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公开(公告)号：CN116490968A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202180079271.9
申请日：2021-10-12
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/12
Abstract: 高频模块(1)具备：第一基材(71)，其由第一半导体材料构成；第二基材(72)，其由热导率比第一半导体材料的热导率低的第二半导体材料构成，在第二基材(72)形成有功率放大电路(11)；第三基材(73)，在第三基材(73)形成有发送滤波器电路(61T和/或62T)；以及模块基板(90)，其具有配置有第一基材(71)、第二基材(72)以及第三基材(73)的主面(90a)，其中，第一基材(71)经由电极(717)来与主面(90a)接合，在截面视图中，第二基材(72)配置于模块基板(90)与第一基材(71)之间，且经由电极(724)来与主面(90a)接合，在俯视视图中，第一基材(71)的至少一部分与第二基材(72)的至少一部分及第三基材(73)的至少一部分重叠。
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公开(公告)号：CN116601756A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180079660.1
申请日：2021-11-15
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/00
Abstract: 集成电路(70)具备：第一基材(71)，该第一基材(71)的至少一部分由第一半导体材料构成，在该第一基材(71)形成有电气电路(例如控制电路(80)或开关电路(51、52)；第二基材(72)，该第二基材(72)的至少一部分由具有比第一半导体材料的热导率低的热导率的第二半导体材料构成，在该第二基材(72)形成有功率放大电路(11)；以及高热导构件(73)，该高热导构件(73)的至少一部分由具有比第一半导体材料的热导率高的热导率的高热导材料构成，该高热导构件(73)配置于电气电路与功率放大电路(11)之间，其中，在俯视视图中，高热导构件(73)的至少一部分与第一基材(71)的至少一部分及第二基材(72)的至少一部分重叠，高热导构件(73)与第一基材(71)及第二基材(72)接触。
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公开(公告)号：CN110830054B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910729614.6
申请日：2019-08-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供散热性提高的高频模块。高频模块(1)具备：发送功率放大器(11)；凸块电极(13)，其与发送功率放大器(11)的主面连接，且在俯视该主面的情况下为长条形状；以及安装基板(90)，其安装发送功率放大器(11)，安装基板(90)具有在上述俯视时为长条形状的导通孔导体(91)，凸块电极(13)与导通孔导体(91)在上述俯视时，长边方向彼此一致，并且，在上述俯视时至少在该长边方向较长的、凸块电极(13)与导通孔导体(91)的重复区域连接。
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公开(公告)号：CN112970201A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201980071952.3
申请日：2019-10-21
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 高频模块(1A)具备：模块基板(70)，其具有主面(701及702)；柱状电极(83c～83g)，其配置于主面(702)；PA(11)，其配置于主面(702)，其中，PA(11)具有：离主面(702)最近的主面(101)；与主面(101)相向的主面(102)；输出电极(11b)，其与主面(101)连接，传递从PA(11)输出的高频信号；以及地电极(11g1)，其与主面(102)连接，且与外部基板(90)连接。
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公开(公告)号：CN110868233A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910720826.8
申请日：2019-08-06
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供提高散热性并确保安装基板的平坦性的高频模块以及通信装置。高频模块(1)具备发送功率放大器(11)、与发送功率放大器(11)连接的凸块电极(13)、以及安装发送功率放大器(11)的安装基板(90)，安装基板(90)具有由绝缘性材料形成的基板主体部(90B)、以及处于安装基板(90)，并在俯视安装基板(90)时为长条形状的导通孔导体(91)，凸块电极(13)和导通孔导体(91)在上述俯视时至少一部分重复的状态下连接，在导通孔导体(91)的内部配置有由基板主体部(90B)的绝缘性材料构成的绝缘部(90C)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110830053A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910725013.8
申请日：2019-08-07
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供抑制了功率放大器的放大特性的劣化的高频模块。高频模块(1)具备：发送功率放大器(11)，由级联连接的放大晶体管(110P)以及(110D)构成；以及安装基板(90)，具有相互背向的主面(90a)以及(90b)，并在主面(90a)安装有发送功率放大器(11)，放大晶体管(110P)配置于最后一级，并具有发射极端子(112P)，放大晶体管(110D)配置于比放大晶体管(110P)靠前一级，并具有发射极端子(112D)，安装基板(90)按距离主面(90a)从近到远的顺序具有地线电极层(93g)～(96g)，发射极端子(112P)与发射极端子(112D)不经由主面(90a)上的电极电连接，并且不经由地线电极层(93g)电连接。
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公开(公告)号：CN110868233B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201910720826.8
申请日：2019-08-06
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供提高散热性并确保安装基板的平坦性的高频模块以及通信装置。高频模块(1)具备发送功率放大器(11)、与发送功率放大器(11)连接的凸块电极(13)、以及安装发送功率放大器(11)的安装基板(90)，安装基板(90)具有由绝缘性材料形成的基板主体部(90B)、以及处于安装基板(90)，并在俯视安装基板(90)时为长条形状的导通孔导体(91)，凸块电极(13)和导通孔导体(91)在上述俯视时至少一部分重复的状态下连接，在导通孔导体(91)的内部配置有由基板主体部(90B)的绝缘性材料构成的绝缘部(90C)。
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公开(公告)号：CN110830053B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201910725013.8
申请日：2019-08-07
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供抑制了功率放大器的放大特性的劣化的高频模块。高频模块(1)具备：发送功率放大器(11)，由级联连接的放大晶体管(110P)以及(110D)构成；以及安装基板(90)，具有相互背向的主面(90a)以及(90b)，并在主面(90a)安装有发送功率放大器(11)，放大晶体管(110P)配置于最后一级，并具有发射极端子(112P)，放大晶体管(110D)配置于比放大晶体管(110P)靠前一级，并具有发射极端子(112D)，安装基板(90)按距离主面(90a)从近到远的顺序具有地线电极层(93g)～(96g)，发射极端子(112P)与发射极端子(112D)不经由主面(90a)上的电极电连接，并且不经由地线电极层(93g)电连接。
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公开(公告)号：CN111526227B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202010079663.2
申请日：2020-02-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H04M1/02
Abstract: 提供一种高频模块和通信装置。该高频模块是提高了散热性的两面安装型的高频模块。高频模块(1)具备：安装基板(30)，其具有主面(30a及30b)；功率放大器(14)，其安装于主面(30a)；半导体IC(80)，其安装于主面(30b)；连接端子(41)，其配置于相对于安装基板(30)而言的主面(30b)侧，与外部基板连接；多个通路导体(51及52)，它们与功率放大器(14)连接，贯通安装基板(30)；以及金属块(50)，其安装于主面(30b)，与多个通路导体(51及52)及连接端子(41)连接，其中，在俯视安装基板(30)的情况下，功率放大器(14)与多个通路导体(51及52)重叠，金属块(50)与多个通路导体(51及52)重叠。
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公开(公告)号：CN111526227A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010079663.2
申请日：2020-02-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H04M1/02
Abstract: 提供一种高频模块和通信装置。该高频模块是提高了散热性的两面安装型的高频模块。高频模块(1)具备：安装基板(30)，其具有主面(30a及30b)；功率放大器(14)，其安装于主面(30a)；半导体IC(80)，其安装于主面(30b)；连接端子(41)，其配置于相对于安装基板(30)而言的主面(30b)侧，与外部基板连接；多个通路导体(51及52)，它们与功率放大器(14)连接，贯通安装基板(30)；以及金属块(50)，其安装于主面(30b)，与多个通路导体(51及52)及连接端子(41)连接，其中，在俯视安装基板(30)的情况下，功率放大器(14)与多个通路导体(51及52)重叠，金属块(50)与多个通路导体(51及52)重叠。
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