共模扼流圈
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114068129A

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN202110872052.8

    申请日:2021-07-30

    Abstract: 本发明提供层叠型的共模扼流圈,即使在例如25GHz~30GHz这样的较高的频带,甚至超过30GHz的极高的频带中,也能够抑制共模噪声成分。共模扼流圈(1)具备:层叠体(2),具有多个非导电体层(3a~3e);和第一线圈(11)以及第二线圈(12),内置于层叠体(2),其中,当将第一线圈(11)的路径长度设为L1,并将第二线圈(12)的路径长度设为L2时,L1以及L2的合计长度为3.30mm以下,使第一线圈(11)中的第一线圈导体(17)与第二线圈(12)中的第二线圈导体(18)之间的非导电体层(3a~3e)的层叠方向上的间隔D为6μm以上并且26μm以下。

    共模扼流圈
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114068128A

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN202110870661.X

    申请日:2021-07-30

    Abstract: 本发明提供层叠型的共模扼流圈,即使在例如25GHz~30GHz这样的较高的频带,甚至超过30GHz的极高的频带中,也能够抑制共模噪声成分。共模扼流圈(1)具备:层叠体(2),具有多个非导电体层(3);第一线圈以及第二线圈,内置于层叠体(2);第一端子电极(13)以及第二端子电极(14),与第一线圈连接;以及第三端子电极(15)以及第四端子电极(16),与第二线圈连接,其中,当将第一线圈的路径长度设为L1,并将第二线圈的路径长度设为L2时,使L1和L2的合计长度为3.4mm以下,并且使端子电极(13~16)中的下面电极部(13b)、(14b)、(15b)以及(16b)各自的面积为0.034μm2以下。

    共模扼流圈
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114068129B

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202110872052.8

    申请日:2021-07-30

    Abstract: 本发明提供层叠型的共模扼流圈,即使在例如25GHz~30GHz这样的较高的频带,甚至超过30GHz的极高的频带中,也能够抑制共模噪声成分。共模扼流圈(1)具备:层叠体(2),具有多个非导电体层(3a~3e);和第一线圈(11)以及第二线圈(12),内置于层叠体(2),其中,当将第一线圈(11)的路径长度设为L1,并将第二线圈(12)的路径长度设为L2时,L1以及L2的合计长度为3.30mm以下,使第一线圈(11)中的第一线圈导体(17)与第二线圈(12)中的第二线圈导体(18)之间的非导电体层(3a~3e)的层叠方向上的间隔D为6μm以上并且26μm以下。

    共模扼流圈
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114068128B

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202110870661.X

    申请日:2021-07-30

    Abstract: 本发明提供层叠型的共模扼流圈,即使在例如25GHz~30GHz这样的较高的频带,甚至超过30GHz的极高的频带中,也能够抑制共模噪声成分。共模扼流圈(1)具备:层叠体(2),具有多个非导电体层(3);第一线圈以及第二线圈,内置于层叠体(2);第一端子电极(13)以及第二端子电极(14),与第一线圈连接;以及第三端子电极(15)以及第四端子电极(16),与第二线圈连接,其中,当将第一线圈的路径长度设为L1,并将第二线圈的路径长度设为L2时,使L1和L2的合计长度为3.4mm以下,并且使端子电极(13~16)中的下面电极部(13b)、(14b)、(15b)以及(16b)各自的面积为0.034μm2以下。

    共模扼流圈
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114068130A

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN202110872090.3

    申请日:2021-07-30

    Abstract: 本发明提供层叠型的共模扼流圈,即使在例如25GHz~30GHz这样的较高的频带,甚至在超过30GHz这样的极高的频带中,也能够使差模信号透过,并且抑制共模噪声成分。共模扼流圈(1)具备:层叠体(2),具有多个非导电体层(3a~3e);第一线圈(11)以及第二线圈(12),内置于层叠体(2);第一端子电极(13)以及第二端子电极(14),与第一线圈(11)连接;以及第三端子电极(15)以及第四端子电极(16),与第二线圈(12)连接,其中,当将第一线圈(11)的路径长度设为L1,并将第二线圈(12)的路径长度设为L2时,使L1和L2的合计长度为3.5mm以下,并且使非导电体层(3a~3e)的相对介电常数为11以下。

    共模扼流圈
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114068130B

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202110872090.3

    申请日:2021-07-30

    Abstract: 本发明提供层叠型的共模扼流圈,即使在例如25GHz~30GHz这样的较高的频带,甚至在超过30GHz这样的极高的频带中,也能够使差模信号透过,并且抑制共模噪声成分。共模扼流圈(1)具备:层叠体(2),具有多个非导电体层(3a~3e);第一线圈(11)以及第二线圈(12),内置于层叠体(2);第一端子电极(13)以及第二端子电极(14),与第一线圈(11)连接;以及第三端子电极(15)以及第四端子电极(16),与第二线圈(12)连接,其中,当将第一线圈(11)的路径长度设为L1,并将第二线圈(12)的路径长度设为L2时,使L1和L2的合计长度为3.5mm以下,并且使非导电体层(3a~3e)的相对介电常数为11以下。

    共模扼流圈
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113223808B

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202110148326.9

    申请日:2021-02-03

    Abstract: 本发明提供层叠型的共模扼流圈,在例如25GHz~30GHz这样的高频带中,能够使差模信号透过并且抑制共模噪声成分。共模扼流圈(1)具备:长方体形状的层叠体(2),具有被层叠的多个非导电体层(3);和第一线圈(11)以及第二线圈(12),内置于层叠体(2),第一线圈(11)具有第一线圈导体(17),第二线圈(12)具有第二线圈导体(18)。相对于层叠体(2)的外周面,第一线圈导体(17)隔着间隙SG1~SG4配置,第二线圈导体(18)隔着间隙SG5~SG8配置。各间隙SG1~SG4与各间隙SG5~SG8之间的四个差的绝对值中的至少两个绝对值为0.02mm以上。

    层叠型线圈部件
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114639535A

    公开(公告)日:2022-06-17

    申请号:CN202111524409.X

    申请日:2021-12-14

    Abstract: 本发明提供能够在确保层叠体的强度的同时,实现内部应力的进一步的缓和的生产率优异的层叠型线圈部件。层叠型线圈部件是具备在层叠多个绝缘层而成的绝缘体部(40)的内部设置了经由导通导体(33)将多个线圈导体(31)电连接而成的线圈(30)的层叠体(10)的层叠型线圈部件(1),在层叠方向相邻且经由第一导通导体(33b)串联电连接的第一线圈导体(31b)以及第二线圈导体(31c)分别具有在与绝缘体部(40)之间存在空隙(50)的朝向与层叠方向相反侧的第一主面(32a),第二线圈导体(31c)具有在与绝缘体部(40)之间存在空隙(60)的朝向层叠方向的第二主面(32b),该空隙(60)局部地存在于与第一导通导体(33b)对置的位置。

    线圈部件
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109979734A

    公开(公告)日:2019-07-05

    申请号:CN201811510204.4

    申请日:2018-12-11

    Abstract: 提供一种线圈部件,能够抑制线圈部件的外部电极中含有的Ag的迁移的产生。线圈部件(100)具有:由绝缘体构成的元件主体(1);设置于元件主体(1)的内部或者表面的线圈导体;以及,设置于元件主体(1)的表面且与线圈导体导通的外部电极(3a、3b、3c、3d)。外部电极(3a、3b、3c、3d)具有含有平均粒径为4.2μm~15μm的Ag粒子的含Ag的层。通过将Ag粒子的平均粒径设为4.2μm~15μm,Ag粒子的晶界减少,可以抑制Ag的离子化反应。由此,可以对Ag的迁移的产生进行抑制。

    共模扼流圈
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113223811B

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202110149349.1

    申请日:2021-02-03

    Abstract: 本发明提供层叠型的共模扼流圈,能够在例如25GHz~30GHz这样的高频带中,使差模信号透过并且抑制共模噪声成分。具备:层叠体(2),具有多个非导电体层(3a~3e);第一线圈(11)以及第二线圈(12),内置于层叠体(2);第一端子电极(13)以及第二端子电极(14),与第一线圈(11)连接;以及第三端子电极(15)以及第四端子电极(16),与第二线圈(12)连接,第一线圈(11)具有第一线圈导体(17),第二线圈(12)具有第二线圈导体(18),上述第二线圈导体(18)沿着与配置有第一线圈导体的非导电体层(3b、3c)间的界面不同的非导电体层(3c、3d)间的界面配置,在共模扼流圈(1)中,第一线圈导体以及第二线圈导体各自的匝数小于2匝。

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