的电流或电压，基于由所述生成电路生成的与所述驱动级的峰值放大器的动作状态相应的电流或电压，控制所述功率级的峰值放大器的动作状态。据此，抑制多赫蒂放大电路中的高频输出信号的质量降低。
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