公开(公告)号：CN1215502C

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN01143780.4

申请日：2001-12-19

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 杉本安隆 ,  近川修 ,  森直哉

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/49 ,  H01B3/12

CPC classification number: C04B35/468 ,  B32B18/00 ,  B32B2307/204 ,  B32B2457/00 ,  C03C14/004 ,  C04B35/50 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/562 ,  C04B2237/68 ,  C04B2237/704 ,  H01G4/1227 ,  H01L23/49894 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/162 ,  H05K3/4688 ,  H05K2201/09672 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种合成多层陶瓷电子部件，它包括相互层迭的高介电常数层和至少一个低介电常数层。高介电常数层包括一种高介电常数材料，相对介电常数εγ的为20或更大，低介电常数层包括一种低介电常数材料，相对介电常数εγ约为10或更小。高介电常数材料主要包含BaO-TiO3-ReO3/2介质，与第一玻璃成分，BaO-TiO3-ReO3/2介质表示为xBaO-yTiO3-zReO3/2介质，x、y与z为%克分子并满足8≤x≤18，52.5≤y≤65，20≤z≤40，且x+y+z＝100，Re为稀土元素，低介电常数材料包含由陶瓷与第二玻璃成分组成的合成物。该合成多层陶瓷电子部件在不同类材料界面处防脱层或变形，能以低温烧制，适合高频应用。

公开(公告)号：CN1132800C

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：CN01102966.8

申请日：2001-02-09

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 杉本安隆

IPC: C04B35/49 ,  H01B3/12

CPC classification number: C04B35/457 ,  C04B35/462 ,  C04B35/49 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1245 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/162 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/24926

Abstract: 提供一种介电陶瓷组合物，用该组合物可获得能在约1100℃或更低温度下焙烧的介电陶瓷，能与低电阻和价廉金属如Ag和Cu共烧结，其介电常数和Q值高，介电常数的温度系数小。介电陶瓷组合物包括100重量份主组分和约3-20重量份的至少含B和Si的玻璃，所述主组分包括约22-43重量份TiO2、约38-58重量份ZrO2和约9-26重量份SnO2。

公开(公告)号：CN1394113A

公开(公告)日：2003-01-29

申请号：CN02122822.1

申请日：2002-06-05

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 守屋要一 ,  杉本安隆 ,  近川修

IPC: H05K3/46 ,  H05K1/02 ,  C04B35/00

CPC classification number: B32B18/00 ,  C03C14/00 ,  C03C14/004 ,  C03C2214/00 ,  C03C2214/20 ,  C03C2214/30 ,  C04B35/462 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/9615 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/348 ,  H01L21/4867 ,  H01L23/15 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/162 ,  H05K3/4629 ,  H05K3/4688 ,  Y10T428/24926 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了以平坦且烧结收缩率低的状态制造玻璃陶瓷多层基板的方法。该制造方法是将由显现不同烧结收缩行为的第1及第2生料片2及3层叠而成的未烧结层叠体6进行烧结，从而制得玻璃陶瓷多层基板1。烧结过程中，将第1及第2生料片2及3的收缩起始温度(℃)分别设定为TSa及TSb，将收缩量达到第1及第2生料片2及3在烧结结束时的收缩量的90％时的温度(℃)分别设定为TFa及TFb，且当升温速度为X℃/分钟时，使其满足(TFa+3X)＜TSb或(TFb+3X)＜TSa的关系。

公开(公告)号：CN1093846C

公开(公告)日：2002-11-06

申请号：CN99127502.0

申请日：1999-12-22

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 杉本安隆

IPC: C04B35/46 ,  C04B35/40 ,  C04B35/14 ,  C04B35/622 ,  H01B3/12

CPC classification number: C04B35/462 ,  C04B35/4686

Abstract: 一种低温烧制的陶瓷组合物的制备方法，包括以下步骤：第一步是将Bi2O3和CuO与主料BaO-TiO2-ReO3/2掺和，得到一种陶瓷材料混合物，其中Re是镧系元素；第二步是在950℃或更高的温度煅烧所述的陶瓷材料混合物；第三步是磨碎所述的经煅烧的陶瓷材料混合物，使其平均粒径为约2.0微米或更小；第四步是将B2O3-SiO2玻璃组分和CuO与所述的磨碎的陶瓷材料混合物掺和，得到用于制备介电陶瓷组合物的材料；第五步是将所述的材料成型为目标形状，并在1000℃或更低的温度烧制该成型的材料。所得的介电陶瓷组合物可在低温烧结，并具有高的比介电常数、高Q值和令人满意的热稳定性。

公开(公告)号：CN1334569A

公开(公告)日：2002-02-06

申请号：CN01124410.0

申请日：2001-07-19

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 杉本安隆 ,  近川修 ,  森直哉

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/01 ,  H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01F17/00

CPC classification number: C04B35/462 ,  C03C3/066 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/80 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1227 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/024 ,  H05K1/0306 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种介电陶瓷压块,它可在1000℃或更低温度下由介电陶瓷组合物和导电性优良的金属如银烧结而成,具有高相对介电常数、高Q值和低介电性能温度系数。所述组合物包括BaO－TiO2－ReO3/2基由式xBaO－yTiO2－zReO3/2表示的陶瓷组分和玻璃组分,8≤x≤18、52.5≤y≤65、20≤z≤40,x、y和z为摩尔百分数,x+y+z=100,Re为稀土元素,所述玻璃组分包括10－25重量%SiO2、10－40重量%B2O3、25－55重量%MgO、0－20重量%ZnO、0－15重量%Al2O3、0.5－10重量%Li2O和0－10重量%RO,R是至少一种选自Ba、Sr和Ca的元素。

公开(公告)号：CN1334256A

公开(公告)日：2002-02-06

申请号：CN01122798.2

申请日：2001-07-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 森直哉 ,  杉本安隆 ,  近川修

IPC: C04B35/443 ,  C04B35/16 ,  C04B35/20 ,  C04B35/195 ,  C03C3/064 ,  C03C3/089 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01B3/12 ,  B32B18/00 ,  C03C14/004 ,  C03C2214/04 ,  C03C2214/20 ,  C04B35/443 ,  C04B35/64 ,  C04B37/001 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/68 ,  H01B3/087 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/0306 ,  Y10S428/901 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/24331 ,  Y10T428/24917 ,  H01L2224/05599

Abstract: 提供一种可通过低温烧制获得的绝缘陶瓷压块,它具有低的相对介电常数和优良的高频特性,能与热膨胀系数高的材料共烧结。这种绝缘陶瓷压块是MgAl2O4基陶瓷和硼硅酸盐玻璃的烧制混合物,其中,MgAl2O4晶相与Mg3B2O6晶相和Mg2B2O5晶相中至少一种晶相以主晶相析出。

公开(公告)号：CN112771725B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201980063473.7

申请日：2019-09-11

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 古樋知重 ,  有海仁章 ,  早藤久夫 ,  加藤知树 ,  杉本安隆

IPC: H01Q13/08 ,  H01Q21/06 ,  H01Q23/00 ,  H01Q3/26

Abstract: 天线模块(100)包括具有多层构造的介电体基板(160)、第1辐射电极(122)、第2辐射电极(121)以及接地电极(GND)。第2辐射电极(121)在介电体基板(160)的层叠方向上配置于第1辐射电极(122)与接地电极(GND)之间。在介电体基板(160)中，在第1辐射电极(122)与第2辐射电极(121)之间的至少局部形成有空洞部(150)。

公开(公告)号：CN110520986B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN201880021634.1

申请日：2018-03-28

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 加藤知树 ,  杉本安隆 ,  守屋要一 ,  早川雄大

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L25/18 ,  H05K1/02 ,  H05K3/46

Abstract: 本发明的复合陶瓷多层基板的特征在于，具备：玻璃陶瓷绝缘层，包含布线层；以及高热传导陶瓷绝缘层，由热传导率比上述玻璃陶瓷绝缘层高的陶瓷材料构成，上述玻璃陶瓷绝缘层是直接和/或经由布线层形成于上述高热传导陶瓷绝缘层的一个主面或者上述高热传导陶瓷绝缘层的两个主面的复合陶瓷多层基板，具有1处以上在从上述复合陶瓷多层基板的主面的垂直方向观察的情况下，被上述玻璃陶瓷绝缘层围起，并露出形成于上述高热传导陶瓷绝缘层的主面的发热元件安装用布线的发热元件安装部。

公开(公告)号：CN113196418A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980083931.3

申请日：2019-12-13

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 坂本祯章 ,  千秋裕 ,  杉本安隆

IPC: H01B3/02 ,  B32B15/04 ,  C04B35/16 ,  H05K1/03 ,  H05K1/16 ,  H05K3/46

Abstract: 本发明的层叠体是层叠多层包含玻璃和石英的玻璃陶瓷层而成的层叠体，上述层叠体的表层部的B浓度比上述层叠体的内层部的B浓度低，上述玻璃包含SiO2、B2O3、Al2O3和M2O(M为碱金属)。

公开(公告)号：CN102822112B

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201180015855.6

申请日：2011-03-23

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 守屋要一 ,  胜部毅 ,  武森祐贵 ,  金森哲雄 ,  杉本安隆 ,  高田隆裕

IPC: H05K1/05 ,  C04B35/00 ,  C04B35/16 ,  C04B37/02 ,  H05K3/44 ,  H05K3/46

CPC classification number: H01L23/15 ,  B32B18/00 ,  C04B35/117 ,  C04B35/16 ,  C04B35/195 ,  C04B37/021 ,  C04B37/025 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/77 ,  C04B2237/10 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/56 ,  C04B2237/60 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/708 ,  C23C24/082 ,  C23C28/04 ,  H01L23/142 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49894 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15192 ,  H05K1/053 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/265

Abstract: 在由铜形成的金属板上形成有低温烧结陶瓷层的金属基基板中，提高金属板和低温烧结陶瓷层的接合可靠性。通过在由铜形成的金属板（14）的表面上层叠包含含有换算成BaO为10～40摩尔％的钡和换算成SiO2为40～80摩尔％的硅的低温烧结材料的低温烧结陶瓷生坯层，从而制作生的层叠体，在低温烧结陶瓷生坯层烧结的温度下对该生的层叠体进行烧成。在这样得到的金属基基板（12）中的金属板（14）和低温烧结陶瓷层（15）之间形成由Cu-Ba-Si系玻璃形成的厚1～5μm的玻璃层（22）。该玻璃层（22）显示良好的接合可靠性。